ПУБЛИКАЦИИ



1998

Монографии

  1. V.A. Gritsenko, Towards atomic scale understanding of defects and traps in oxide/nitride/oxide and oxynitride systems, In "Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices", NATO Science Series, High Technology, V. 47, p. 335-342, 1998, Kluwer Academic Publishers.

Статьи в рецензируемых журналах

  1. I.V. Antonova, A. Misiuk, V. Popov, A.E. Plotnikov, B. Surma "Nucleation and formation of oxygen precipitates in Gz grown silicon annealed under uniform stress conditions Physica". B, v. 253, n. 1-2, p. 131-137, 1998.
  2. I.V. Antonova, V. Popov, S.S. Shaimeev "DLTS study of oxygen precipitate formation in silicon Physica". B, 253, n 1-2, p 123-130, 1998.
  3. Г.А. Качурин, Л. Реболе, В. Скорупа, Р.А. Янков, И.Е. Тысченко, Х. Фрёб, Т. Бёме, К. Лео. "Коротковолновая фотолюминесценция слоёв SiO2, имплантированных большими дозами ионов Si+, Ge+ и Ar+". ФТП, 32, № 4, стр. 439-444, 1998.
  4. Г.А. Качурин, А.Ф. Лейер, К.С. Журавлёв, И.Е. Тысченко, А.К. Гутаковский, В.А. Володин, В. Скорупа, Р.А. Янков. "Влияние дозы и режима отжигов на формирование центров люминесценции в SiO2, имплантированном ионами Si". ФТП, 32, № 11, стр. 1371-1377, 1998.
  5. G.A. Kachurin, M.-O. Ruault, A.K. Gutakovsky, O. Kaitasov, S.G. Janovskaya, K.S. Zhuravlev, H. Bernas. "Light particle irradiation effects in Si nanocrystals" Nucl. Instr. Meth. B, 148, 1998.
  6. V.A. Schweigert, I.V. Schweigert, A. Melzer, A.Homann, and A. Piel "Plasma crystal melting: a nonequilibrium phase transition". Phys. Rev. Lett., v. 80, pp. 5334- 5348, 1998.
  7. И.В. Швейгерт, В.А. Швейгерт, В.М. Беданов, А. Мельцер, А. Хоманн, А. Пиль "Неустойчивость и плавление пылевого кристалла в плазме высокочастотного разряда". ЖЭТФ, т. 114, вып. 5(11), стр. 1-19,1998.
  8. И.В. Швейгерт, В.А. Швейгерт "Силы, действующие на кристалл микрочастиц в плазме". ПМТФ, т. 39. n. 6, сс. 8-15, 1998.
  9. F.M. Peeters, B. Partoens, A. Schweigert, G. Galdoni, and I. Schweigert "Classical atomic bilayers. in book`Strongly Coupled Coulomb Systems". Eds. G.J. Kalman, K. Blagoev, and J.M. Rommel (Plenum Press, N.Y., 1998) , p. 220.
  10. I.V. Schweigert, V.A. Schweigert, A. Melzer, A.Homann, A. Piel "Heating and melting of the dust crystal in rf discharge: non-linear analysis. in book ‘Strongly Coupled Coulomb systems". Plenum Press, pp. 165-168, 1998.
  11. В.П. Попов. "Создание КНИ-структур для ультра больших интегральных схем". Известия ВУЗов: Электроника, № 5, стр. 22, 1998.
  12. I.E. Tyschenko, L. Rebohle, R.A. Yankov, W. Skorupa, A. Misiuk "Enhancement of the intensity of the short-wavelength visible photoluminescence from silicon-implanted silicon-dioxide films caused by hydrostatic pressure during annealing". Applied Physics Letters, v. 73, № 10, pp. 1418-1420, 1998.
  13. L. Rebohle, J. von Borany, R. Grötzschel, A. Markwitz, B. Schmidt, I.E. Tyschenko, W. Skorupa, H.Fröb, K.Leo "Strong Blue and Violet Photo- and Electroluminescence from Ge- and Si-implanted silicon dioxide". Phys. Stat. Sol. (a), v. 165, № 1, pp. 31-35, 1998.
  14. I.E. Tyschenko, L. Rebohle, R.A. Yankov, W. Skorupa, A. Misiuk, G.A. Kachurin "The effect of annealing under hydrostatic pressure on the visible photoluminescence from Si+ ion implanted SiO2 films". Journal of Luminescence. 1998.
  15. L. Rebohle, I.E. Tyschenko, J. von Borany, B. Schmidt, R. Grötzschel, A. Markwitz, R.A. Yankov, H. Fröb, and W. Skorupa. Strong blue and violet light emission from silicon- and germanium-implanted silicon-dioxide films". Mater. Res. Soc. Proc. 1998, v. 486.
  16. Д.Г. Есаев, С.П. Синица, Е.В. Чернявский "Вольт-амперные характеристики фотоприемников с блокированной проводимостью на основе Si:As". ФТП, вып. 5, 1998.