С использованием оборудования ЦКП "Наноструктуры" выполняются работы по следующим грантам и проектам:
- Физико-химические основы создания функциональных полупроводниковых наносистем (грант РНФ 19-72-30023 и грант РНФ 19-72-30023-продолжение) 2019-2025 гг.
- Физика и технология квантовых полупроводниковых структур по генерации и регистрации электромагнитного излучения (грант РНФ 23-72-30003) 2023-2026 гг.
- СЧ НИР "Создание и исследование селективных и широкополосных терагерцовых ФПУ на основе углеродных наноматериалов" (гос. контракт № 20411.1950192501.11.003) 2021-2024 гг.
- Крупный проект «Квантовые структуры для посткремниевой электроники», поддержанный в 2020-2022 гг. грантом Минобрнауки России по приоритетным направлениям научно-технологического развития РФ.
- НИР "Развитие технологии формирования системы электродов, необходимых для реализации кубитов на гетероструктурах Si/SiGe № Р2187", 2021-2024 гг.
- Гос. задание № 0242-2022-0007 "Технологии и атомистическая диагностика твердотельных наногетеросистем", 2022-2023 гг.
- «Разработка методов диэлектрофоретического выделения и адресной доставки аналита в диагностических Lab-on-Chip системах на основе нанопроволочных сенсоров» (грант РФФИ 18-29-02091)
- «In situ отражательная электронная микроскопия для изучения ван-дер-Ваальсового эпитаксиального роста селенидов металлов на поверхности кремния с контролируемой морфологией»(грант РНФ 18-72-10063)
- Гос. задание № 0306-2019-0011 «Структура и механизмы формирования поверхности, границ раздела и дефектов полупроводниковых наносистем»
- Гос. задание № 0306-2015-0018 «Особенности атомного строения многокомпонентных твердотельных и полупроводниковых нано-гетеросистем»
- Гос. задание № 0306-2018-0002 «Минералообразующие и флюидные системы мантии Земли в связи с генезисом алмазов (по природным и экспериментальным данным»
- Развитие элементной базы кремниевой фотоники для диапазона длин волн 0.4 – 3.0 мкм (Хоздоговор ИФП СО РАН № ИАПУ-ИФП-РНФ-2018)
- Разработка технологий и компонентов интегральной сверхвысокочастотной радиофотоники (Хоздоговор ИФП СО РАН №14.581.21.0026)
- In situ и ex situ высокоразрешающая аналитическая электронная микроскопия для изучения атомных процессов на поверхности, границах раздела и в объеме твердотельных низкоразмерных наносистем (грант РНФ №14-22-00143).
- Фото- и термоэлектрические явления в двумерных полуметаллах и топологических изоляторах на основе HgTe квантовых ям (грант РНФ №16-12-10041).
- In situ отражательная электронная микроскопия для изучения ван-дер-Ваальсового эпитаксиального роста селенидов металлов на поверхности кремния с контролируемой морфологией (грант РНФ №18-72-10063).
- Наногетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками (грант РНФ №14-12-00931).
- Исследование и разработка универсальной полупроводниковой памяти (грант РНФ №14-19-00192).
- Разработка аддитивных технологий создания элементной базы фотоники, нанофотоники и микро- наноэлектроники (грант РНФ №15-12-00050).
- 2D печатные технологии получения материалов и электронных устройств на основе графена (грант РНФ №15-12-00008).
- Электронные процессы в массивах квантовых точек графена в диэлектрической матрице фторографена при нестационарных внешних воздействиях (грант РФФИ № 15-02-02189)
- Полупроводниковые наногетероструктуры для высокоэффективных термофотовольтаических элементов (грант РНФ №16-12-00023).
- Формирование, кристаллическое строение и оптические свойства новых A3B5 гетероструктур, выращенных на Si подложке (грант РНФ №17-72-10038).
- Фундаментальные аспекты формирования нанокристаллов прямозонных и квазипрямозонных полупроводников в матрице кремния для интегральной кремниевой фотоники (грант РФФИ № 16-29-03240 офи_м).
- Атомные процессы формирования функциональных наноразмерных германий-кремниевых структур на ультра-гладких поверхностях кремния (грант РФФИ № 16-29-03240_А).
- Исследование морфологии поверхности кремния (001) при скомпенсированной сублимации в условиях электромиграции методами in situ сверхвысоковакуумной электронной микроскопии и ex situ атомно-силовой микроскопии (грант РФФИ № 16-32-60199 мол_а_дк)
- Управление оптическими свойствами полупроводниковых GeSi гетероструктур c квантовыми точками с помощью встроенных деформационных полей и деформаций, создаваемых внешними источниками (грант РФФИ № 16-29-14031 офи_м)
- Непрямозонные гетероструктуры первого рода (грант РФФИ № 16-02-00242)
- Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур на основе Ge-Si-Sn для многокаскадных солнечных элементов (грант РФФИ № 16-29-03292)
- Нормальный и аномальный эффект Холла в двумерном массиве квантовых точек (грант РФФИ № 16-02-00553)
- Влияние Sn на морфологию поверхности и структуру при эпитаксиальном росте соединений GeSiSn на Si(100) (грант РФФИ № 16-32-00039)
- Исследование закономерностей формирования прямозонного материала на основе соединений IV группы (грант РФФИ № 16-32-60005)
- Новые полупроводниковые низкоразмерные гетероструктуры: получение, кристаллическое строение, энергетический спектр (грант РФФИ № 16-32-60015)
- Получение и исследование резистивных переключений в 2D-напечатанных структурах металл/фторографен/металл на твердых и гибких подложках (грант РФФИ № 17-32-50033)
- Разработка эффективного цветного фильтра на основе кремниевых нанопилларов (грант РФФИ № 17-42-543293)
- Транспортный, микроволновый и терагерцовый отклик квантовых точечных контактов и длиннопериодных решеток антиточек на основе высокоподвижного двумерного электронного газа (грант РФФИ № 17-02-00384_А).
