ПУБЛИКАЦИИ



2011

Монографии

  1. V.P. Popov, O.V. Naumova, Yu.D. Ivanov. Universal sensing platform of SOI nanowire transistor matrix for femtomole electronic bio and chemical sensors. In: “Semiconductor-On-Insulator Materials for NanoElectonics Applications” Eds. J.-P. Colinge, A.N. Nazarov, F. Balestra and others://Springer, 2011, p. 352-363.
  2. В.А. Гриценко, А.П. Елисеев, М.В. Иванов, И.К. Игуменов, В.В. Каичев, А.А. Карпушин, Н.Б. Морозова, К.А. Насыров, С.С. Некрашевич, Ю.Н. Новиков, Т.В. Перевалов, В.А. Пустоваров, А.А. Расторгуев, Т.П. Смирнова, В.Н. Снытников, А.Н. Сорокин, В.О. Стояновский, "Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах", Ред. А.Л. Асеев, В.А. Гриценко. Издательство СО РАН, 2011, серия Интеграционные проекты, вып. 31. ISBN 978-5-7692-1183-6.
  3. Yu.N. Novikov “Chapter 2 - The FLASH Memory Based on Silicon Nitride (SONOS)” pp. 35-66, (2011) book “Horizons in Computer Science Research”. Volume 2, Nova Publisher, NY, 2011. ISBN: 978-1-61761-439-2.
    адрес в Интернете: https://www.novapublishers.com/catalog/product_info.php?products_id=17127.

