Лаборатория физических основ материаловедения кремния

ПАТЕНТЫ

  1. Гриценко В.А., Алиев В.Ш., Исламов Д.Р., Воронковский В.И. Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта. Патент на изобретение Российской Федерации № RU2611580. Приоритет от 02.11.2015, Б.И. 2017 №7.

  2. Красников Г.Я, Орлов О.М., Гриценко В.А., Новиков Ю.Н. Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого запоминающего устройства. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2584728. Приоритет от 22.04.2015, Б.И. 2016 №14.

  3. Жанаев Э.Д., Дудченко Н.В., Антонов В.А., Попов А.И., Попов В.П. Способ изготовления структур кремний-на-сапфире. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2538352. Приоритет от 11.06.2013, Б.И. 2015 №1

  4. Гриценко В.А. Резистивный флэш элемент памяти. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2516771, приоритет от 23.10.2012, Б.И. 2014 № 14

  5. Тысченко И.Е. Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2498450, приоритет от 26.04.2012, Б.И. 2013 № 31.

  6. Тысченко И.Е. Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2497231, приоритет от 19.04.2012, Б.И. 2013 № 30.

  7. Попов В.П., Тысченко И.Е., Дудченко Н.В. Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2382437, приоритет от 18.08.2008, Б.И. 2010 № 5.

  8. Попов В.П., Тысченко И.Е. Способ изготовления структуры кремний на изоляторе. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2368034, приоритет от 13.05.2008, Б.И. 2009 № 26.

  9. Настаушев Ю.В., Наумова О.В., Девятова С.Ф., Попов В.П. Способ изготовления наносенсора. Патент на изобретение РФ № 2359359, приоритет от 15.11.2007, Б.И. 2009 № 11.

  10. Попов В.П., Тысченко И.Е. Способ изготовления гетероструктуры. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2301476, приоритет от 08.02.2006, Б.И. 2007 № 17.

  11. Антонова И.В., Дудченко Н.В., Николаев Д.В., Попов В.П. Способ изготовления структур кремний-на-изоляторе. Патент № RU 2265255. Опубл. в Б.И. 2005, №13.

  12. Настаушев Ю.В., Наумова О.В., Попов В.П. Полевой нанотранзистор. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2250535, приоритет от 14.08.2003, Б.И. 2005 № 4.

  13. Попов В.П. Способ изготовления гетероструктуры. Патент № RU 2244984. Опубл. в Б.И. 2005, №2.

  14. Попов В.П., Тысченко И.Е. Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2217842, приоритет от 14.01.2003, Б.И. 2003 № 33.

  15. Антонова И.В., Попов В.П., Мисюк А., Ратайчак Я. Способ уменьшения структурных нарушений, формирующихся при отжиге кремния, имплантированного кислородом (структуры типа SIMOX). Патент № RU 2166814, приоритет от 27.03.2000. Получен в январе 2001 г.

  16. A. Misiuk, J. Ratajczak, I.V. Antonova, V.P. Popov. Способ уменьшения структурных нарушений, формирующихся при отжиге кремния, имплантированного кислородом. Польский патент №335499 от 20.09.99 г.

  17. Попов В.П., Антонова И.В., Стась В.Ф., Миронова Л.В. Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе. Патент РФ №99120527/28(021735) от 28.09.99 г.