ПУБЛИКАЦИИ
1998
Монографии
- V.A. Gritsenko, Towards atomic scale understanding of defects and traps in oxide/nitride/oxide and oxynitride systems, In "Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices", NATO Science Series, High Technology, V. 47, p. 335-342, 1998, Kluwer Academic Publishers.
Статьи в рецензируемых журналах
- I.V. Antonova, A. Misiuk, V. Popov, A.E. Plotnikov, B. Surma "Nucleation and formation of oxygen precipitates in Gz grown silicon annealed under uniform stress conditions Physica". B, v. 253, n. 1-2, p. 131-137, 1998.
- I.V. Antonova, V. Popov, S.S. Shaimeev "DLTS study of oxygen precipitate formation in silicon Physica". B, 253, n 1-2, p 123-130, 1998.
- Г.А. Качурин, Л. Реболе, В. Скорупа, Р.А. Янков, И.Е. Тысченко, Х. Фрёб, Т. Бёме, К. Лео. "Коротковолновая фотолюминесценция слоёв SiO2, имплантированных большими дозами ионов Si+, Ge+ и Ar+". ФТП, 32, № 4, стр. 439-444, 1998.
- Г.А. Качурин, А.Ф. Лейер, К.С. Журавлёв, И.Е. Тысченко, А.К. Гутаковский, В.А. Володин, В. Скорупа, Р.А. Янков. "Влияние дозы и режима отжигов на формирование центров люминесценции в SiO2, имплантированном ионами Si". ФТП, 32, № 11, стр. 1371-1377, 1998.
- G.A. Kachurin, M.-O. Ruault, A.K. Gutakovsky, O. Kaitasov, S.G. Janovskaya, K.S. Zhuravlev, H. Bernas. "Light particle irradiation effects in Si nanocrystals" Nucl. Instr. Meth. B, 148, 1998.
- V.A. Schweigert, I.V. Schweigert, A. Melzer, A.Homann, and A. Piel "Plasma crystal melting: a nonequilibrium phase transition". Phys. Rev. Lett., v. 80, pp. 5334- 5348, 1998.
- И.В. Швейгерт, В.А. Швейгерт, В.М. Беданов, А. Мельцер, А. Хоманн, А. Пиль "Неустойчивость и плавление пылевого кристалла в плазме высокочастотного разряда". ЖЭТФ, т. 114, вып. 5(11), стр. 1-19,1998.
- И.В. Швейгерт, В.А. Швейгерт "Силы, действующие на кристалл микрочастиц в плазме". ПМТФ, т. 39. n. 6, сс. 8-15, 1998.
- F.M. Peeters, B. Partoens, A. Schweigert, G. Galdoni, and I. Schweigert "Classical atomic bilayers. in book`Strongly Coupled Coulomb Systems". Eds. G.J. Kalman, K. Blagoev, and J.M. Rommel (Plenum Press, N.Y., 1998) , p. 220.
- I.V. Schweigert, V.A. Schweigert, A. Melzer, A.Homann, A. Piel "Heating and melting of the dust crystal in rf discharge: non-linear analysis. in book ‘Strongly Coupled Coulomb systems". Plenum Press, pp. 165-168, 1998.
- В.П. Попов. "Создание КНИ-структур для ультра больших интегральных схем". Известия ВУЗов: Электроника, № 5, стр. 22, 1998.
- I.E. Tyschenko, L. Rebohle, R.A. Yankov, W. Skorupa, A. Misiuk "Enhancement of the intensity of the short-wavelength visible photoluminescence from silicon-implanted silicon-dioxide films caused by hydrostatic pressure during annealing". Applied Physics Letters, v. 73, № 10, pp. 1418-1420, 1998.
- L. Rebohle, J. von Borany, R. Grötzschel, A. Markwitz, B. Schmidt, I.E. Tyschenko, W. Skorupa, H.Fröb, K.Leo "Strong Blue and Violet Photo- and Electroluminescence from Ge- and Si-implanted silicon dioxide". Phys. Stat. Sol. (a), v. 165, № 1, pp. 31-35, 1998.
- I.E. Tyschenko, L. Rebohle, R.A. Yankov, W. Skorupa, A. Misiuk, G.A. Kachurin "The effect of annealing under hydrostatic pressure on the visible photoluminescence from Si+ ion implanted SiO2 films". Journal of Luminescence. 1998.
- L. Rebohle, I.E. Tyschenko, J. von Borany, B. Schmidt, R. Grötzschel, A. Markwitz, R.A. Yankov, H. Fröb, and W. Skorupa. Strong blue and violet light emission from silicon- and germanium-implanted silicon-dioxide films". Mater. Res. Soc. Proc. 1998, v. 486.
- Д.Г. Есаев, С.П. Синица, Е.В. Чернявский "Вольт-амперные характеристики фотоприемников с блокированной проводимостью на основе Si:As". ФТП, вып. 5, 1998.