ПУБЛИКАЦИИ



2014

Монографии

  1. Yu.D. Ivanov, T.O. Pleshakova, V.P. Popov, O.V. Naumova, A.L. Aseev and A.I. Archakov. SOI-Nanowire Biosensors for High-Sensitivity Protein and Gene Detection, p. 445-467. In: Functional Nanomaterials and Devices for Electronics, Sensors and Energy Harvesting, Nazarov, A., Francis, B., Kulchitska V., Flandre, D. (Eds.) Springer, 2014, IX, 467 p. // (ISBN 978-3-319-08803-7).
  2. Tarkov M.S. Mapping Data Processing Neural Networks onto Distributed Computer Systems with Regular Structures // Parallel Programming: Practical Aspects, Models and Current Limitations, ISBN 978-1-63321-957-1, Ed. Mikhail S. Tarkov, Nova Science Publishers, New York, 2014. - P. 1-32.
  3. Tarkov M.S. Mapping Graphs of Parallel Programs onto Graphs of Distributed Computer Systems by Neural Network Algorithms // Parallel Programming: Practical Aspects, Models and Current Limitations, ISBN 978-1-63321-957-1, Ed. Mikhail S. Tarkov, Nova Science Publishers, New York, 2014. - P. 33-58.
  4. В.А. Гриценко, Д.Р. Исламов, глава «Разработка энергонезависимой флэш памяти на кремнии» в книге «50 лет Институту физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук» / Отв. ред. И.Г. Неизвестный. Ред. Э.В. Скубневский. Новосибирск: Параллель, 2014 г., с. 311.
  5. Д.Р. Исламов, Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко, В.Ш. Алиев, А.А. Сараев, В.В. Каичев, М.В. Иванова, М.В. Заморянская, глава «Природа дефектов, ответственных за транспорт в элементе резистивной памяти на основе оксида гафния» в книге «Юбилейный сборник избранных трудов Института физик полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (1964-2014)» / Отв. ред. А.В. Латышев, А.В. Двуреческий, А.Л. Асеев. Новосибирск: Параллель, 2014. C. 614.
  6. И.Е. Тысченко, В.П. Попов, глава «Кремний-на-изоляторе» в книге «Юбилейный сборник Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (1964-2014)» / Отв. ред. А.В. Латышев, А.В. Двуреческий, А.Л. Асеев. Новосибирск. Параллель. 2014 г., с. 541-564.
  7. А.В. Шереметьев, В.П. Попов, Е.В. Чернявский, Ю.И. Красников, глава «Интегральные и гибридные технологии в кремниевой силовой электронике» в книге «Юбилейный сборник Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (1964-2014)» / Отв. ред. А.В. Латышев, А.В. Двуреческий, А.Л. Асеев. Новосибирск. Параллель. 2014 г., с. 570-593.

