ПАТЕНТЫ

  1. Жанаев Э.Д., Дудченко Н.В., Антонов В.А., Попов А.И., Попов В.П. Способ изготовления структур кремний-на-сапфире. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2538352. Приоритет от 11.06.2013, Б.И. 2015 №1

  2. Гриценко В.А. Резистивный флэш элемент памяти. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2516771, приоритет от 23.10.2012, Б.И. 2014 № 14

  3. Тысченко И.Е. Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2498450, приоритет от 26.04.2012, Б.И. 2013 № 31.

  4. Тысченко И.Е. Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2497231, приоритет от 19.04.2012, Б.И. 2013 № 30.

  5. Попов В.П., Тысченко И.Е., Дудченко Н.В. Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2382437, приоритет от 18.08.2008, Б.И. 2010 № 5.

  6. Попов В.П., Тысченко И.Е. Способ изготовления структуры кремний на изоляторе. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2368034, приоритет от 13.05.2008, Б.И. 2009 № 26.

  7. Настаушев Ю.В., Наумова О.В., Девятова С.Ф., Попов В.П. Способ изготовления наносенсора. Патент на изобретение РФ № 2359359, приоритет от 15.11.2007, Б.И. 2009 № 11.

  8. Попов В.П., Тысченко И.Е. Способ изготовления гетероструктуры. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2301476, приоритет от 08.02.2006, Б.И. 2007 № 17.

  9. Антонова И.В., Дудченко Н.В., Николаев Д.В., Попов В.П. Способ изготовления структур кремний-на-изоляторе. Патент № RU 2265255. Опубл. в Б.И. 2005, №13.

  10. Настаушев Ю.В., Наумова О.В., Попов В.П. Полевой нанотранзистор. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2250535, приоритет от 14.08.2003, Б.И. 2005 № 4.

  11. Попов В.П. Способ изготовления гетероструктуры. Патент № RU 2244984. Опубл. в Б.И. 2005, №2.

  12. Попов В.П., Тысченко И.Е. Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2217842, приоритет от 14.01.2003, Б.И. 2003 № 33.

  13. Антонова И.В., Попов В.П., Мисюк А., Ратайчак Я. Способ уменьшения структурных нарушений, формирующихся при отжиге кремния, имплантированного кислородом (структуры типа SIMOX). Патент № RU 2166814, приоритет от 27.03.2000. Получен в январе 2001 г.

  14. A. Misiuk, J. Ratajczak, I.V. Antonova, V.P. Popov. Способ уменьшения структурных нарушений, формирующихся при отжиге кремния, имплантированного кислородом. Польский патент №335499 от 20.09.99 г.

  15. Попов В.П., Антонова И.В., Стась В.Ф., Миронова Л.В. Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе. Патент РФ №99120527/28(021735) от 28.09.99 г.