ПУБЛИКАЦИИ



2001

Монографии

  1. А.А. Французов Фотоприемники с блокированной прыжковой проводимостью (С. 265-307) в коллективной монографии «Матричные фотоприёмные устройства инфракрасного диапазона». Под ред. С.П. Синицы. Новосибирск, “Наука”, 2001, 376 стр. ISBN-5-02-031717-9.
  2. А.В. Васильев, А.И. Баранов «Дефектно-примесные реакции в полупроводниках» Издательство Сибирского Отделения РАН. 2001, 256 стр. ISBN-5-7692-0428-1

Статьи в рецензируемых журналах

  1. I.V. Antonova, E.P. Neustroev, V.P. Popov, V.F. Stas', Influence of irradiation by different ions on thermal donor formation in silicon, J.Advanced Materials. No.1, 2001.
  2. И.В. Антонова, Й. Стано, Д.B. Николаев, О.В. Наумова, В.П. Попов, В.А. Скуратов, Состояния на границах и центры с глубокими уровнями в структурах Кремний на изоляторе, ФТП. 35, (2001), 948-957.
  3. В.П. Попов, И.В. Антонова, А.А. Французов, Л.Н. Сафронов, О.В. Наумова, Д.В. Киланов, Свойства структур и приборов на кремний-на-изоляторе, ФТП, 35, (2001), 1075-1083.
  4. J. Bak-Misiuk, I.V. Antonova, A. Misiuk, J. Domagala, V.P. Popov, V.I. Obodnikov, J. Hartwig, A. Romano-Rodriguez, A. Bachrouri, Strain in hydrogen and oxygen implanted silicon and SOI structures annealed at high pressure, J. Alloys and Compounds, 328 (2001) 181-186.
  5. A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, V. Raineri, A. Romano-Radriguez, I.V. Antonova, A. Bachrouri, H.B. Surma, J. Ratajczak, J. Katcki, J. Adamczewska, E.P. Neustroev, Effect of uniform stress on silicon implanted with helium, hydrogen and oxygen, Computational Materials Science 21, (2001), 515-525.
  6. В.П. Попов, Д.В. Киланов, И.В. Антонова, Формирование куполов на поверхности кремния при последовательном имплантации ионов водорода и гелия, РАН СО Автометрия, N3, 108 – 117, 2001.
  7. I.V. Antonova, O.V. Naumova, J. Stano, D.V. Nikolaev, V.P. Popov, V.A. Skuratov, Traps at bonded interface in SOI structures, Appl.Phys.Lett., 79, N26, 2001.
  8. A. Misiuk, A. Barcz, V. Raineri, J. Ratajczak, J. Bak-Misiuk, I.V. Antonova, W. Wierzchowski, K. Wieteska. Effect of stress on accumulation of oxygen in silicon implanted with helium and hydrogen, принята в Phys.B.
  9. C.A. Londos, M. Potsidou, A. Misiuk, I.V. Antonova, A study of the conversion of the VO to the VO2 defect in heat-treated silicon under stress, Solid State Phenomena 82-84, (2002), 249-254.
  10. A. Misiuk, A. Barcz, J. Ratajczak, I.V. Antonova, J. Jun, Hydrostatic pressure effect on the redistribution of oxygen atoms in oxygen-implanted silicon., Solid State Phenomena 82-84, (2002), 115-120.
  11. I.V. Antonova, E.P. Neustroev, A. Misiuk, V.A. Skuratov, Formation of shallow donors in stress-annealed silicon implanted with high-energy ions, Solid State Phenomena 82-84, (2002), 243-248.
  12. I.V. Antonova, D.V. Nikolaev, O.V. Naumova, V.P. Popov, Hydrogen-related phenomena in SOI fabricated by using H+ ion implantation, Solid State Phenomena 82-84, (2002), 491-496.
  13. V.P. Popov, D.V. Kilanov, I.V. Antonova, O.V. Naumova, A.P. Stepovik, V.T. Gromov, A. Misiuk, Hydrogen-induced shallow donor in silicon and silicon-on-insulator structures formed by hydrogen slicing, Solid State Phenomena 82-84, (2002), 497-502.
  14. D.V. Kilanov, L.N. Safronov, I.V. Antonova, V.P. Popov, V.I. Obodnikov, E.V. Spesivsev, Properties of silicon film in a silicon-on-glass structure, Solid State Phenomena 82-84, (2002), 115-120.
  15. И.В. Антонова, Й. Стано, Д.B. Николаев, О.В. Наумова, В.П. Попов, В.А. Скуратов. Трансформация при отжиге в водороде состояний на границах раздела КНИ структур ФТП, 36(1), 65 – 69, 2002.
  16. C.A. Londos, I.V. Antonova, M. Potsidou, A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, A.K. Gutacovskii, A study of the conversion of the VO to the VO2 defect in heat-treated silicon under uniform stress conditions, принята в J.Appl.Phys.
  17. B. Surma, L. Bryja, A. Misiuk, G. Gawlik, J. Jun, I.V. Antonova, M. Prujszczyk, Infrared and photoluminescence studies on silicon oxide formation in oxygen-implanted silicon annealed under enhanced pressue, Crystal Res. Technol. 36 (2001) 943-952.
  18. В.Р. Галахов, И.В. Антонова, С.Н. Шамин, В.И. Аксенова, В.И. Ободников, А.К. Гутаковский, В.П. Попов, Рентгеноэмиссионное исследование структуры слоев Si:H, сформированных имплантацией ионов водорода с низкой энергией, принята в ФТП, 36, 2002.
  19. И.В. Антонова, П. Неустроев, В.Ф. Стась, В.П. Попов, Формирование термодоноров в имплантированном кремнии, принята в Микроэлектронику.
