СОТРУДНИЧЕСТВО

Кооперация внутри Института

  1. Лаборатория 2 - подготовка подложек для многослойных структур на основе кремния, сапфира и диоксида кремния, исследование оптических свойств слоистых кремниевых и алмазных структур методами эллипсометрии;

  2. Лаборатория 5 - синтез оксидов металлов для мемристоров и синаптических транзисторов;

  3. Лаборатория 15 - имплантация ионов для созлания КНИ-структур;

  4. Лаборатория 19 - создание тестовых и приборных структур и ИС на пластинах КНИ; ионное легирование и исследования кремниевых и алмазных наноструктур методом ВИМС;

  5. Лаборатории 20, 26 - создание КНИ-наноструктур методами электронной литографии и плазменного травления, исследование их свойств методами электронной и атомно-силовой микроскопии;

Кооперация в пределах России

  1. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, отдел спинтроники – исследование оптических спиновых свойств алмазных наноструктур с центрами окраски;

  2. Санкт-Петербургский Политехничекий Институт;

  3. ФТИАН РАН – Исследование тонкопленочных гетероструктур и полевых приборов, разработка биосенсоров;

  4. НИИИС им. А.Ю. Седакова – разработка промышленной технологии изготовления КНИ и КНС пластин методом водородного переноса;

  5. НИИЯФ МГУ - исследование структурных свойств кремниевых и алмазных наногетероструктур методом резерфордовского рассеяния и каналирования, имплантация кластерных ионов.

Зарубежная научная кооперация

  1. Исследовательский Центр Россендорф (Германия) – Свойства нанопреципитатов кремния и германия в SiO2; Si3N4;

  2. Институт физики микроструктур Макса Планка (Германия) – Исследования процессов сращивания и расслоения кремниевых пластин, облученных ионами водорода;

  3. Институт физики полупроводников НАНУ (Украина) – Проекты по созданию и исследованию свойств КНИ-наноструктур.

  4. Казахско-Британский Технологический Университет (КБТУ, Алматы, Казахстан), лаборатория нанотехнологии – ионный синтез фотопреобраозвателей на кремнии и карбиде кремния;

  5. National Chiao Tung University, Hsinchu, Тайвань – исследования эффектов памяти в наноструктурах на основе оксидов металлов.