Лаборатория физических основ материаловедения кремния

ПУБЛИКАЦИИ



2002

Статьи в рецензируемых журналах

  1. C.A. Londos, M. Potsidou, A. Misiuk, I.V. Antonova, A study of the conversion of the VO to the VO2 defect in heat-treated silicon under stress, Solid State Phenomena 82-84, (2002), 249-254.
  2. A. Misiuk, A. Barcz, J. Ratajczak, I.V. Antonova, J. Jun, Hydrostatic pressure effect on the redistribution of oxygen atoms in oxygen-implanted silicon. Solid State Phenomena 82-84, (2002), 115-120.
  3. I.V. Antonova, E.P. Neustroev, A. Misiuk, V.A. Skuratov, Formation of shallow donors in stress-annealed silicon implanted with high-energy ions, Solid State Phenomena 82-84, (2002), 243-248.
  4. I.V. Antonova, D.V. Nikolaev, O.V. Naumova, V.P. Popov, Hydrogen-related phenomena in SOI fabricated by using H+ ion implantation, Solid State Phenomena 82-84, (2002), 491-496.
  5. V.P. Popov, D.V. Kilanov, I.V. Antonova, O.V. Naumova, A.P. Stepovik, V.T. Gromov, A. Misiuk, Hydrogen-induced shallow donor in silicon and silicon-on-insulator structures formed by hydrogen slicing, Solid State Phenomena 82-84, (2002), 497-502.
  6. D.V. Kilanov, L.N. Safronov, I.V. Antonova, V.P. Popov, V.I. Obodnikov, E.V. Spesivsev, Properties of silicon film in a silicon-on-glass structure, Solid State Phenomena 82-84, (2002), 115-120.
  7. V.P. Popov, L.N. Safronov, D.V. Kilanov, Infra Red Absorption by Hydrogen Passivated Cracks in Silicon, Solid State Phenomena 82-84, (2002), 155-160.
  8. И.В. Антонова, Й. Стано, Д.B. Николаев, О.В. Наумова, В.П. Попов, В.А. Скуратов. Трансформация при отжиге в водороде состояний на границах раздела КНИ структур ФТП, 36(1), 65 – 69, 2002.
  9. C.A. Londos, I.V. Antonova, M. Potsidou, A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, A.K. Gutacovskii, A study of the conversion of the VO to the VO2 defect in heat-treated silicon under uniform stress conditions, принята в J.Appl.Phys. 91(3), 1198 – 1203, (2002).
  10. В.Р. Галахов, И.В. Антонова, С.Н. Шамин, В.И. Аксенова, В.И. Ободников, А.К. Гутаковский, В.П. Попов, Рентгеноэмиссионное исследование структуры слоев Si:H, сформированных имплантацией ионов водорода с низкой энергией, принята в ФТП, 36, 2002.
  11. И.В. Антонова, П. Неустроев, В.Ф. Стась, В.П. Попов, Формирование термодоноров в имплантированном кремнии, Микроэлектроника, (принята в печать).
  12. В.П. Попов, И.В. Антонова, А.А. Французов, Л.Н. Сафронов, А.И. Попов, О.В. Наумова, А.Х. Антоненко, Д.В. Киланов, И.В. Миронова. Создание высококачественных структур кремний-на –изоляторе методом водородного переноса, Микроэлектроника, 31(4)б 274-280, 2002.
  13. I.V. Antonova, V.P. Popov, J. Bak-Misiuk, J.Z. Domagala, Characterization of the silicon - on - insulator structures by high-resolution x-ray diffraction, послана в J. Electrochim Soc, 149, N 8, G490-G493, 2002.
  14. Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, А.Л. Асеев, В.А. Колосанов, М.М. Качанова, Л.А. Ненашева, И.В. Антонова, О.В. Наумова, В.П. Попов. Применение Электронной литографии для изготовления кремниевых (КНИ) устройств наноэлектроники. Микроэлектроника, (принята в печать).
  15. Д.В. Николаев, И.В. Антонова, О.В. Наумова, В.П. Попов, С.А. Смагулова, Поведение заряда в скрытом диэлектрике структур кремний-на-изоляторе в электрических полях, ФТП, 36(7), 853-857, 2002.
