ПУБЛИКАЦИИ
2001
Монографии
- А.А. Французов Фотоприемники с блокированной прыжковой проводимостью (С. 265-307) в коллективной монографии «Матричные фотоприёмные устройства инфракрасного диапазона». Под ред. С.П. Синицы. Новосибирск, “Наука”, 2001, 376 стр. ISBN-5-02-031717-9.
- А.В. Васильев, А.И. Баранов «Дефектно-примесные реакции в полупроводниках» Издательство Сибирского Отделения РАН. 2001, 256 стр. ISBN-5-7692-0428-1
Статьи в рецензируемых журналах
- I.V. Antonova, E.P. Neustroev, V.P. Popov, V.F. Stas', Influence of irradiation by different ions on thermal donor formation in silicon, J.Advanced Materials. No.1, 2001.
- И.В. Антонова, Й. Стано, Д.B. Николаев, О.В. Наумова, В.П. Попов, В.А. Скуратов, Состояния на границах и центры с глубокими уровнями в структурах Кремний на изоляторе, ФТП. 35, (2001), 948-957.
- В.П. Попов, И.В. Антонова, А.А. Французов, Л.Н. Сафронов, О.В. Наумова, Д.В. Киланов, Свойства структур и приборов на кремний-на-изоляторе, ФТП, 35, (2001), 1075-1083.
- J. Bak-Misiuk, I.V. Antonova, A. Misiuk, J. Domagala, V.P. Popov, V.I. Obodnikov, J. Hartwig, A. Romano-Rodriguez, A. Bachrouri, Strain in hydrogen and oxygen implanted silicon and SOI structures annealed at high pressure, J. Alloys and Compounds, 328 (2001) 181-186.
- A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, V. Raineri, A. Romano-Radriguez, I.V. Antonova, A. Bachrouri, H.B. Surma, J. Ratajczak, J. Katcki, J. Adamczewska, E.P. Neustroev, Effect of uniform stress on silicon implanted with helium, hydrogen and oxygen, Computational Materials Science 21, (2001), 515-525.
- В.П. Попов, Д.В. Киланов, И.В. Антонова, Формирование куполов на поверхности кремния при последовательном имплантации ионов водорода и гелия, РАН СО Автометрия, N3, 108 – 117, 2001.
- I.V. Antonova, O.V. Naumova, J. Stano, D.V. Nikolaev, V.P. Popov, V.A. Skuratov, Traps at bonded interface in SOI structures, Appl.Phys.Lett., 79, N26, 2001.
- A. Misiuk, A. Barcz, V. Raineri, J. Ratajczak, J. Bak-Misiuk, I.V. Antonova, W. Wierzchowski, K. Wieteska. Effect of stress on accumulation of oxygen in silicon implanted with helium and hydrogen, принята в Phys.B.
- C.A. Londos, M. Potsidou, A. Misiuk, I.V. Antonova, A study of the conversion of the VO to the VO2 defect in heat-treated silicon under stress, Solid State Phenomena 82-84, (2002), 249-254.
- A. Misiuk, A. Barcz, J. Ratajczak, I.V. Antonova, J. Jun, Hydrostatic pressure effect on the redistribution of oxygen atoms in oxygen-implanted silicon., Solid State Phenomena 82-84, (2002), 115-120.
- I.V. Antonova, E.P. Neustroev, A. Misiuk, V.A. Skuratov, Formation of shallow donors in stress-annealed silicon implanted with high-energy ions, Solid State Phenomena 82-84, (2002), 243-248.
- I.V. Antonova, D.V. Nikolaev, O.V. Naumova, V.P. Popov, Hydrogen-related phenomena in SOI fabricated by using H+ ion implantation, Solid State Phenomena 82-84, (2002), 491-496.
- V.P. Popov, D.V. Kilanov, I.V. Antonova, O.V. Naumova, A.P. Stepovik, V.T. Gromov, A. Misiuk, Hydrogen-induced shallow donor in silicon and silicon-on-insulator structures formed by hydrogen slicing, Solid State Phenomena 82-84, (2002), 497-502.
- D.V. Kilanov, L.N. Safronov, I.V. Antonova, V.P. Popov, V.I. Obodnikov, E.V. Spesivsev, Properties of silicon film in a silicon-on-glass structure, Solid State Phenomena 82-84, (2002), 115-120.
- И.В. Антонова, Й. Стано, Д.B. Николаев, О.В. Наумова, В.П. Попов, В.А. Скуратов. Трансформация при отжиге в водороде состояний на границах раздела КНИ структур ФТП, 36(1), 65 – 69, 2002.
- C.A. Londos, I.V. Antonova, M. Potsidou, A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, A.K. Gutacovskii, A study of the conversion of the VO to the VO2 defect in heat-treated silicon under uniform stress conditions, принята в J.Appl.Phys.
- B. Surma, L. Bryja, A. Misiuk, G. Gawlik, J. Jun, I.V. Antonova, M. Prujszczyk, Infrared and photoluminescence studies on silicon oxide formation in oxygen-implanted silicon annealed under enhanced pressue, Crystal Res. Technol. 36 (2001) 943-952.
- В.Р. Галахов, И.В. Антонова, С.Н. Шамин, В.И. Аксенова, В.И. Ободников, А.К. Гутаковский, В.П. Попов, Рентгеноэмиссионное исследование структуры слоев Si:H, сформированных имплантацией ионов водорода с низкой энергией, принята в ФТП, 36, 2002.
