Новости
22.10.2015
21 октября 2015г. в рамках круглого стола на конференции «Центры коллективного пользования и уникальные научные установки в организациях, подведомственных ФАНО России», руководитель ЦКП «Наноструктуры» А.В. Латышев прочитал доклад «Критерии, требования и правила функционирования ЦКП (Предложения по развитию сети ЦКП ФАНО)».
21.10.2015
20 октября 2015г. в рамках конференции «Центры коллективного пользования и уникальные научные установки в организациях, подведомственных ФАНО России», г.Москва руководитель ЦКП «Наноструктуры» А.В. Латышев прочитал доклад «Опыт работы Ассоциации ЦКП Сибирского отделения Российской академии наук».
15.10.2015
Проведены электронномикроскопические исследования структуры DLC-пленок на кремниевых подложках. Заказчик ИТиПМ СО РАН.
14.09.2015
Опубликована статья "Critical behavior at a dynamic vortex insulator-to-metal transition". N.Poccia, T.I.Baturina, et al. Science 09/2015; 349(6253):1202-5. DOI:10.1126/science.1260507.
11.09.2015
Доклады "Formation of periodic structure with photonic band gap by scanning electron lithography" Уткин Д.Е. и др., "Conductive DPN-fabricated indium nanowires on silicon surface" Кожухов А.С. и др., отмечены грамотами за лучшие доклады на 3-ей международной Школе-семинаре молодых ученых "Фотоника нано- и микроструктур (ФНМС-2015)", 7-11 сентября 2015 г., Томск.
10.09.2015
Представлены научные доклады "2D-islands Nucleation on Si(111) at High Temperature During Sublimation and Thermal Etching by O2",""Two-dimensional Si/Si(111)-(7?7) nucleation affected by step permeability and sink to atomic steps" на 5-й Европейской конференции по росту кристаллов "ECCG5", 9-11 сентября 2015 г., Болония, Италия.
04.09.2015
Методом высокоразрешающей электронной литографии изготовлен тестовый образец с наноструктурированными диэлектрическими слоями диэлектрика. Заказчик ИТПЭ РАН.
20.08.2015
Опубликована статья "Giant microwave photo-conductance of a tunnel point contact with a bridged gate", A. D. Levin et al., Appl. Phys. Lett. 107, 072112 (2015)
14.08.2015
В рамках международного сотрудничества с Институтом полупроводников Академии наук Китая проведены исследования механизмов пластической релаксации в буферных слоях AIIIBV при молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках с целью выявления путей уменьшения плотности прорастающих дислокаций.
16.07.2015
Опубликована статья "Интерференция соизмеримых и индуцированных микроволновым излучением осцилляций магнетосопротивления двумерного электронного газа в одномерной латеральной сверхрешетке", Быков А.А. и др., ПЖЭТФ 101, 10, с.781.