Общее наименование Услуг ЦКП (далее УСЛУГ) - предоставление внешним пользователям услуг по использованию современных и дорогостоящих приборов, входящих в структуру ЦКП, для научно-исследовательских, технологических, методических, метрологических и учебных целей. бесконтактный контроль атомарных поверхностей методами атомно-силовой микроскопии.
Результатом предоставления Услуг являются новые знания, а именно, экспериментальные данные в научно-исследовательских работах, параметрические характеристики экспериментальные образцы в технологических работах, методические рекомендации и описание методов в методических работах, поверочные и калибровочные таблицы в метрологических работах и сертификаты обучения с программами обучения в учебных работах.
* Указан перечень типично используемого оборудования для выполнения услуги. В зависимости от конкретной задачи и типа образцов перечень услуг может быть дополнен или изменён в процессе обсуждения и составления технического задания к договору на оказание услуги.
№ услуги | Перечень услуг ЦКП "Наноструктуры" | № оборудования из перечня, задействованного в оказании услуги * |
Услуги по измерениям | ||
1 | Количественный морфологический анализ и измерения линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур с применением сканирующего электронного микроскопа. | 5 |
2 | Количественный размерно-морфологический анализ различных типов материалов и измерения характеристик электронной дифракционной картины в веществе с применением просвечивающего электронного микроскопа, в том числе с использованием коррекции сферических аберраций. | 1,2,6 |
3 |
Количественный морфологический анализ и измерения линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур с применением сканирующего зондового микроскопа. | 3,17 |
4 | Измерение линейных размеров элементов структур микро- и нанорельефа поверхности конденсированных сред с помощью мер нанометрового диапазона. | 3,17 |
5 | Измерение распределения электрического потенциала по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа. | 3,17 |
6 | Измерение распределения электростатического заряда по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа. | 3,17 |
7 | Измерение распределения производной ёмкости (в относительных единицах) по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа. | 3,17 |
8 | Измерение распределения намагниченности (в относительных единицах) по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа. | 3,17 |
9 | Измерение микротвёрдости (в относительных единицах) поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа. | 3,17 |
10 | Измерение линейных размеров нанорельефа на атомно-чистой поверхности полупроводников методом СТМ в сверхвысоком вакууме. | 9 |
11 | Получение фазового кинетического контраста от поверхности методом атомно-силовой микроскопии. | 3,17 |
12 | Измерение распределения трения (в относительных единицах) по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа. | 3 |
13 | Получение изображения рельефа оксида на поверхности кремния методом СТМ в сверхвысоком вакууме. | 9 |
14 | Анализ поверхности образцов с помощью оптического микроскопа, микроинтерферометра и конфокального микроскопа. | 13,14,17,19 |
15 | Обеспечение измерения линейных размеров нанообъектов методом компарирования оптическим и зондовым методам. | 17 |
16 | Исследование морфологии поверхности твердотельных и биологических нанообъектов с определением элементного состава методом сканирующей электронной микроскопии. | 7,15 |
Аналитические услуги | ||
1 | Компьютерный количественный анализ механических напряжений в гетероэпитаксиальных системах на основе обработки оцифрованных картин высокоразрешающей электронной микроскопии. | 1,2 |
2 | Компьютерное моделирование атомной структуры нанообъектов, кластерных и протяжённых конфигураций дефектов структуры, границ раздела для построения теоретических высокоразрешающих электронно-микроскопических изображений и последующего сравнения с экспериментальными изображениями с целью получения достоверной информации об атомной структуре анализируемых объектов. | 1,2 |
Услуги по препарированию и пробоподготовке | ||
1 | Изготовление образцов поперечного сечения, основанное на ионном травлении тонких механических срезов склеенных структур, для изучения пространственного распределения, морфологии и атомной структуры нанообъектов, протяжённых дефектов, границ раздела методами просвечивающей электронной микроскопии. | 7 |
2 | Проведение литографии, включая изготовление фотошаблонов, субмикронного диапазона с использованием электронно-лучевой литографии. | 4,12 |
3 | Проведение оптической литографии. | 10 |
4 | Наноструктурирование, основанное на электронной литографии остросфокусированным электронным пучком на базе сканирующего электронного микроскопа. | 4,12 |
5 | Наноструктурирование, основанное на прямом воздействии сфокусированным ионным пучком на базе сканирующего электронного и ионного микроскопа. | 7 |
6 | Модификация поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа. | 3,17 |
7 | Прецизионная полировка поверхностей различных образцов широким ионным пучком в высоковакуумных условиях. | 18 |
Услуги по разработке и созданию функциональных наноструктур | ||
1 | Создание и изучение полупроводниковых наноструктур на поверхности кремния методами эпитаксии в сверхвысоковакуумной камере СТМ. | 9 |
2 | Управление морфологией поверхности кремния в условиях сублимации, эпитаксии и газовых реакций in-situ. | 8 |
3 | Создание атомно-гладких поверхностей кремния большой площади. | 8 |
4 | Напыление тонких проводящих и диэлектрических слоёв. | 11 |
5 | Проведение синтеза наноструктур на основе полупроводниковых нитридов в условиях сверхвысокого вакуума и in situ анализ их физико-химических параметров. | 16 |
Нетиповые услуги ЦКП «Наноструктуры»: | ||
1 | Создание структур пониженной размерности для наноэлектроники и наномеханики на основе комплекса литографических методов включающих электронную, ионно-лучевую и зондовую литографию. | 3,4,7,12,18 |
2 | Оптическая литография для непосредственного формирования топологических структур на полупроводниковых пластинах и изготовления промежуточных шаблонов при производстве БИС, СБИС и других изделий электронной техники. | 10 |
3 | Исследования атомной структуры веществ методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии с корректором сферических аберраций, включая исследования на просвет планарных структур и поперечных сечений. | 1 |
4 | Проведение измерений линейных размеров элементов структур микро- и нанорельефа поверхности твердотельных материалов и биологических объектов в нанометровом диапазоне. | 3,17 |
5 | Препарирование образцов для проведения исследований методами высокоразрешающей электронной микроскопии основанных на утонении кристалла методами механической, химико-механической, химической и ионной обработки. | 1,2,6 |
6 | Анализ химического состава приповерхностного слоя методами EDX на базе сканирующей электронной микроскопии. | 1,5,15 |
7 | Исследование морфологии и структуры поверхности твердотельных структур и оперативный контроль атомарных поверхностей методами сканирующей туннельной, атомно-силовой и электронной микроскопии. | 3,5,7,9,15 |
8 | Исследования атомной структуры веществ методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и проведение компьютерного моделирования атомной структуры нанообъектов, кластерных и протяжённых конфигураций дефектов структуры, границ раздела для построения теоретических высокоразрешающих электронно-микроскопических изображений и последующего сравнения с экспериментальными изображениями с целью получения достоверной информации об атомной структуре анализируемых объектов. | 1,2 |
9 | Исследования атомной структуры веществ методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и количественный анализ механических напряжений в гетероэпитаксиальных системах на основе обработки оцифрованных изображений высокоразрешающей электронной микроскопии. | 1,2 |
10 | Наноструктурирование нелитографическими методами посредством in-situ управления процессами самоорганизации структуры поверхности кристаллов в сверхвысоковакуумных условиях. | 8 |