Статьи в рецензируемых журналах

  1. V.P. Popov, M.A. Ilnitsky. Model of Nonuniform Channel for the Charge Carrier Transport in Nanoscale FETs. Advanced Mater., vol. 276 (2011) pp. 59-65; ISBN: 978-3-03785-178-4.
  2. V.P. Popov, L.N. Safronov, O.V. Naumova, D.V. Nikolaev, Yu.N. Palyvanov, I.N. Kupriyanov. Diamond – Graphite Heterostructures Formed by Nitrogen and Hydrogen Implantation and Annealing. Advanced Mater., vol. (2011) p. 27-33; ISBN: 978-3-03785-178-4.
  3. И.Е. Тысченко, В.П. Попов. Структуры кремний-на-изоляторе с азотированным захороненным слоем SiO2: метод создания и свойства. ФТП, т. 45, в. 3, 2011, с. 335-342.
  4. В.А. Антонов, Е.В. Спесивцев, И.Е. Тысченко. Анодное окисление нанометровых слоев Si в структурах кремний-на-изоляторе. ФТП, т. 45, в. 8, 2011, с. 1121-1125.
  5. I.E. Tyschenko, V.A. Volodin. Visible light-emitting hydrogenated nanocrystalline silicon-on-insulator films: formation and properties. Solid State Phenomena, v. 178-179, 2011, pp. 453-458.
  6. I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, V.P. Popov. Radiative recombination in silicon-on-insulator layers implanted with high dose of H+ ions. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. V. ???, 2011.
  7. O.V. Naumova, B.I. Fomin, N.F. Malyarenko, and V.P. Popov. Modification and characterization of the surface of SOI nanowire sensors.- J. NanoRes., 2012, v. 18-19, p. 139-147.
  8. O.V. Naumova, Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, F.N. Dultsev, L.V. Sokolov, A.L. Aseev. Properties of Si nanowhiskers coated with TiOx and TiONx layers. Nanoscience and Nanotechnology.
  9. Yu.N. Novikov, V.A. Gritsenko. Short-range order in amorphous SiOx by x-ray photoelectron spectroscopy. Appl. Phys. 110, pp. 0141071-0141074, 2011.
  10. S.S. Nekrashevich, V.A. Gritsenko. Electronic structure of silicon oxynitride: Ab-initio and experimental comparison with silicon nitride, accepted by J. Appl. Phys, 2011.
  11. V.A. Gritsenko, H. Wong. Atomic and Electronic Structure of Traps in Silicon Oxide and Silicon Oxynitride, Critical Review in Solid State and Material Sciences, v. 36, p. 129-147, 2011.
  12. M. Ivanov, T.V. Perevalov, V.S. Aliev, V.A. Gritsenko, V.V. Kaichev. Electronic Structure of d-Ta2O5 with oxygen vacancy: ab initio calculation and comparison with experiment. J. Appl. Phys. v. 110, p. 024115 (1-5), 2011.
  13. V.A. Pustovarov, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, T.P. Smirnova, A.P. Yelisseev. Oxygen Vacancy in Al2O3: Photoluminescence Study and First Principle Simulation, Thin Solid films, v. 519, p. 6319-6323, 2011.
  14. С.С. Некрашевич, А.В. Шапошников, В.А. Гриценко. Изучение атомной и электронной структуры аморфного нитрида кремния и дефектов в нём. Письма в ЖЭТФ, т. 94, № 3, c. 220-223, 2011.
  15. K.A. Nasyrov, V.A. Gritsenko. Charge transport in dielectrics via tunneling between traps, J. Appl. Phys. v. 109, p. 097705 (2011).
  16. V.A. Gritsenko, V.A. Nadolinny, K.S. Zhuravlev, J.B. Xu, and H. Wong. Quantum Confinement and Electron Spin Resonance Characteristics in Si-implanted Silicon Oxide Films. J. Appl. Phys. v.109, p.084502, 2011.
  17. С.С. Шаймеев, В.А. Гриценко. Вигнеровская кристаллизация электронов, локализованных на глубоких ловушках в двумерном аморфном диэлектрике, принят в ФТТ, т. 53, вып.4, с. 803-806, 2011.
  18. К.А. Насыров, В.А. Гриценко. Перенос заряда в диэлектриках туннелированием между ловушками, ЖЭТФ, т. 139, вып 6, с. 1172-1181, 2011.
  19. М.В. Иванов, Т.В. Перевалов, В.Ш. Алиев, В.А. Гриценко, В.В. Каичев. Моделирование электронной структуры δ-Ta2O5 с кислородной вакансией из первых принципов и сравнение с экспериментом, ЖЭТФ, т. 139, вып. 6, с. 1182-1189, 2011.
  20. Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко. Электронная структура рутила TiO2 с вакансиями кислорода: расчеты из первых принципов и сравнение с экспериментом, ЖЭТФ, т. 139, вып. 2, с. 359-366, 2011.
  21. S.S. Shaimeev, V.A. Gritsenko, H. Wong. Wigner crystallization due to electrons localized at deep traps in two-dimensional amorphous dielectric. Appl. Phys. Lett. v. 96, p. 263510. 2011.
  22. D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, C.H. Cheng, A. Chin. Bipolar conductivity in amorphous HfO2, Appl. Phys. Lett. v. 99, p. 072109, 2011.
  23. С.Г. Черкова, Г.А. Качурин, В.Г. Кеслер, В.А. Володин, Д.В. Марин, В.А. Скуратов. Радиационно-стимулированный синтез светоизлучающих Si-наноструктур в стехиометрическом SiO2 под действием тяжелых ионов высокой энергии. Известия высших учебных заведений. Физика. 2011, т. 54, № 1/3, стр. 324-326.
  24. Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, Д.В. Марин, В.Г. Кеслер, В.А. Скуратов, А.Г. Черков. Влияние состава слоев SiOx на формирование в них светоизлучающих наноструктур Si под действием быстрых тяжелых ионов. ФТП 2011 , т. 45, в. 3, стр. 419-424.
  25. Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Скуратов, Д.В. Марин, В.Г. Кеслер, В.А. Володин. Формирование светоизлучающих наноструктур в слоях стехиометрического SiO2 при облучении тяжелыми ионами высоких энергий. ФТП 2011, т. 45, в. 10, стр. 1363-1368.
  26. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, D.V. Marin, V.G. Kesler, V.A. Volodin and V.A. Skuratov. Light-emitting Si nanostructures formed by swift heavy ions in stoichiometric SiO2 layers. Nucl. Instr. Meth. B, 2011 (в печати).
  27. Н.Н. Овсюк, Venu Mankad, Sanjeev K. Gupta, Prafulla K. Jha, Г.А. Качурин. Особенности формирования нанокристаллов кремния при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Si. Известия РАН. Серия физическая, 2011, том 75, № 5, стр. 644–647.