ПУБЛИКАЦИИ



2000

Статьи в рецензируемых журналах

  1. И.В. Антонова, В.Ф. Стась, Е.П. Неустроев, В.П. Попов, Л.С. Смирнов «Термоакцепторы в облученном кремнии”. ФТП, т. 34, в. 2, с. 162 – 167, 2000.
  2. И.В. Антонова, В.Ф. Стась, В.П. Попов, В.И. Ободников, А.К. Гутаковский. Проводимость КНИ структур, полученных сращиванием пластин кремния с использованием имплантации водорода. ФТП, т. 34, в. 9, 1095-1098, 2000.
  3. Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, M.-O. Ruault, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, O. Kaitasov, H. Bernas. Действие облучения и последующего отжига на нанокристаллы Si, сформированные в слоях SiO2. ФТП, т. 34, в. 8, сс. 1004-1009, 2000.
  4. Г.А. Качурин, Л. Реболе, И.Е. Тысченко, В.А. Володин, М. Фельсков, В. Скорупа, Х. Фреб. Формирование центров фотолюминесценции при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Ge. ФТП, т. 34, в. 1, с. 23-28, 2000.
  5. Бояркина Н.И., Васильев А.В. Участие электронной подсистемы кристалла в реакциях между многозарядными центрами в полупроводниках. ФТП, т. 34, в. 2, c. 172 – 175, 2000.
  6. И.В. Антонова, В.П. Попов, В.Ф. Стась «Блистеринг в кремнии, сильно легированном бором» Перспективные материалы" , № 6, 2000.
  7. И.В. Антонова, Е.П. Неустроев, В.П. Попов, В.Ф. Стась «Влияние облучения различными ионами на формирование донорных центров в кремнии». J.Advanced Materials. № 1 (2001).
  8. A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, A. Barcz, A. Romano-Rodriguez, I.V. Antonova, V.P. Popov, C.A. Londos, J. Jun. Effect of annealing at argon Pressure up to 1.2 GPa on hydrogen-implanted and hydrogen-plasma-etched single crystalline silicon, - Internat.Journ.of Hydrogen Energy.
  9. V.P. Popov, I.V. Antonova, V.F. Stas, L.V. Mironova, A.K. Gutakovskii, E.V. Spesivtsev, A.A. Franzusov, A.S. Mardegov, G. Feofanov “Properties of extremely thin silicon layer in silicon-on-insulator structure formed by smart-cut technology”, J. Mater. Sci. Eng. B, 73, 82 - 86 (2000).
  10. V.P. Popov, I.V. Antonova, A.K. Gutakovsky, E.V. Spesivtsev, I.I. Morosov «Ellipsometry and microscopy study of nanocrystalline Si:H layers formed by high-dose implantation of silicon”, J. Mater. Sci. Eng. B, 73, 120-123 (2000).
  11. V.P. Popov, I.V. Antonova, V.F. Stas, L.V. Mironova, E.P. Neustroev, A.K. Gutakovskii, A.A. Franzusov, G.N. Feofanov. “Structural and Electrical Properties of Silicon On Insulator Structures Manufactured on FZ-and Cz-Silicon by smart-cut technology” in P.L.F. Hemment (eds.) Perspectives, Science and Technologies for Novel SOI Devices, Kluwer, pp. 47-54, 2000.
  12. V.P. Popov, I.V. Antonova, E.P. Neustroev, D.V. Kilanov, A. Misiuk “Enhanced formation of thermal donors in oxygen implanted silicon annealed at different pressures”. Phys. B, B. 293, pp. 44-48, 2000.
  13. E.P. Neustroev, I.V. Antonova, V.P. Popov, V.F. Stas, V.A. Skuratov, A.Yu. Dyduk “Thermal donor formation in crystalline silicon irradiated by high energy ions”. NIM B. B 171, № 4, pp. 443-447, 2000.
  14. A. Misiuk, A. Barcz, J. Ratajczak, M. Lopez, A. Romano-Radriguez, J. Bak-Misiuk, H.B. Surma, J. Jung, I. Antonova, V. Popov. Effect of external stress on creation of burried SiO2 layer in silicon implanted with oxygen –.Mater. Sci. Eng. B.73, pp. 134-138, 2000.
  15. Г.А. Качурин, Л. Реболе, И.Е. Тысченко В.А. Володин, М. Фёльсков, В. Скорупа, Х. Фрёб, Формирование центров фотолюминесценции при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Ge. ФТП, т. 34, № 1, стр. 23-27, 2000.
  16. A. Misiuk, L. Rebohle, I.E. Tyschenko, A. Iller, J. Jun, A. Panas, Photoluminescence from pressure-annealed nanostructured silicon dioxide and nitride films, Nanostructured Films and Coatings, Kluwer Academic Publishers, pp. 157-170, 2000.
  17. I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, E.N. Vandyshev, L. Rebohle, A. Misiuk, R.A. Yankov, and W. Skorupa, Visible Photoluminescence from Germanium-Implanted Silicon Oxynitride Films after Annealing under Hydrostatic Pressure, Defects and Diffusion in Ceramics, v. 186-187, pp. 71-78, 2000.
  18. Г.П. Похил, В.П. Попов, А.К. Гутаковский, Деканалирование ионов в нанокристаллических слоях Si:Н, полученных облучением кремния ионами водорода. Известия АН, т. 64, в. 11, с. 2114-2119, 2000.