Лаборатория физических основ материаловедения кремния

ПУБЛИКАЦИИ



2007

Монографии

  1. В.П. Попов, А.Л. Асеев, А.А. Французов, М.А. Ильницкий, Л.Н. Сафронов, О.В. Наумова, Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, В.М. Кудряшов, Л.В. Литвин. Разработка нанотранзисторов на структурах кремний-на-изоляторе для нового поколения элементной базы микроэлектроники, с. 337-362. В кн.: Нанотехнологии в полупроводниковой электронике. - 2-е изд., стер. - Новосибирск : Изд-во Сиб. отд-ния РАН, 2007. - 367 с. : - ISBN 978-5-7692-0963-5.
  2. V. Popov, I. Tyschenko, A. Cherkov, M. Woelskov “Nanoscaled semiconductor heterostructures for CMOS transistors formed by ion implantation and hydrogen transfer” In "Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices", S Hall et al. (eds), Springer, pp. 59-72, 2007.
  3. Yakov Roizin, Vladimir Gritsenko, ONO Structures in Modern Microelectronics. Material Science, Characterization and Application, Chapter in book "Dielectric Films for Advanced Microelectronics", Eds. by M. R. Baklanov, M. Greeen, K. Maex, Wiley&Sons, 2007.

Статьи в рецензируемых журналах

  1. О.В. Наумова, М.А. Ильницкий, Л.Н. Сафронов, В.П. Попов. КНИ-нанотранзисторы с двумя независимо управляемыми затворами, ФТП, т. 41, в. 1, с. 104-111 (2007).
  2. И.Е. Тысченко, М. Фёльсков, А.Г. Черков, В.П. Попов. Поведение германия, имплантированного в SiO2 вблизи границы сращивания структуры кремний-на-изоляторе. ФТП, т. 41, в. 3, с. 301-306, 2007.
  3. V. Popov, I. Tyschenko, A. Cherkov, M. Woelskov “Nanoscaled semiconductor heterostructures for CMOS transistors formed by ion implantation and hydrogen transfer” In "Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices", S Hall et al. (eds), Springer, pp. 59-72, 2007.
  4. I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, E.M. Bagaev, A.G. Cherkov, V.P. Popov. A. Misiuk, R.A. Yankov. Formation of a resonant microcavity in hydrogen ion-implanted silicon-on-insulator structures. Journ. Appl. Phys., vol. 102, no. 7, 074312 (10), 2007.
  5. Володин В.А., Ефремов М.Д., Качурин Г.А., Черков А.Г., Deutschmann M., Baersch N. Фазовые переходы в пленках a-Si:H на стекле при воздействии мощных фемтосекундных импульсов: проявление нелинейных и нетермических эффектов. Письма в ЖЭТФ, т. 86, в. 2, с. 128-131, 2007.
  6. V.P. Popov, I.E. Tyschenko and A.G. Cherkov. Advanced Heterostructure Si-InSb on Insulator Formed by Hydrogen Transfer of Bonded Si Layer and SiO2 Film. ECS Trans. 6, (4) 345 (2007).
  7. V.P. Popov, I.E. Tyschenko and A.G. Cherkov. Nanoscaled Silicon Based Heterostructures Formed by Interface Mediated Endotaxy. ECS Trans. 6, (1) 87 (2007).
  8. Г.П. Похил, В.П. Попов, М.А. Ильницкий, В.Б. Фридман, Исследование возможной зарядовой бистабильности водородного дефекта Н*2. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 4, с. 11-15, 2007.