C 2006 года под руководством академика РАН Александра Леонидовича Асеева и члена-корреспондента РАН Александра Васильевича Латышева функционирует научная школа "Атомные процессы и технологии твердотельных наносистем". Школа неоднократно последовательно получала право получения грантов Президента Российской Федерации для государственной поддержки ведущих научных школ: НШ-8401.2006.8, НШ-3766.2008.8, НШ-3884.2010.8, НШ-2968.2012.8., НШ-2138.2014.8, НШ-10211.2016.8.

Основными направлениями исследований в школе являются:

1) Развитие методов наноструктурирования поверхности с помощью современной электронной-, ионной- и зондовой литографии для изготовления твердотельных наноструктур из полупроводниковых, металлических и органических материалов;

2) Исследование особенностей атомного строения низкоразмерных систем с применением методов моделирования и цифровой обработки электронномикроскопических изображений с целью получения адекватной количественной информации об их структуре;

3) Развитие методов диагностики низкоразмерных систем в нанометровом и субнанометровом диапазоне;

4) Исследование элементарных структурных процессов в объеме и на поверхности кристаллов при формировании наноразмерных структур;

5) Изучение квантовых свойства наноструктурированных систем;

6) Разработка и создание низкоразмерных систем для бионаноматериалов.

Базовые результаты научной школы

• Самоорганизация собственных точечных дефектов в кристаллах Si и Ge

  

  Последовательные стадии роста {113} дефектов при in situ облучении электронами с энергией 1 МэВ

  
  

  

  Заполнение вакансионных дисков междоузельными атомами при in situ облучении ВРЭМ как новый тип протяженных дефектов в близкими к нулю векторами смещений

• Управление мофрологией поверхности полупроводников в нанометровом масштабе посредством эффектов самоорганизации