Статьи в рецензируемых журналах

  1. K. A. Malsagova, Yu. D. Ivanov, T. O. Pleshakova, A. F. Kozlov, N. V. Krohin, A. L. Kaysheva, I. D. Shumov, V. P. Popov, O. V. Naumova, B. I. Fomin, D. A. Nasimov. Biochemistry (Moscow) Supplement Series B: Biomedical Chemistry, 2014, 8 (3), 220-225.
  2. Д.Р. Исламов, В.А. Гриценко, Ч.Х. Ченг, А. Чин, Механизм переноса носителей заряда в диэлектриках с высокой диэлектрической проницаемостью и основанных на них элементах резистивной памяти, Автометрия, 2014, т. 50, №3, стр. 115-120 [D. R. Islamov, V. A. Gritsenko, C. H. Cheng, A. Chin, Charge carrier transport mechanism in high-k dielectrics and their based resistive memory cells, Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, 2014, V. 50N, n.3, p. 310-314].
  3. 3. T.V. Perevalov, V.Sh. Aliev, V.A. Gritsenko, A.A. Saraev, V.V. Kaichev, E.V. Ivanova, M.V., Zamoryanskaya, The origin of 2.7 eV luminescence and 5.2 eV excitation band in hafnium oxide, Applied Physics Letters, 2014, V. 104, P.071904.
  4. E.A. Kozlova, D.V. Markovskaya, S.V. Cherepanova, A.A. Saraev, E.Yu. Gerasimov, T.V. Perevalov, V.V. Kaichev, V.N. Parmon, Novel photocatalysts based on Cd1-xZnxS/Zn(OH)2 for the hydrogen evolution from water solutions of ethanol, International Journal of Hydrogen Energy, 2024, V. 39, P. 18758-18769.
  5. T.V. Perevalov, A.E. Dolbak, V.A. Shvets, V.A. Gritsenko; T.I. Asanova, S.B. Erenburg, , Atomic and electronic structure of gadolinium oxide, The European Physical Journal Applied Physics, 2014, V. 65, P. 10702.
  6. Atuchin, V.V. Kaichev, I.V. Korolkov, A.A. Saraev, I.B. Troitskaia, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, Electronic Structure of Noncentrosymmetric α-GeO2 with Oxygen Vacancy: Ab Initio Calculations and Comparison with Experiment, Journal of Physical Chemistry C, 2014, V. 118, P. 3644-3650.
  7. D. R. Islamov, T. V. Perevalov, V. A. Gritsenkov, et al., Origin of defects responsible for charge transport in resistive random access memory based on hafnia, Appl. Phys. Lett. 105, 222901 (2014).
  8. D. R. Islamov, V. A. Gritsenko, C. H. Cheng, and A. Chin. Percolation conductivity in hafnium sub-oxides. Applied Physics Letters 105, 262903 (2014).
  9. T. V. Perevalov, D. V. Gulyaev, V. S. Aliev, K. S. Zhuravlev, V. A. Gritsenko, and A. P. Yelisseyev. The origin of 2.7eV blue luminescence band in zirconium oxide. Journal of Applied Physics 116, 244109 (2014).
  10. Tarkov M.S., Polovinkin V.G., Bystrov A.S. Defect detecting in multi-element photodetector by wavelets and neural networks // Bulletin NCC, series Computer Science, 2014, issue 36. - P. 89-96.
  11. Tarkov M.S., Vytnova D.V., Zadorozhnyi A.F. An algorithm for registration of erythrocites on low-contrast images // Bulletin NCC, series Computer Science, 2014, issue 36. - P. 97-102.
  12. O. Naumova, B. Fomin, V. Popov, V. Strelchuk, A. Nikolenko, and A. Nazarov. An experimental study of properties of ultrathin Si layer with bonded Si/SiO2 interface. Advanced Materials Research, 2014, vol. 854, pp. 3-10.
  13. Тарков М.С., Дубынин С.В. Нейросетевой параллельный алгоритм слежения за объектом в реальном времени. Известия Томского политехнического университета. – 2014. – Т. 324, № 5.-С. 78-84.
  14. В.П. Попов, М.А. Ильницкий, О.В. Наумова, А.Н. Назаров. Квантовые поправки для пороговых напряжений полностью обедняемых КНИ транзисторов с двумя независимыми затворами. Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, вып. 10, стр. 1348-1353. // V. P. Popov, M. A. Ilnitskii, O. V. Naumova, A. N. Nazarov. Quantum corrections to the threshold voltage for fully depleted SOI transistors with two independent gates. Semiconductors, vol. 48, no. 10, pp 1348–1353, 2014.
  15. И.Е. Тысченко, В.А. Володин, В.В. Козловский, В.П. Попов. Эффект гидростатического давления в процессе отжига пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода. Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, вып. 10, стр.1339-1343.
  16. И.Е. Тысченко, М. Фельсков, А.Г. Черков, В.П. Попов. Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO2 структуры кремний-на-изоляторе. Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, вып. 9, стр.1228-1233.
  17. В.П. Попов, А. В. Тронин, А.В., А.В. Глухов, Ю.Д. Иванов. Электронные биохимические наносенсоры для клинических исследований. Инновации, 2014, №3, стр. 77-81.
  18. O. Naumova, B. Fomin, V. Popov, V. Strelchuk, A. Nikolenko and A. Nazarov. An experimental study of properties of ultrathin Si layer with bonded Si/SiO2 interface. Advanced Materials Research, 2014, vol. 854, pp. 3-10.