ПУБЛИКАЦИИ
2014
Монографии
- Yu.D. Ivanov, T.O. Pleshakova, V.P. Popov, O.V. Naumova, A.L. Aseev and A.I. Archakov. SOI-Nanowire Biosensors for High-Sensitivity Protein and Gene Detection, p. 445-467. In: Functional Nanomaterials and Devices for Electronics, Sensors and Energy Harvesting, Nazarov, A., Francis, B., Kulchitska V., Flandre, D. (Eds.) Springer, 2014, IX, 467 p. // (ISBN 978-3-319-08803-7).
- Tarkov M.S. Mapping Data Processing Neural Networks onto Distributed Computer Systems with Regular Structures // Parallel Programming: Practical Aspects, Models and Current Limitations, ISBN 978-1-63321-957-1, Ed. Mikhail S. Tarkov, Nova Science Publishers, New York, 2014. - P. 1-32.
- Tarkov M.S. Mapping Graphs of Parallel Programs onto Graphs of Distributed Computer Systems by Neural Network Algorithms // Parallel Programming: Practical Aspects, Models and Current Limitations, ISBN 978-1-63321-957-1, Ed. Mikhail S. Tarkov, Nova Science Publishers, New York, 2014. - P. 33-58.
- В.А. Гриценко, Д.Р. Исламов, глава «Разработка энергонезависимой флэш памяти на кремнии» в книге «50 лет Институту физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук» / Отв. ред. И.Г. Неизвестный. Ред. Э.В. Скубневский. Новосибирск: Параллель, 2014 г., с. 311.
- Д.Р. Исламов, Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко, В.Ш. Алиев, А.А. Сараев, В.В. Каичев, М.В. Иванова, М.В. Заморянская, глава «Природа дефектов, ответственных за транспорт в элементе резистивной памяти на основе оксида гафния» в книге «Юбилейный сборник избранных трудов Института физик полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (1964-2014)» / Отв. ред. А.В. Латышев, А.В. Двуреческий, А.Л. Асеев. Новосибирск: Параллель, 2014. C. 614.
- И.Е. Тысченко, В.П. Попов, глава «Кремний-на-изоляторе» в книге «Юбилейный сборник Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (1964-2014)» / Отв. ред. А.В. Латышев, А.В. Двуреческий, А.Л. Асеев. Новосибирск. Параллель. 2014 г., с. 541-564.
- А.В. Шереметьев, В.П. Попов, Е.В. Чернявский, Ю.И. Красников, глава «Интегральные и гибридные технологии в кремниевой силовой электронике» в книге «Юбилейный сборник Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (1964-2014)» / Отв. ред. А.В. Латышев, А.В. Двуреческий, А.Л. Асеев. Новосибирск. Параллель. 2014 г., с. 570-593.
Статьи в рецензируемых журналах
- K. A. Malsagova, Yu. D. Ivanov, T. O. Pleshakova, A. F. Kozlov, N. V. Krohin, A. L. Kaysheva, I. D. Shumov, V. P. Popov, O. V. Naumova, B. I. Fomin, D. A. Nasimov. Biochemistry (Moscow) Supplement Series B: Biomedical Chemistry, 2014, 8 (3), 220-225.
- Д.Р. Исламов, В.А. Гриценко, Ч.Х. Ченг, А. Чин, Механизм переноса носителей заряда в диэлектриках с высокой диэлектрической проницаемостью и основанных на них элементах резистивной памяти, Автометрия, 2014, т. 50, №3, стр. 115-120 [D. R. Islamov, V. A. Gritsenko, C. H. Cheng, A. Chin, Charge carrier transport mechanism in high-k dielectrics and their based resistive memory cells, Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, 2014, V. 50N, n.3, p. 310-314].
- 3. T.V. Perevalov, V.Sh. Aliev, V.A. Gritsenko, A.A. Saraev, V.V. Kaichev, E.V. Ivanova, M.V., Zamoryanskaya, The origin of 2.7 eV luminescence and 5.2 eV excitation band in hafnium oxide, Applied Physics Letters, 2014, V. 104, P.071904.
