ПУБЛИКАЦИИ



2006

Монографии

  1. Ю.Г. Сидоров, А.И. Торопов, В.В. Шашаки, В.Н. Овссюк, В.А. Гайслер, А.К. Гутаковский, А.В. Латышев, В.А. Ткаченко, А.В. Двуреченский, О.П. Пчеляков, В.Я. Принц, В.П. Попов, А.Л. Асеев. Развитие нанотехнологий и их применение для разработки устройств полупроводниковой технологии. с. 248-263. Атомная структура полупроводниковых слоёв/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2006, 292 с. ISBN 5-7692-0841-4.
  2. T.V. Perevalov, A.V. Shaposhnikov, V.M. Tapilin , K.A. Nasyrov, D.V. Gritsenko, V.A. Gritsenko, Electronic Structure of ZrO2 and HfO2, Chapter in Book "Defects in High-k Gate Dielectric Stacks", ed. by E. Gusev, Springer, 2006.

Статьи в рецензируемых журналах

  1. I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, A.G. Cherkov, V.P. Popov, A. Misiuk, and R.A. Yankov. «Wavelength-selective enhancement of the intensity of visible photoluminescence in hydrogen-ion-implanted silicon-on-insulator structures annealed under high pressure», Appl. Phys. Lett. 89, 013106(1-3), 2006.
  2. И.Е. Тысченко, К.С. Журавлев, А.Б. Талочкин, В.П. Попов «Особенности фотолюминесценции в структурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами водорода», ФТП, т. 40, в. 4, с. 426-433, 2006.
  3. Vladimir P. Popov, Ida E. Tyschenko, Alexander G. Cherkov, and Matthias Voelskow. «Silicon-Germanium Heterostructure-on-Insulator Formed by Ge+ Ion Implantation and Hydrogen Transfer», ECS Trans. 3, (7) pp. 303-307, 2006.
  4. Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Володин, Д.В. Марин, Д.И. Тетельбаум, H. Becker. Термический и импульсный лазерный отжиги нанокристаллов Si, имплантированных ионами бора. ФТП, т. 40, в. 1, с. 75-81, 2006.
  5. O.V. Naumova, E.V. Vohmina, T.A. Gavrilova, N.V. Dudchenko, D.V. Nikolaev, E.V. Spesivtsev, V.P. Popov. Properties of silicon nanolayers on insulator. Materials Science and Engineering, В, v. 133, no. 3. p. 328, 2006.