Состав отделения:

• Руководитель - в.н.с., к.ф.-м.н. А.К. Гутаковский, к.105, т.(383)3309082, Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
• в.н.с, к.ф.-м.н. Л.И. Федина
• с.н.с. к.ф.-м.н. В.И. Вдовин
• инженер С.А. Бацанов
• аспирант Недомолкина А.А.

Основное направление активности - определение атомных механизмов формирования поверхностных, объемных и на границах разделов дефектов в полупроводниках.

Отделение предоставляет следующие услуги:

• Исследования атомной структуры веществ методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии с корректором сферических аберраций, включая исследования на просвет планарных структур и поперечных сечений.
• Проведение измерений линейных размеров элементов структур микро- и нанорельефа поверхности твердотельных материалов и биологических объектов в нанометровом диапазоне.
• Препарирование образцов для проведения исследований методами высокоразрешающей электронной микроскопии основанных на утонении кристалла методами механической, химико-механической, химической и ионной обработки.
• Проведение компьютерного моделирования атомной структуры нанообъектов, кластерных и протяженных конфигураций дефектов структуры, границ раздела для построения теоретических высокоразрешающих электронно-микроскопических изображений и последующего сравнения с экспериментальными изображениями с целью получения достоверной информации об атомной структуре анализируемых объектов.
• Количественный анализ механических напряжений в гетероэпитаксиальных системах на основе обработки оцифрованных изображений высокоразрешающей электронной микроскопии.

Для проведения экспериментов в отделении разработаны и внедрены следующие методики:

• Методика препарирования планарных кристаллических образцов для просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, включающая химико-механическую полировку, химическое травление и термическое окисление.
• Методика изготовления образцов поперечного сечения, основанная на ионном травлении тонких механических срезов склеенных структур, для изучения пространственного распределения, морфологии и атомной структуры нанообъектов, протяженных дефектов, границ раздела методами просвечивающей электронной микроскопии.
• Оригинальная методика препарирования сложных химических соединений на основе А2В6 для просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, позволяющая изготовление планарных и поперечных сечений на основе химико-механического утонения.
• Компьютерная методика количественного анализа механических напряжений в гетероэпитаксиальных системах на основе обработки оцифрованных картин высокоразрешающей электронной микроскопии.
• Методика компьютерного моделирования атомной структуры нонообъектов, кластерных и протяженных конфигураций дефектов структуры, границ раздела для построения теоретических высокоразрешающих электронно-микроскопических изображений и последующего сравнения с экспериментальными изображениями с целью получения достоверной информации об атомной структуре анализируемых объектов.

Услуги предоставляются отделением с использованием следующего оборудования:

• Высокоразрешающий просвечивающий электронный микроскоп JEM-4000EX (JEOL).
• Аналитический высокоразрешающий электронный микроскоп с корректором аберраций объектива и приставками EDX и EELS .
• Установка для препарирования объектов для электронной микроскопии .