- И.В. Антонова, П. Неустроев, В.Ф. Стась, В.П. Попов, Формирование термодоноров в имплантированном кремнии, принята в Микроэлектронику.
- В.П. Попов, И.В. Антонова, А.А. Французов, Л.Н. Сафронов, А.И. Попов, О.В. Наумова, А.Х. Антоненко, Д.В. Киланов, И.В. Миронова. Создание высококачественных структур кремний-на -изоляторе методом водородного переноса, принята в Микроэлектронику.
- V.P. Popov, I.V. Antonova, J. Bak-Misiuk, J.Z. Domagala, Defect transformation study in silicon–on–insulator structures by high-resolution X-Ray diffraction, Metrials Science in Semicond Processing, 4, 35-37, 2001.
- И.В. Антонова, Е.П. Неустроев, В.П. Попов, В.Ф. Стась «Влияние облучения различными ионами на формирование донорных центров в кремнии». Перспективные материалы, 1, 43-48, (2001).
- A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, A. Barcz, A. Romano-Rodriguez, I.V. Antonova, V.P. Popov, C.A. Londos, J. Jun Effect of annealing at argon Pressure up to 1.2 GPa on hydrogen-implanted and hydrogen-plasma-etched single crystalline silicon, - Internat. Journ. of Hydrogen Energy, 26,(2001), 483-488.
- Y.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M. Kachanova, L. Nenasheva, V.A. Kolosanov, O.V. Naumova, V.P. Popov, A.L. Aseev. 20-nm Resolution of electron litographyn for the nano-devices on ultrathin SOI film. Materials Science and Engineering, принято к печати.
- V.A. Skuratov, N. Dinu, I.V. Antonova, V.I. Obodnikov. Hundred MeV heavy ion irradiation effect on boron diffusion in Si. Vacuum, 2001, Vol. 63/4, pp. 571-575.
- D.V. Kilanov, L.N. Safronov and V.P. Popov, Infra Red Absorption by Hydrogen-Passivated Cracks in Silicon, Solid State Phenomena 82-84, (2002), 155-160.
- И.Е. Тысченко, К.С. Журавлев, Е.Н. Вандышев, А. Мисюк, Р.А. Янков, Л. Реболе, В. Скорупа. Исследование фотолюминесценции пленок SiOxNy, имплантированных ионами Ge+ и отожженных в условиях гидростатического давления. ФТП, т. 35, в. 2 (2001) c. 129-135.
- I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, E.N. Vandyshev, A. Misiuk, L. Rebohle, W. Skorupa, R.A. Yankov, V.P. Popov. Enhancement of the intensity of violet and green photoluminescence from Ge+ ion-implanted SiOxNy films caused by hydrostatic pressure during annealing. Optical Materials, v. 17 № 1-2, 2001 p. 99-102.
- I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, B.A. Kolesov, K.S. Zhuravlev, V.I. Obodnikov, V.P. Popov, Raman and photoluminescence investigations of the H+ ion implanted silicon-on-insulator structure formed by hydrogen ion cut. Nuclear Instrum. Meth. Phys. Res. B. accepted to publication.
- Е.В. Чернявский, В.П. Попов, Ю.С. Пахмутов, Ю.И. Красников, Л.Н. Сафронов, Переходные характеристики МОП тиристоров, облученных электронами, Физика и техника полупроводников, т. 35, в. 9, р. 1154-1158, (2001)
- V.P. Popov, E.V. Chernyavsky, Yu.I. Krasnikov, CARRIER LIFETIME AND TURN-OFF CURRENT CONTROL BY ELECTRON IRRADIATION OF MCT, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B. Принята в печать.
- Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, К.С. Журавлев, M.-O. Ruault. Роль азота в формировании люминесцирующих кремниевых нанопреципитатов при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Si. ФТП, 2001, т. 35, в. 10, с. 1235.
- Т. Хасанов, А.С. Мардежов, С.Г. Яновская, Г.А. Качурин, O. Kaitasov Эллипсометрические исследования отжига слоев SiO2 при формировании в них светоизлучающих нанокристаллов Si. Оптика и спектроскопия, 2001, т. 90, № 6, с. 924-927.
- Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, К.С. Журавлев, М.-O. Ruault. Влияние внедренного азота на формирование центров фотолюминесценции при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами si. Вестник ННГУ; Серия: "Физика твердого тела". Нижний Новгород, 2001.
- Е.В. Чернявский, В.П. Попов, Ю.С. Пахмутов, Ю.И. Красников, Л.Н. Сафронов. Статические и динамические характеристики высоковольтного МОП управляемого тиристора, Химия в интересах устойчивого развития. Принята в печать.
- Е.В. Чернявский, В.П. Попов, Ю.С. Пахмутов, Ю.Н. Миргородский, Л.Н. Сафронов, Проект IGBT 50 А 1800 В, Химия в интересах устойчивого развития. Принята в печать.
- В.П. Попов, И.В. Антонова, А.А. Французов, О.В. Наумова, Н.В. Сапожникова. Кремний-на-изоляторе: материал и приборные структуры. Микросистемная техника, № 10, с. 35-40, 2001.
- А.С. Артамонов, А.Ю. Никифоров, А.В. Согоян, А.А. Французов, В.П. Попов. Экспериментальное исследование радиационного поведения SMART-CUT КНИ - структур. Научно технический сборник Радиационная стойкость электронных систем ("Стойкость -2001"), вып. 4, М. 2001. - с. 37-38.
- В.Т. Громов, Научно технический сборник Радиационная стойкость электронных систем ("Стойкость -2001"), вып. 4, М. 2001.