- E.A. Kozlova, D.V. Markovskaya, S.V. Cherepanova, A.A. Saraev, E.Yu. Gerasimov, T.V. Perevalov, V.V. Kaichev, V.N. Parmon, Novel photocatalysts based on Cd1-xZnxS/Zn(OH)2 for the hydrogen evolution from water solutions of ethanol, International Journal of Hydrogen Energy, 2024, V. 39, P. 18758-18769.
- T.V. Perevalov, A.E. Dolbak, V.A. Shvets, V.A. Gritsenko; T.I. Asanova, S.B. Erenburg, , Atomic and electronic structure of gadolinium oxide, The European Physical Journal Applied Physics, 2014, V. 65, P. 10702.
- Atuchin, V.V. Kaichev, I.V. Korolkov, A.A. Saraev, I.B. Troitskaia, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, Electronic Structure of Noncentrosymmetric α-GeO2 with Oxygen Vacancy: Ab Initio Calculations and Comparison with Experiment, Journal of Physical Chemistry C, 2014, V. 118, P. 3644-3650.
- D. R. Islamov, T. V. Perevalov, V. A. Gritsenkov, et al., Origin of defects responsible for charge transport in resistive random access memory based on hafnia, Appl. Phys. Lett. 105, 222901 (2014).
- D. R. Islamov, V. A. Gritsenko, C. H. Cheng, and A. Chin. Percolation conductivity in hafnium sub-oxides. Applied Physics Letters 105, 262903 (2014).
- T. V. Perevalov, D. V. Gulyaev, V. S. Aliev, K. S. Zhuravlev, V. A. Gritsenko, and A. P. Yelisseyev. The origin of 2.7eV blue luminescence band in zirconium oxide. Journal of Applied Physics 116, 244109 (2014).
- Tarkov M.S., Polovinkin V.G., Bystrov A.S. Defect detecting in multi-element photodetector by wavelets and neural networks // Bulletin NCC, series Computer Science, 2014, issue 36. - P. 89-96.
- Tarkov M.S., Vytnova D.V., Zadorozhnyi A.F. An algorithm for registration of erythrocites on low-contrast images // Bulletin NCC, series Computer Science, 2014, issue 36. - P. 97-102.
- O. Naumova, B. Fomin, V. Popov, V. Strelchuk, A. Nikolenko, and A. Nazarov. An experimental study of properties of ultrathin Si layer with bonded Si/SiO2 interface. Advanced Materials Research, 2014, vol. 854, pp. 3-10.
- Тарков М.С., Дубынин С.В. Нейросетевой параллельный алгоритм слежения за объектом в реальном времени. Известия Томского политехнического университета. – 2014. – Т. 324, № 5.-С. 78-84.
- В.П. Попов, М.А. Ильницкий, О.В. Наумова, А.Н. Назаров. Квантовые поправки для пороговых напряжений полностью обедняемых КНИ транзисторов с двумя независимыми затворами. Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, вып. 10, стр. 1348-1353. // V. P. Popov, M. A. Ilnitskii, O. V. Naumova, A. N. Nazarov. Quantum corrections to the threshold voltage for fully depleted SOI transistors with two independent gates. Semiconductors, vol. 48, no. 10, pp 1348–1353, 2014.
- И.Е. Тысченко, В.А. Володин, В.В. Козловский, В.П. Попов. Эффект гидростатического давления в процессе отжига пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода. Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, вып. 10, стр.1339-1343.
- И.Е. Тысченко, М. Фельсков, А.Г. Черков, В.П. Попов. Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO2 структуры кремний-на-изоляторе. Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, вып. 9, стр.1228-1233.
- В.П. Попов, А. В. Тронин, А.В., А.В. Глухов, Ю.Д. Иванов. Электронные биохимические наносенсоры для клинических исследований. Инновации, 2014, №3, стр. 77-81.
- O. Naumova, B. Fomin, V. Popov, V. Strelchuk, A. Nikolenko and A. Nazarov. An experimental study of properties of ultrathin Si layer with bonded Si/SiO2 interface. Advanced Materials Research, 2014, vol. 854, pp. 3-10.