Лаборатория физических основ материаловедения кремния

ПУБЛИКАЦИИ



2004

Монографии

  1. В.П. Попов, А.Л. Асеев, А.А. Французов, М.А. Ильницкий, Л.Н. Сафронов, О.В. Наумова, Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, В.М. Кудряшов, Л.В. Литвин. Разработка нанотранзисторов на структурах кремний-на-изоляторе для нового поколения элементной базы микроэлектроники. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2007, с. 337-362. 367 стр., ISBN 5-7692-0680-2.

Статьи в рецензируемых журналах

  1. I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, A.K. Gutakovskii, V.P. Popov. Recrystallization of Silicon on Insulator Layers Implanted with High Doses of Hydrogen Ions. Solid State Phenomena, v. 95-96 (2004) 23-28.
  2. И.Е. Тысченко, В.П. Попов, А.Б. Талочкин, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев. Формирование пленок нанокристаллического кремния имплантацией больших доз ионов Н+ в слои кремния на изоляторе и последующим быстрым термическим отжигом. ФТП, т. 38, в. 1, (2004), с. 111-116.
  3. I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, A.G. Cherkov, and K.S. Zhuravlev, R.A. Yankov. Optical transitions in Ge nanocrystals formed by high-pressure annealing of Ge+ ion implanted SiO2 films. Solid State Communications, v. 129, № 1 (2004), 63-68.
  4. И.Е. Тысченко, Л. Реболе. Излучательная рекомбинация в пленках SiO2, имплантированных ионами Ge+ и отожженных в условиях гидростатического сжатия. Физика и техника полупроводников, т. 38, в. 7, 2004, с. 852-857.
  5. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, V.A. Volodin, V.G. Kesler, A.K. Gutakovsky, A.G. Cherkov, A.V. Bublikov, D.I. Tetelbaum. Implantation of P ions in SiO2 layers with embedded Si nanocrystals. Nucl. Instr. and Meth. B 222 (2004), 497-504.
  6. Г.А. Качурин, В.А. Володин, Д.И. Тетельбаум*, Д.В. Марин, А.Ф. Лейер, А.К. Гутаковский, А.Г. Черков, А.Н. Михайлов*. "Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с промежуточными отжигами". ФТП, 39, в. 4, 2005.
  7. I.V. Antonova, J. Stano, O.V. Naumova, V.A. Skuratov, and V.P. Popov, DLTS study of silicon-on-insulator structures irradiated with electrons or high energy ions, IEEE Trans.Nucl.Science, v. 51, 3, 1257-1261, 2004.
  8. I.V. Antonova, D.V. Nikolaev, O.V. Naumova, V.P. Popov, Comparison of electrical properties of silicon-on-insulator structures fabricated with use of hydrogen slicing and BESOI, Electrochem&Solid State Letters, v. 7, n. 3, F21-F23, 2004.
  9. Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, L.V. Litvin, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev "Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator", Int. J. Nanoscience., v. 3, № 1-2, pp. 155-160, 2004.
  10. В.П. Попов, А.Л. Асеев, А.А. Французов, М.А. Ильницкий, Л.Н. Сафронов, О.В. Наумова, Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, В.М. Кудряшов, Л.В. Литвин «Разработка нанотранзисторов на структурах кремний-на-изоляторе для нового поколения элементной базы микроэлектроники».- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004, с. 337-362.