- Неравновесные явления в высокоподвижных двумерных электронных системах с периодической латеральной модуляцией (грант РФФИ № 18-02-00603_А).
- Эффекты усиления комбинационного рассеяния в гибридных наноструктурах полупроводник/металл (грант РФФИ № 18-02-00615_А).
- Мультиспектральное усиление и детектирование ИК поглощения в полупроводниковых и органических наноматериалах на массивах металлических наноантенн (грант РФФИ № 18-29-20066_мк).
- Гигантское комбинационное рассеяние света полупроводниковыми наноструктурами с нанометровым пространственным разрешением (грант РФФИ № 19-52-12041_ННИО_а).
Ранее выполняемые работы по развитию ЦКП "Наноструктуры" осуществлялись при финансовой поддержке государства в лице Минобрнауки России:
Проект № RFMEFI62114X00004 (cоглашение с Минобрнауки России в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы»о предоставлении субсидии № 14.621.21.0004 от «22» августа 2014 г.) - завершен.
Тема проекта: «Поддержка и развитие центра коллективного пользования научным оборудованием "НАНОСТРУКТУРЫ" в области индустрии наносистем, информационно-телекоммуникационных систем; транспортных и космических систем».
Цель проекта:
- Повышение эффективности выполнения перспективных междисциплинарных исследовательских проектов по приоритетным направлениям развития науки и технологий Российской Федерации и перспективных научных задач, в том числе в кооперации с ведущими мировыми научными и исследовательскими центрами.
- Реализация Программы развития ЦКП «Технологии наноструктурирования полупроводниковых, металлических, углеродных, биоорганических материалов и аналитические методы их исследования на наноуровне» (ЦКП "НАНОСТРУКТУРЫ") на 2014-2015 годы для повышение уровня сложности и расширение перечня выполняемых научно-технических услуг за счет обновления и модернизации материально-технической базы ЦКП, развития нормативно-методической, метрологической и информационной составляющих деятельности ЦКП.
Список организаций, которым оказаны услуги ЦКП:
- Национальный исследовательский Томский политехнический университет» Институт физики высоких технологий, г. Томск
- ЗАО «ВТА-комплект», г.Новосибирск
- ФГБУН Институт теплофизики СО РАН, г. Новосибирск
- Научно-исследовательский институт комплексных проблем сердечно-сосудистых заболеваний, г. Кемерово
- Technische Universitat Dortmund - Experimentelle Physik 2 - D44221 Dortmund - Germany
- Физико-технический институт ФГБОУ ВПО Иркутский государственный технический университет, г.Иркутск
- 000 НПФ "НАНОПОРОШКОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ", Новосибирск
- ФГБУН Институт геологии и минералогии СО РАН, Новосибирск
- ФГБУН Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН, Новосибирск
- ФГБУН Институт ядерной физики им. Г.И.Будкера СО РАН, Новосибирск
- ФГБУН Институт теоретической и прикладной механики им. С.А.Христиановича СО РАН, Новосибирск
- ФГБУН Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
- ФГБУН Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск
- ГБОУ ВПО «Сибирский государственный медицинский университет» Минздрава России, г.Томск
- Институт физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева НАН Украины, Киев, Украина
- ФГБОУ ВПО «Новосибирский Государственный Технический Университет, Новосибирск
- ФГБУН Конструкторско-технологический Институт научного приборостроения СО РАН, Новосибирск
- Обособленное структурное подразделение «Сибирский физико-технический институт им. академика В.Д.Кузнецова Томского государственного университета», г.Томск
- ФГБУН Институт Автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
- ФГБОУ ВПО «Новосибирский Государственный Технический Университет, Новосибирск
- Научно-исследовательский институт теоретической и экспериментальной физики Казахского национального университета им. аль-Фараби, Алма-Ата
- ООО "Международный научный центр по теплофизике и энергетике", Новосибирск
- ФГБУН Институт теплофизики им. С.С. Кутутеладзе, Новосибирск
- ООО Научно-производственная фирма "СИМЕКС", Новосибирск
- ООО "Кристалин", Барнаул
- ООО "Новосибирские нанотехнологии", Новосибирск
- ФГБУН Институт химической биологии и фундаментальной медицины, Новосибирск
- ФГБОУ ВПО Новосибирский государственный университет, Новосибирск
- Институт инженерной физики и радиоэлектроники Сибирского федерального университета, Красноярск
- ООО "Полупроводниковые материалы", Новосибирск
- ЗАО "Научное оборудование", Новосибирск
