Оборудование

Тепловизионные приборы на основе матричных фотоприемных устройств
Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники
Свернуть
Малогабаритный тепловизор, работающий в диапазоне 3-5 мкм
Отдел телевидения и тепловидения НФ ИФП СО РАН "КТИПМ"
Свернуть
Свернуть
ИК ФПУ на основе неохлаждаемых матричных микроболометрических приемников
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
Оборудование ИФП СО РАН для МЛЭ
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5
Свернуть
Лазерный быстродействующий эллипсометр ЛЭФ-757
Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур
Свернуть
Спектральный рефлектометрический комплекс КРС -200
Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур.
Свернуть
Инфракрасный спектральный комплекс для исследования микро и наноматериалов
Научно-технологический отдел
Лаборатории физических основ интегральной микрофотоэлектроники и физики и технологии трехмерных наноструктур
ООО Научно-производственная фирма "СИМЕКС"
Свернуть
Имитатор космического вакуума Эпицентр для наземной отработки процессов эпитаксии полупроводниковых наноструктур
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5
Комплекты высокоточных мер вертикальных размеров в диапазоне 0,31 - 31 нм
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Сверхвысоковакуумная установка Катунь-100 для синтеза многослойных полупроводниковых наногетероструктур из молекулярных пучков
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5
Оптико-поляризационный ДНК-сенсор
НФ ИФП СО РАН "КТИ ПМ"
Институт химической биологии и фундаментальной медицины СО РАН
Тензометрическая станция
НФ ИФП СО РАН "КТИ ПМ"
Многофункциональная акустическая система мониторинга трубопроводов ССВС
Лаборатория неравномерных полупроводниковых систем
ООО НПФ "Тори"
Многоэлементные фотоприемные устройства дальнего ИК-диапазона
Лаборатория физики и технологии гетероструктур
Программируемые источники питания «Импульс»
Инженерно-технический отдел электронной системотехники
Контроллер «Технолог-2»
Инженерно-технический отдел электронной системотехники.
Вакуумный эллипсометрический комплекс ВЭК-600
Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур
Кремниевые мультиплексоры для многоэлементных ИК-фотоприемников
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
Устройство дополнительного сжатия гибридных микросхем инфракрасных фотоприемных устройств большого формата
Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники (А.А. Гузев, В.М. Ефимов, А.С. Строганов)
Прибор контроля анодного травления «СКАТ 2»
Инженерно-технический отдел электронной системотехники (В.П. Титов)
Высококачественные буферные слои GaAs на подложках Si, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур (В.В. Преображенский).
Быстродействующий прецизионный эллипсометр для контроля ростовых процессов в реальном времени
Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур (С.В. Рыхлицкий).
Ультратонкие резонансные поглотители и фильтрующие элементы для диапазона длин волн 0.1-1.0 мм
Отдел фотохимических технологий Филиала ИФП СО РАН «КТИПМ» (А.В. Гельфанд, С.А. Кузнецов, А.Г. Паулиш,).
Быстродействующий pin фотодиод на основе сверхчистого кремния
Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур (И.Б. Чистохин).
Свернуть
Сканирующий инфракрасный микроскоп с высоким пространственным разрешением
Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники (И.В. Мжельский, В.М. Базовкин, В.Г. Половинкин).
Свернуть
Двухканальный быстродействующий спектрограф от видимого (> 0.5 мкм) до среднего ИК (< 5.4 мкм) диапазонов длин волн
Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники. (В.Г. Половинкин, В.М. Базовкин, А.А.Гузев, И.И. Ли, А.С. Строганов, А.В. Царенко).
Свернуть
Эллипсометрический комплекс для электрохимических исследований in situ «ЭЛЛИПС-101ЭЛХ»
Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур (С.В. Рыхлицкий).
Свернуть
Источник бесперебойного питания для полевых условий эксплуатации
Отдел электронных систем Филиала ИФП СО РАН «КТИПМ»
Отдел конструирования и оптикоэлектронных приборов Филиала ИФП СО РАН «КТИПМ»
Свернуть
Фотоприемное устройство на основе многоэлементных приемников на основе многослойных структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5
Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А2В6
Свернуть
Свернуть
Свернуть
Лазерный эллипсометр ЛЭФ-777 для пооперационного технологического контроля в микро- и наноэлектронике
Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур
Свернуть