  16. A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, M. Kaniewska, K.S. Zhuravlev, V. Raineri, I.V. Antonova, Nanostructured layers in high temperature – high pressure treated silicon implanted with hydrogen / helium, Mater. Phys. Mech. 5, 31-38, 2002.
  17. V.P. Popov, I.E. Tyschenko, L.N. Safronov, O.V. Naumova, I.V. Antonova, A.K. Gutakovskii, A.B. Talochkin, Properties of silicon oversaturated with implanted hydrogen, Thin Solid Films, 403-404, pp. 500-504, 2002.
  18. Y.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M. Kachanova, L. Nenasheva, V.A. Kolosanov, O.V. Naumova, V.P. Popov, A.L. Aseev. 20-nm Resolution of electron litographyn for the nano-devices on ultrathin SOI film. Materials Science and Engineering C 19, 189-192. 2002.
  19. О.В. Наумова, И.В. Антонова, В.П. Попов, В.Ф. Стась. Электрофизические свойства структур Si:H/p-Si созданные имплантацией водорода, ФТП, 37(1), 93-97, 2003.
  20. Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, В.А. Володин, В.Г. Кеслер, А.Ф. Лейер, M.-O. Ruault. О формировании нанокристаллов кремния при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Si. ФТП, 2002, т. 36, в. 6, сс. 685-689.
  21. V.G. Kesler, S.G. Yanovskaya, G.A. Kachurin, L.M. Logvinsky, A.F. Leier. XPS study of ion-beam assisted formation of Si nanostructures in thin SiO2 layers. Surface and Interface Analyses, v. 33, iss. 12, p. 914-917, 2002.
  22. I.E. Tyschenko, L. Rebohle, A.B. Talochkin, B.A. Kolesov, M. Voelskow, A. Misiuk, W. Skorupa. Blue-green photoluminescence from silicon dioxide films contained Ge nanocrystals formed under conditions of high hydrostatic pressure annealing. Solid State Phenomena. v. 82-84 (2002) 607- 612.
  23. I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, K.S. Zhuravlev, V.I. Obodnikov, V.P. Popov. Structural and photoluminescence properties of the H+ ion implanted silicon-on-insulator structures formed by hydrogen slicing. Solid State Phenomena, v. 82-84 (2002) 509-514.
  24. I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, B.A. Kolesov, K.S. Zhuravlev, V.I. Obodnikov, V.P. Popov. Raman and photoluminescence investigations of the H+ ion implanted silicon-on-insulator structure formed by hydrogen ion cut. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. v. 186 (2002) 329-333.
  25. K.S. Zhuravlev, I.E. Tyschenko, E.N. Vandyshev, N.V. Bulytova, A. Misiuk, L. Rebohle, W. Skorupa. Effect of hydrostatic pressure on photoluminescence spectra from structures with Si nanocrystals fabricated in SiO2 matrix. Acta Physica Polonica. v. 102, № 2 (2002) 337-344.
  26. Chernyavskii, E.V., Popov, V.P., Pakhmutov, Yu.S., Krasnikov, Yu.I., and Safronov, L.N., Carrier Lifetime and turn-off current control by electron irradiaton of MCT, Nuclear Instruments and Methods in Physic Research B, v. 186, 2002, pp. 157-160.
  27. E.V. Chernyavskii, V.P. Popov, Yu.S. Pakhmutov, and L.N. Safronov, MOS-Controlled Thyristor: A Study of a Promising Power-Switching Device , Russian Microelectronics, v. 31, № 5, 2002, p. 318.
  28. E.V. Chernyavskii, V.P. Popov, Yu.S. Pakhmutov, and L.N. Safronov, Trench-Gate MOS-Controlled Thyristor: An Evaluation, Russian Microelectronics, v. 31, № 5, 2002, p. 323.
  29. Попов В.П., Асеев А.Л., Володин В.П., Марютин В.Н.. Перспективы применения структур «кремний-на-изоляторе» в микро- и наноэлектронике и микросистемной техники //// Микросистемная техника. – 2002, № 9, стр. 23-29.