ПУБЛИКАЦИИ
2011
Монографии
- V.P. Popov, O.V. Naumova, Yu.D. Ivanov. Universal sensing platform of SOI nanowire transistor matrix for femtomole electronic bio and chemical sensors. In: “Semiconductor-On-Insulator Materials for NanoElectonics Applications” Eds. J.-P. Colinge, A.N. Nazarov, F. Balestra and others://Springer, 2011, p. 352-363.
- В.А. Гриценко, А.П. Елисеев, М.В. Иванов, И.К. Игуменов, В.В. Каичев, А.А. Карпушин, Н.Б. Морозова, К.А. Насыров, С.С. Некрашевич, Ю.Н. Новиков, Т.В. Перевалов, В.А. Пустоваров, А.А. Расторгуев, Т.П. Смирнова, В.Н. Снытников, А.Н. Сорокин, В.О. Стояновский, "Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах", Ред. А.Л. Асеев, В.А. Гриценко. Издательство СО РАН, 2011, серия Интеграционные проекты, вып. 31. ISBN 978-5-7692-1183-6.
- Yu.N. Novikov “Chapter 2 - The FLASH Memory Based on Silicon Nitride (SONOS)” pp. 35-66, (2011) book “Horizons in Computer Science Research”. Volume 2, Nova Publisher, NY, 2011. ISBN: 978-1-61761-439-2.
адрес в Интернете: https://www.novapublishers.com/catalog/product_info.php?products_id=17127.
Статьи в рецензируемых журналах
- V.P. Popov, M.A. Ilnitsky. Model of Nonuniform Channel for the Charge Carrier Transport in Nanoscale FETs. Advanced Mater., vol. 276 (2011) pp. 59-65; ISBN: 978-3-03785-178-4.
- V.P. Popov, L.N. Safronov, O.V. Naumova, D.V. Nikolaev, Yu.N. Palyvanov, I.N. Kupriyanov. Diamond – Graphite Heterostructures Formed by Nitrogen and Hydrogen Implantation and Annealing. Advanced Mater., vol. (2011) p. 27-33; ISBN: 978-3-03785-178-4.
- И.Е. Тысченко, В.П. Попов. Структуры кремний-на-изоляторе с азотированным захороненным слоем SiO2: метод создания и свойства. ФТП, т. 45, в. 3, 2011, с. 335-342.
- В.А. Антонов, Е.В. Спесивцев, И.Е. Тысченко. Анодное окисление нанометровых слоев Si в структурах кремний-на-изоляторе. ФТП, т. 45, в. 8, 2011, с. 1121-1125.
- I.E. Tyschenko, V.A. Volodin. Visible light-emitting hydrogenated nanocrystalline silicon-on-insulator films: formation and properties. Solid State Phenomena, v. 178-179, 2011, pp. 453-458.
- I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, V.P. Popov. Radiative recombination in silicon-on-insulator layers implanted with high dose of H+ ions. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. V. ???, 2011.
- O.V. Naumova, B.I. Fomin, N.F. Malyarenko, and V.P. Popov. Modification and characterization of the surface of SOI nanowire sensors.- J. NanoRes., 2012, v. 18-19, p. 139-147.
- O.V. Naumova, Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, F.N. Dultsev, L.V. Sokolov, A.L. Aseev. Properties of Si nanowhiskers coated with TiOx and TiONx layers. Nanoscience and Nanotechnology.
- Yu.N. Novikov, V.A. Gritsenko. Short-range order in amorphous SiOx by x-ray photoelectron spectroscopy. Appl. Phys. 110, pp. 0141071-0141074, 2011.
- S.S. Nekrashevich, V.A. Gritsenko. Electronic structure of silicon oxynitride: Ab-initio and experimental comparison with silicon nitride, accepted by J. Appl. Phys, 2011.
- V.A. Gritsenko, H. Wong. Atomic and Electronic Structure of Traps in Silicon Oxide and Silicon Oxynitride, Critical Review in Solid State and Material Sciences, v. 36, p. 129-147, 2011.
