Перечень усовершенствованных и разработанных методик
В соответствии с приказом № 7-ОП от 01.04.2003 г. ЦКП оказывает услуги в проведении научно-исследовательских и диагностических работ и создании субмикронных и наноразмерных структур на основе следующих усовершенствованных и разработанных методик (свидетельства об аттестации используемых ЦКП измерительных методик от 06.02.14 г. можно посмотреть здесь):
НОВОЕ!- Методика измерений линейных размеров и количества слоев углеродных нанотрубок с применением высокоразрешающего просвечивающего электронного микроскопа
- Методика измерений линейных размеров углеродных нанотрубок на любых подложках с применением атомно-силового микроскопа
Измерительные методики
- Методика количественного морфологического анализа и измерений линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур с применением сканирующего электронного микроскопа.
- Методика количественного размерно-морфологического анализа различных типов материалов и измерений характеристик электронной дифракционной картины в веществе с применением просвечивающего электронного микроскопа, в том числе с учетом коррекции сферических аберраций.
- Методика количественного морфологического анализа и измерений линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур с применением сканирующего зондового микроскопа.
- Методика трехмерных измерений линейных размеров элементов структур микро и нанорельефа поверхности конденсированных сред с помощью мер нанометрового диапазона.
- Методика измерений распределения электрического потенциала по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
- Методика измерений распределения электростатического заряда по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
- Методика измерений распределения производной емкости (в относительных единицах) по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
- Методика измерений распределения намагниченности (в относительных единицах) по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
- Методика измерений микротвердости (в относительных единицах) поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
- Методика поверки атомно-силовых микроскопов посредством субнанометровой меры СТЕПП-ИФП-1
- Методика измерения линейных размеров нанорельефа на атомно-чистой поверхности полупроводников методом СТМ в сверхвысоком вакууме.
- Высокоточная методика измерений электрофизических характеристик функциональных микросистем 2 и 4 зондовым методом.
- Методика фазового кинетического контраста атомно-силовой микроскопии.
- Методика измерений распределения трения (в относительных единицах) по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
- Методика получения изображения рельефа оксида на поверхности кремния методом СТМ в сверхвысоком вакууме.
Аналитические методики
- Компьютерная методика количественного анализа механических напряжений в гетероэпитаксиальных системах на основе обработки оцифрованных картин высокоразрешающей электронной микроскопии.
- Методика компьютерного моделирования атомной структуры нонообъектов, кластерных и протяженных конфигураций дефектов структуры, границ раздела для построения теоретических высокоразрешающих электронно-микроскопических изображений и последующего сравнения с экспериментальными изображениями с целью получения достоверной информации об атомной структуре анализируемых объектов.
Методики препарирования
- Методика препарирования планарных кристаллических образцов для просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, включающая химико-механическую полировку, химическое травление и термическое окисление.
- Методика изготовления образцов поперечного сечения, основанная на ионном травлении тонких механических срезов склеенных структур, для изучения пространственного распределения, морфологии и атомной структуры нанообъектов, протяженных дефектов, границ раздела методами просвечивающей электронной микроскопии.
- Оригинальная методика препарирования сложных химических соединений на основе А2В6 для просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, позволяющая изготовление планарных и поперечных сечений на основе химико-механического утонения.
- Методика нанесения фоторезиста на различные полупроводниковые пластины.
- Методика последовательного совмещения слоев фотошаблонов после проявления резиста, травления пластины и нанесения металов.
- Методика взрывного нанесения металла через маску в резисте.
Методики наноструктурирования
- Методика проведения литографии, включая изготовление фотошаблонов, субмикронного диапазона с использованием электронно-лучевой литографии.
- Методика проведения оптической литографии.
- Методика наноструктурирования, основанная на электронной литографии сфокусированным электронным пучком на базе сканирующего электронного микроскопа.
- Методика наноструктурирования, основанная на прямом воздейсвтии сфокусированным ионным пучком на базе сканирующего электронного и ионного микроскопа.
- Методика модификации поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
- Методика создания и изучения полупроводниковых наноструктур на поверхности кремния методами эпитаксии в сверхвысоковакуумной камере СТМ.
- Методика управления морфологией поверхности кремния в условиях сублимации, эпитаксии и газовых реакций in-situ.
- Методика создания атомно-гладких поверхностей кремния большой площади.