ПУБЛИКАЦИИ
2008
Статьи в рецензируемых журналах
- А.А. Французов, Н.И. Бояркина, В.П. Попов. Снижение подвижности электронов в канале металл-окисел-полупроводник транзистора при уменьшении длины затвора. ФТП, т. 42, в. 2, с. 215-219, 2008.
- А.Н. Карпов, Д.В. Марин, В.А. Володин, J. Jedrzejewski, Г.А. Качурин, E. Savir, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая, Y. Goldstein, I. Balberg. Формирование SiOx-слоев при плазменном распылении Si- и SiO2-мишеней. ФТП, 2008, т. 42, в. 6, стр. 747-752.
http://journals.ioffe.ru/ftp/2008/06/page-747.html.ru - G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, D.V. Marin, R.A. Yankov and M. Deutschmann. Formation of light-emitting Si nanostructures in SiO2 by pulsed anneals. Nanotechnology 19 (2008) 355305 (5pp).
- O.V. Naumova, Y.V. Nastaushev, S.N. Svitasheva, L.V. Sokolov, P. Werner, N.D. Zakharov, T.A. Gavrilova, F.N. Dultsev, and A.L. Aseev. MBE-grown Si whisker structures: morphological, optical and electrical properties. Nanotechnology, 19 (2008) 225708 (5pp).
- Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Володин, Д.В. Марин, M. Deutschmann. Действие мощных нано- и фемтосекундных лазерных импульсов на кремниевые наноструктуры. ФТП, 2008, т. 42, в. 2, стр. 181-186.
- Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, Д.В. Марин, А.К. Гутаковский, А.Г. Черков, В.А. Володин. Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации в нанокристаллы кремния. ФТП, 2008, т. 42, в. 9, стр. 1145-1149.
- I.E. Tyschenko, A.G. Cherkov, M. Voelskow, and V.P. Popov. Crystallization of InSb phase near the bonding interface of silicon-oninsulator structure. Solid State Phenomena Vols. 131-133 (2008) pp. 137-142.
- I.E. Tyschenko, A.G. Cherkov, M. Voelskow, and V.P. Popov. SiGe heterostructures-on-insulator produced by Ge+-ion implantation and subsequent hydrogen transfer. Solid State Phenomena Vols. 131-133 (2008) pp. 143-147.
- V.A. Shvets, I.E. Tyschenko, S.I. Chikichev, V.Yu. Prokopiev. Real-time ellipsometric study of Ge+ ion implanted SiO2 layers during fast annealing. Phys. Stat. Sol. (c). v. 5, № 5, (2008), pp. 1287-1289.
- I.E. Tyschenko, M. Voelskow, A.G. Cherkov, V.P. Popov. The properties of the nanometer thick Si/Ge films-on-insulator produced by Ge+ ion implantation and subsequent hydrogen transfer. Phys. Stat. Sol. (c). v. 5, № 12, (2008), pp. 3724-3727.