Применение высокоразрешающего микроскопа в режиме на просвет позволяет характеризовать структурные дефекты как в подложке, так и в многослойных эпитаксиальных пленках. Например, применение высокоразрешающей электронной микроскопии (ВРЭМ) обеспечило диагностическую поддержку исследованиям по развитию эпитаксиальной технологии создания структур на основе твердых растворов кадмия, ртути и теллура для фоточувствительных элементов матриц для современных систем тепловидения. С помощью ВРЭМ определяются такие важные параметры низкоразмерных систем, как размеры квантовых объектов и их пространственное расположение, степень упорядочения, резкость границ раздела объект-матрица, наличие структурных дефектов.

1. Марка — JEM-4000EX.
2. Производитель/страна — JEOL, Япония.
3. Технические характеристики:
   • Ускоряющее напряжение: 400 кВ (шаг — 100В).
   • Источник электронов: LaB6-катод.
   • Наличие энергетического фильтра и монохроматора (для прецизионного EELS анализа).
   • Объективная линза (UHP-40):
     • коэффициент сферической аберрации — 1 мм;
     • коэффициент хроматической аберрации — 1,6 мм;
     • фокусное расстояние — 3,2 мм;
     • шаг фокусировки — 1,2 нм;
     • максимальное увеличение — 1200000;
   • Разрешающая способность: 0,165 нм (по точкам), 0,100 нм (по линиям).
4. Местонахождение в ЦКП — Отделение высокоразрешающей электронной микроскопии, к. 105.
5. Год модернизации — 1990.
6. Балансовая стоимость — 5228 тыс. руб.
7. Предоставляемые услуги:
   • Исследования атомной структуры веществ методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии с корректором сферических аберраций, включая исследования на просвет планарных структур и поперечных сечений.
   • Проведение измерений линейных размеров элементов структур микро- и нанорельефа поверхности твердотельных материалов и биологических объектов в нанометровом диапазоне.
   • Количественный анализ механических напряжений в гетероэпитаксиальных системах на основе обработки оцифрованных изображений высокоразрешающей электронной микроскопии.
   • Наноструктурирование нелитографическими методами посредством in situ управления процессами самоорганизации структуры поверхности кристаллов в сверхвысоковакууумных условиях.
8. Используемые методики:
   • Методика количественного размерно-морфологического анализа различных типов материалов и измерений характеристик электронной дифракционной картины в веществе с применением просвечивающего электронного микроскопа.
   • Компьютерная методика количественного анализа механических напряжений в гетероэпитаксиальных системах на основе обработки оцифрованных картин высокоразрешающей электронной микроскопии.
   • Методика компьютерного моделирования атомной структуры нанообъектов, кластерных и протяженных конфигураций дефектов структуры, границ раздела для построения теоретических высокоразрешающих электронно-микроскопических изображений и последующего сравнения с экспериментальными изображениями с целью получения достоверной информации об атомной структуре анализируемых объектов.
   • Методика препарирования планарных кристаллических образцов для просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, включающая химико-механическую полировку, химическое травление и термическое окисление.
   • Методика изготовления образцов поперечного сечения, основанная на ионном травлении тонких механических срезов склеенных структур, для изучения пространственного распределения, морфологии и атомной структуры нанообъектов, протяженных дефектов, границ раздела методами просвечивающей электронной микроскопии.
   • Оригинальная методика препарирования сложных химических соединений на основе А2В6 для просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, позволяющая изготовление планарных и поперечных сечений на основе химико-механического утонения.