Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НАУЧНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ
  • актуальные направления физики конденсированных сред, в том числе физика полупроводников и диэлектриков, физика низкоразмерных систем;
  • элементная база микроэлектроники, наноэлектроники, квантовых компьютеров, в том числе физико-химические основы технологий микроэлектроники, наноэлектроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики;
  • актуальные проблемы оптики, лазерной физики, включая квантовую электронику.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Объемные: Si, GaAs, InAs
Квантовые структуры: Si/Ge, GaAlAs/InAlAs/GaAs, GaN, AlN, InN, InP, CdTe/ZnTe, CdHgTe/CdTe/GaAs, SOI
Гетероструктуры, многослойные структуры: Ge/Si, AlAs/GaAs, GaAlAs/InAlAs/GaAs, AlGaN/GaN, InSb/AlInSb
ДОБРО ПОЖАЛОВАТЬ
ИФП СО РАН создан в 1964 году на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР. У истоков создания ИФП стоял выдающийся ученый академик Анатолий Васильевич Ржанов.
Сегодня ИФП СО РАН - многогранный исследовательский центр, совмещающий в себе глубокую академическую науку, направленную на фундаментальные научные открытия, практическую реализацию востребованных высокотехнологических инновационных разработок для современной экономики и подготовку высококвалифицированных научных исследователей и элитных инженерно-технических специалистов.
Институт занимает ведущие позиции в области физики полупроводников, физики конденсированного состояния, физики и технологии низкоразмерных систем опто-, нано- и акусто- электроники, сенсорики, однофотоники, одноэлектроники, квантовой электроники, спинтроники.
В состав Института входит 23 научных лаборатории, Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники», в котором разрабатывается и выпускается ряд тепловизионных систем и приборов. На базе Института действует один из наиболее эффективно работающих центров коллективного пользования – ЦКП «Наноструктуры». В Институте работает около 1000 человек, в том числе в филиале ИФП СО РАН «КТИПМ» - около 220 человек. Общее число научных сотрудников - 227 человек из них, 2 академика РАН, 4 член-корреспондента РАН, 41 доктор наук; 140 кандидатов наук.

21.09.16 19.09.16 15.09.16 27.04.16

Во вторник, 27 сентября, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоится защита диссертации...
Веб-трансляция

Приказ об утверждении списка участников жилищно-строительных кооперативов
Приказ об утверждении работника, имеющего право быть принятым в члены ЖСК "Сигма"

С 12 по 15 сентября в Институте будет проходить конференция "КРЕМНИЙ 2016".

Сайт конференции: http://www.isp.nsc.ru/silicon2016

Состоялось первое заседание Ведомственной комиссии ФАНО России по оценке и мониторингу результативности деятельности научных организаций.