Установка атомно-слоевого осаждения позволяет создавать наноразмерные, ультратонкие, конформные пленки с высокой однородностью, проводить широкий спектр процессов атомно-слоевого осаждения, включая осаждение оксидов, нитридов и металлов с помощью термической и плазменной обработки или их комбинации. В состав установки входит система контроля толщины осаждаемых слоев в реальном времени, удаленный источник связанной плазмы с параллельной конструкцией электродов, генератор азота. Установка обеспечивает сверхвысокую однородность толщины формируемых пленок на подложках диаметром до 200 мм. Количество источников для прекурсоров 6, из которых 3 с подогревом до 200ºС. Возможность контролируемого подогрева подложки до 400ºС.
Возможные исследования синтез пленок VOx и HfOx толщиной от нескольких нанометров до десятков и сотен нанометров, а также гетероструктур на основе данных материалов. Стандартный процесс синтеза пленки толщиной 40 нм занимает 1 день работы установки.
1. Модель: SI ALD LL
2. Производитель: SENTECH (Германия)
4. ФИО операторов: Багочюс Евгений Кястутисович, Лысенко Никита Игоревич.
