Сверхвысоковакуумный сканирующий туннельный микроскоп STM VT OMICRON позволяет в сверхвысоковакуумных условиях получать атомное изображение поверхности металлов и полупроводников, в том числе кремния, посредством регистрации туннельного тока между зондом и близко подведенной к нему исследуемой поверхности. Предназначен для исследования элементарных структурных процессов на поверхности полупроводников и металлов для создания наносистем и новых материалов с уникальными свойствами.

- Марка — VT-STM.
- Производитель/страна — OMICRON, Германия.
- Технические характеристики:
- Остаточное давление в камере 10-11 Торр.
- Микроскоп оборудован титановым ионным насосом и турбомолекулярным насосом.
- Возможность нагрева образцов до 1500°С.
- Разрешающая способность микроскопа определяется разрешающей способностью иглы и соответствует размеру отдельного атома в латеральных направлениях и до 0,01 нм в вертикальном направлении.
- Дополнительная система позиционирования, позволяет проводить сканирование поверхности непосредственно после эпитаксии или сублимации.
- Микроскоп оборудован ячейками напуска кислорода и системой эпитаксиального напыления на поверхность кремния или германия.
- Местонахождение в ЦКП — Отделение тунельной микроскопии, НГУ.
- Год модернизации — 2008.
- Балансовая стоимость — 11900 тыс. руб.
- Предоставляемые услуги:
- Исследование морфологии и структуры поверхности твердотельных структур и оперативный контроль атомарных поверхностей методами сканирующей туннельной, атомно-силовой и электронной микроскопии.
- Проведение измерений линейных размеров элементов структур микро- и нанорельефа поверхности твердотельных материалов и биологических объектов в нанометровом диапазоне.
- Наноструктурирование нелитографическими методами посредством in-situ управления процессами самоорганизации структуры поверхности кристаллов в сверхвысоковакууумных условиях.
- Используемые методики:
- Методика измерения линейных размеров нанорельефа на атомно-чистой поверхности полупроводников методом СТМ в сверхвысоком вакууме.
- Методика получения изображения рельефа оксида на поверхности кремния методом СТМ в сверхвысоком вакууме.
- Методика создания и изучения полупроводниковых наноструктур на поверхности кремния методами эпитаксии в сверхвысоковакуумной камере СТМ.