Основа комплекса — система Q150T ES (Quorum, Германия) — универсальная вакуумная система, позволяющая получать пленки металлов методами термического испарения и катодного распыления материалов, а также углеродные пленки методом вакуумно-дугового испарения графита, и система PIPS™(Precision Ion Polishing System) модели 691 фирмы GATAN, которая является прецизионным устройством для пробоподготовки путем ионного травления образцов тонких фольг различных материалов ионным пучком и предназначена для создания в них лунки с целью утонения образца до получения сквозного отверстия для последующего исследования подготовленных образов в просвечивающем электронном микроскопе.

1. Марка — Q150T ES.
2. Производитель/страна — Quorum, Германия.
3. Местонахождение в ЦКП — Отделение высокоразрешающей электронной микроскопии и Отделение пробоподготовки, к. 109.
4. Год модернизации — 2013.
5. Балансовая стоимость — 1 300 тыс. руб.

1. Марка — PIPS™(Precision Ion Polishing System) модель 691
2. Производитель/страна — GATAN, США.
3. Технические характеристики:
   • Ионные пушки: две ионные пушки Пеннинга с миниатюрными постоянными редкоземельными магнитами.
   • Угол травления: от +10° до -10°, угол наклона каждой ионной пушки может регулироваться независимо.
   • Энергия ионного пучка: от 1,5 кэВ до 6 кэВ.
   • Диаметр пучка: 350 мкм (ширина на полувысоте интенсивности) при 5 кэВ, 800 мкм (ширина на полувысоте интенсивности) при 5 кэВ для пушек с широким ионным пучком.
   • Плотность ионного тока: 10 мA/см²(пиковое значение).
   • Юстировка пучка: прецизионная юстировка пучка с помощью флюоресцентного экрана.
   • Размер образцов: до 3 мм.
   • Крепление образцов: запатентованный держатель DuoPost.
4. Местонахождение в ЦКП — Отделение высокоразрешающей электронной микроскопии и Отделение пробоподготовки, к. 120.
5. Год модернизации — 2010.
6. Балансовая стоимость — 4500 тыс. руб.
7. Предоставляемые услуги:
   • Исследования атомной структуры веществ методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии с корректором сферических аберраций, включая исследования на просвет планарных структур и поперечных сечений.
   • Препарирование образцов для проведения исследований методами высокоразрешающей электронной микроскопии, основанных на утонении кристалла методами механической, химико-механической, химической и ионной обработки.
8. Используемые методики:
   • Методика препарирования планарных кристаллических образцов для просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, включающая химико-механическую полировку, химическое травление и термическое окисление.
   • Методика изготовления образцов поперечного сечения, основанная на ионном травлении тонких механических срезов склеенных структур, для изучения пространственного распределения, морфологии и атомной структуры нанообъектов, протяженных дефектов, границ раздела методами просвечивающей электронной микроскопии.
   • Оригинальная методика препарирования сложных химических соединений на основе А2В6 для просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, позволяющая изготовление планарных и поперечных сечений на основе химико-механического утонения.