  20. В.П. Попов, И.В. Антонова, А.А. Французов, Л.Н. Сафронов, А.И. Попов, О.В. Наумова, А.Х. Антоненко, Д.В. Киланов, И.В. Миронова. Создание высококачественных структур кремний-на -изоляторе методом водородного переноса, принята в Микроэлектронику.
  21. V.P. Popov, I.V. Antonova, J. Bak-Misiuk, J.Z. Domagala, Defect transformation study in silicon–on–insulator structures by high-resolution X-Ray diffraction, Metrials Science in Semicond Processing, 4, 35-37, 2001.
  22. И.В. Антонова, Е.П. Неустроев, В.П. Попов, В.Ф. Стась «Влияние облучения различными ионами на формирование донорных центров в кремнии». Перспективные материалы, 1, 43-48, (2001).
  23. A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, A. Barcz, A. Romano-Rodriguez, I.V. Antonova, V.P. Popov, C.A. Londos, J. Jun Effect of annealing at argon Pressure up to 1.2 GPa on hydrogen-implanted and hydrogen-plasma-etched single crystalline silicon, - Internat. Journ. of Hydrogen Energy, 26,(2001), 483-488.
  24. Y.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M. Kachanova, L. Nenasheva, V.A. Kolosanov, O.V. Naumova, V.P. Popov, A.L. Aseev. 20-nm Resolution of electron litographyn for the nano-devices on ultrathin SOI film. Materials Science and Engineering, принято к печати.
  25. V.A. Skuratov, N. Dinu, I.V. Antonova, V.I. Obodnikov. Hundred MeV heavy ion irradiation effect on boron diffusion in Si. Vacuum, 2001, Vol. 63/4, pp. 571-575.
  26. D.V. Kilanov, L.N. Safronov and V.P. Popov, Infra Red Absorption by Hydrogen-Passivated Cracks in Silicon, Solid State Phenomena 82-84, (2002), 155-160.
  27. И.Е. Тысченко, К.С. Журавлев, Е.Н. Вандышев, А. Мисюк, Р.А. Янков, Л. Реболе, В. Скорупа. Исследование фотолюминесценции пленок SiOxNy, имплантированных ионами Ge+ и отожженных в условиях гидростатического давления. ФТП, т. 35, в. 2 (2001) c. 129-135.
  28. I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, E.N. Vandyshev, A. Misiuk, L. Rebohle, W. Skorupa, R.A. Yankov, V.P. Popov. Enhancement of the intensity of violet and green photoluminescence from Ge+ ion-implanted SiOxNy films caused by hydrostatic pressure during annealing. Optical Materials, v. 17 № 1-2, 2001 p. 99-102.
  29. I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, B.A. Kolesov, K.S. Zhuravlev, V.I. Obodnikov, V.P. Popov, Raman and photoluminescence investigations of the H+ ion implanted silicon-on-insulator structure formed by hydrogen ion cut. Nuclear Instrum. Meth. Phys. Res. B. accepted to publication.
  30. Е.В. Чернявский, В.П. Попов, Ю.С. Пахмутов, Ю.И. Красников, Л.Н. Сафронов, Переходные характеристики МОП тиристоров, облученных электронами, Физика и техника полупроводников, т. 35, в. 9, р. 1154-1158, (2001)
  31. V.P. Popov, E.V. Chernyavsky, Yu.I. Krasnikov, CARRIER LIFETIME AND TURN-OFF CURRENT CONTROL BY ELECTRON IRRADIATION OF MCT, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B. Принята в печать.
  32. Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, К.С. Журавлев, M.-O. Ruault. Роль азота в формировании люминесцирующих кремниевых нанопреципитатов при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Si. ФТП, 2001, т. 35, в. 10, с. 1235.
  33. Т. Хасанов, А.С. Мардежов, С.Г. Яновская, Г.А. Качурин, O. Kaitasov Эллипсометрические исследования отжига слоев SiO2 при формировании в них светоизлучающих нанокристаллов Si. Оптика и спектроскопия, 2001, т. 90, № 6, с. 924-927.
  34. Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, К.С. Журавлев, М.-O. Ruault. Влияние внедренного азота на формирование центров фотолюминесценции при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами si. Вестник ННГУ; Серия: "Физика твердого тела". Нижний Новгород, 2001.
  35. Е.В. Чернявский, В.П. Попов, Ю.С. Пахмутов, Ю.И. Красников, Л.Н. Сафронов. Статические и динамические характеристики высоковольтного МОП управляемого тиристора, Химия в интересах устойчивого развития. Принята в печать.
  36. Е.В. Чернявский, В.П. Попов, Ю.С. Пахмутов, Ю.Н. Миргородский, Л.Н. Сафронов, Проект IGBT 50 А 1800 В, Химия в интересах устойчивого развития. Принята в печать.
  37. В.П. Попов, И.В. Антонова, А.А. Французов, О.В. Наумова, Н.В. Сапожникова. Кремний-на-изоляторе: материал и приборные структуры. Микросистемная техника, № 10, с. 35-40, 2001.
  38. А.С. Артамонов, А.Ю. Никифоров, А.В. Согоян, А.А. Французов, В.П. Попов. Экспериментальное исследование радиационного поведения SMART-CUT КНИ - структур. Научно технический сборник Радиационная стойкость электронных систем ("Стойкость -2001"), вып. 4, М. 2001. - с. 37-38.
  39. В.Т. Громов, Научно технический сборник Радиационная стойкость электронных систем ("Стойкость -2001"), вып. 4, М. 2001.