ПУБЛИКАЦИИ
2006
Монографии
- Ю.Г. Сидоров, А.И. Торопов, В.В. Шашаки, В.Н. Овссюк, В.А. Гайслер, А.К. Гутаковский, А.В. Латышев, В.А. Ткаченко, А.В. Двуреченский, О.П. Пчеляков, В.Я. Принц, В.П. Попов, А.Л. Асеев. Развитие нанотехнологий и их применение для разработки устройств полупроводниковой технологии. с. 248-263. Атомная структура полупроводниковых слоёв/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2006, 292 с. ISBN 5-7692-0841-4.
- T.V. Perevalov, A.V. Shaposhnikov, V.M. Tapilin , K.A. Nasyrov, D.V. Gritsenko, V.A. Gritsenko, Electronic Structure of ZrO2 and HfO2, Chapter in Book "Defects in High-k Gate Dielectric Stacks", ed. by E. Gusev, Springer, 2006.
Статьи в рецензируемых журналах
- I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, A.G. Cherkov, V.P. Popov, A. Misiuk, and R.A. Yankov. «Wavelength-selective enhancement of the intensity of visible photoluminescence in hydrogen-ion-implanted silicon-on-insulator structures annealed under high pressure», Appl. Phys. Lett. 89, 013106(1-3), 2006.
- И.Е. Тысченко, К.С. Журавлев, А.Б. Талочкин, В.П. Попов «Особенности фотолюминесценции в структурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами водорода», ФТП, т. 40, в. 4, с. 426-433, 2006.
- Vladimir P. Popov, Ida E. Tyschenko, Alexander G. Cherkov, and Matthias Voelskow. «Silicon-Germanium Heterostructure-on-Insulator Formed by Ge+ Ion Implantation and Hydrogen Transfer», ECS Trans. 3, (7) pp. 303-307, 2006.
- Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Володин, Д.В. Марин, Д.И. Тетельбаум, H. Becker. Термический и импульсный лазерный отжиги нанокристаллов Si, имплантированных ионами бора. ФТП, т. 40, в. 1, с. 75-81, 2006.
- O.V. Naumova, E.V. Vohmina, T.A. Gavrilova, N.V. Dudchenko, D.V. Nikolaev, E.V. Spesivtsev, V.P. Popov. Properties of silicon nanolayers on insulator. Materials Science and Engineering, В, v. 133, no. 3. p. 328, 2006.