Лаборатория физических основ материаловедения кремния

ПУБЛИКАЦИИ



1997

Статьи в рецензируемых журналах

  1. И.B. Антонова, А. Мисюк, В.П. Попов, С.С. Шаймеев. Исследование формирования кислородных преципитатов в кремнии. ФТП, 31 (8), c. 852-856, 1997.
  2. I.V.Antonova, A. Misiuk, V. Popov, A.E. Plotnikov, B. Surma, Oxygen precipitate nucleation process in silicon with different oxygen concentration and structural perfection. Solid State Phen. 57-58 (1997), p. 161-166. 1997.
  3. Похил, В.П. Попов, А.Ф. Тулинов. Анализ структуры выделений мышьяка в кремнии методом каналирования. Поверхность: Физика, Химия, Механика. 1977.
  4. G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leier, W. Skorupa, R.A. Yankov. Visible And Near-Infrared Luminescence From Si Nanostructures Formed By Ion Implantation And Pulse Annealing. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B122, N3, 571, 1997.
  5. I.E. Tyschenko, G.A. Kachurin, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leier, H. Fröb, K. Leo, T. Böhme. Quantum-Sized Silicon Precipitates In Silicon-Implanted Pulse-Annealed Silicon Dioxide Films: Photoluminescence And Structural Transformations. Mat. Res. Soc. Symp.Proc., v. 438, 453, (1997).
  6. V.P. Popov, I.E. Tyschenko, G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, and V.I. Obodnikov Gettering of Cu in silicon by silicon nitride. Electrochem. Soc. Proc., v. 97-22, 309, (1997).
  7. Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко, В. Скорупа, Р.А. Янков, К.С. Журавлев, Н.А. Паздников, В.А. Володин, А.К. Гутаковский, A.Ф. Лейер Фотолюминесценция слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме. ФТП, т. 31, (6), 730, (1997).
  8. G.A. Kachurin, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, A.F. Leier, I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, W. Skorupa, R.A. Yankov. Annealing fffects in light-emitting Si nanostructures formed In SiO2 By ion implantation and transient preheating. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B127/128, 583, (1997).
  9. L. Rebohle, I.E. Tyschenko, H. Fröb, K. Leo, R.A. Yankov, J. von Borany, G.A. Kachurin, W. Skorupa. Blue and violet photoluminescence from high-dose Si+ -and Ge+ -implanted silicon dioxide layers. Microelectronic Engineering, 36, 107, (1997).
  10. L. Rebohle, J. von Borany, R.Grotzschel, A.Markwitz, B.Schmidt, I.E. Tyschenko, W. Skorupa, H. Fröb, K. Leo Strong blue and violet photo - and electroluminescence from Ge- and Si-implanted silicon sioxide. Appl.Phys. Lett. 71,19, (1997).
  11. Г.А. Качурин, Л. Реболе, В. Скорупа, Р.А. Янков, И.Е. Тысченко, Х. Фрёб, Т. Бёме, К. Лео. Коротковолновая фотолюминесценция слоев SiO2, имплантированных большими дозами ионов Si+, Ge+ и Ar+. (будет опубликована в ФТП, т. 32, (4), (1997)).
  12. О.В. Наумова, Л.С. Смирнов, В.Ф. Стась. Природа центров Еc-0,37 эВ и образование высокоомных слоёв в Si п-типа проводимости. ФТП, т. 31, № 8, с. 993-997, 1997.
  13. L. Rebohle, J. von Borany, R. Grotzschel, A. Markwitz, B. Schmidt, I.E. Tyschenko, W. skorupa, H. Frob, K. Leo. Strong blue and violet photo- and electroluminescence from Ge- and Si-implanted silicon dioxide. Phys. Stat. Sol. (a) v. 165, N1, 1997.
  14. А.И. Баранов, Н.И. Бояркина, А.В. Васильев. Твердофазные реакции, ограниченные энергетическим барьером. ЖТФ, № 11, с. 33, 1997.