- M. Ivanov, T.V. Perevalov, V.S. Aliev, V.A. Gritsenko, V.V. Kaichev. Electronic Structure of d-Ta2O5 with oxygen vacancy: ab initio calculation and comparison with experiment. J. Appl. Phys. v. 110, p. 024115 (1-5), 2011.
- V.A. Pustovarov, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, T.P. Smirnova, A.P. Yelisseev. Oxygen Vacancy in Al2O3: Photoluminescence Study and First Principle Simulation, Thin Solid films, v. 519, p. 6319-6323, 2011.
- С.С. Некрашевич, А.В. Шапошников, В.А. Гриценко. Изучение атомной и электронной структуры аморфного нитрида кремния и дефектов в нём. Письма в ЖЭТФ, т. 94, № 3, c. 220-223, 2011.
- K.A. Nasyrov, V.A. Gritsenko. Charge transport in dielectrics via tunneling between traps, J. Appl. Phys. v. 109, p. 097705 (2011).
- V.A. Gritsenko, V.A. Nadolinny, K.S. Zhuravlev, J.B. Xu, and H. Wong. Quantum Confinement and Electron Spin Resonance Characteristics in Si-implanted Silicon Oxide Films. J. Appl. Phys. v.109, p.084502, 2011.
- С.С. Шаймеев, В.А. Гриценко. Вигнеровская кристаллизация электронов, локализованных на глубоких ловушках в двумерном аморфном диэлектрике, принят в ФТТ, т. 53, вып.4, с. 803-806, 2011.
- К.А. Насыров, В.А. Гриценко. Перенос заряда в диэлектриках туннелированием между ловушками, ЖЭТФ, т. 139, вып 6, с. 1172-1181, 2011.
- М.В. Иванов, Т.В. Перевалов, В.Ш. Алиев, В.А. Гриценко, В.В. Каичев. Моделирование электронной структуры δ-Ta2O5 с кислородной вакансией из первых принципов и сравнение с экспериментом, ЖЭТФ, т. 139, вып. 6, с. 1182-1189, 2011.
- Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко. Электронная структура рутила TiO2 с вакансиями кислорода: расчеты из первых принципов и сравнение с экспериментом, ЖЭТФ, т. 139, вып. 2, с. 359-366, 2011.
- S.S. Shaimeev, V.A. Gritsenko, H. Wong. Wigner crystallization due to electrons localized at deep traps in two-dimensional amorphous dielectric. Appl. Phys. Lett. v. 96, p. 263510. 2011.
- D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, C.H. Cheng, A. Chin. Bipolar conductivity in amorphous HfO2, Appl. Phys. Lett. v. 99, p. 072109, 2011.
- С.Г. Черкова, Г.А. Качурин, В.Г. Кеслер, В.А. Володин, Д.В. Марин, В.А. Скуратов. Радиационно-стимулированный синтез светоизлучающих Si-наноструктур в стехиометрическом SiO2 под действием тяжелых ионов высокой энергии. Известия высших учебных заведений. Физика. 2011, т. 54, № 1/3, стр. 324-326.
- Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, Д.В. Марин, В.Г. Кеслер, В.А. Скуратов, А.Г. Черков. Влияние состава слоев SiOx на формирование в них светоизлучающих наноструктур Si под действием быстрых тяжелых ионов. ФТП 2011 , т. 45, в. 3, стр. 419-424.
- Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Скуратов, Д.В. Марин, В.Г. Кеслер, В.А. Володин. Формирование светоизлучающих наноструктур в слоях стехиометрического SiO2 при облучении тяжелыми ионами высоких энергий. ФТП 2011, т. 45, в. 10, стр. 1363-1368.
- G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, D.V. Marin, V.G. Kesler, V.A. Volodin and V.A. Skuratov. Light-emitting Si nanostructures formed by swift heavy ions in stoichiometric SiO2 layers. Nucl. Instr. Meth. B, 2011 (в печати).
- Н.Н. Овсюк, Venu Mankad, Sanjeev K. Gupta, Prafulla K. Jha, Г.А. Качурин. Особенности формирования нанокристаллов кремния при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Si. Известия РАН. Серия физическая, 2011, том 75, № 5, стр. 644–647.