ПУБЛИКАЦИИ
2017
Монографии
- В. А. Гриценко, Д. Р. Исламов. Физика диэлектрических пленок: механизмы транспорта заряда и физические основы приборов памяти. Отв. Ред. В.А. Гриценко. Новосибирск: Параллель. 2017. 352 с. ISBN: 978-5-98901-198-8
- I.E. Tyschenko, V.P. Popov. “Silicon-on-insulator structures produced by ion-beam synthesis and hydrogen transfer” in book “Advances in semiconductor nanostructures” ed. by Alexander V. Latyshev, Anatoliy V. Dvurechenskii, Alexander L. Aseev.. Elsevier, 552 p., 2017, 409-436. ISBN: 978-0-12-810512-2.
- D.R. Islamov, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, V. Sh. Aliev, A.A. Saraev, V.V. Kaichev, E.V. Ivanova, M.V. Zamoryanskaya, A. Chin. “The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element” Advances in “Semiconductor Nanostructures Growth, Characterization, Properties and Applications” ed. by Alexander V. Latyshev, Anatoliy V. Dvurechenskii, Alexander L. Aseev. Elsevier. 2017. p. 493-504. ISBN: 978-0-12-810512-2.
Статьи в рецензируемых журналах
- V.P. Popov, V.A. Antonov, V.I. Vdovin, A.V. Miakonkikh, K.V. Rudenko. Positive charge compensation with interface HfO2 layer in SOS structures formed by silicon layer transfer on c-sapphire. Nanotechnology: Focus on Electronics, Photonics and Renewable Energy. presented at November 2017.
- K. A. Malsagova, T.O. Pleshakova , R.A. Galiullin, I.D. Shumov, M.A. Ilnitskii, A.V. Glukhov, V.P. Popov, A.I. Archakov, Yu.D. Ivanov. Highly sensitive detection of HCVcoreAg by means of a nanowire aptasensor conjugated to a microwave generator. Journal: Proteomes Manuscript ID: proteomes-248091, presented at November 2017.
- D. Braukmann, V. P. Popov, E. R. Glaser, T. A. Kennedy, M. Bayer, J. Debus. Anisotropies in the linear polarization of vacancy photoluminescence in diamond induced by crystal rotations and strong magnetic fields. arXiv:1612.02716v2 [cond-mat.mes-hall], Phys.Rev.B presented at 2017.
- M. Ilnitskii, A. Miakonkikh, K. Malsagova, V. Popov, Yu. Ivanov, T. Pleshakova, A. Archakov, K. Rudenko, A. Glukhov, A. Rogozhin. High-K stack protected nanowire fet chips for biosensing application. High-k stack protected nanowire FET chips for biosensing application. Microelectronics Engineering, presented at October 2017.
- А. М. Борисов, В. А. Казаков, Е. С. Машкова, М. А. Овчинников, Ю. Н. Пальянов, В. П. Попов, Е. А. Шмыткова. Оптические и электрические свойства cинтетического монокристалла алмаза при высокодозном ионном облучении. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2017, № 6, с. 49–55.
- М.В. Тареева, В.А. Антонов, В. П.Попов, Ю.Н. Пальянов, К.А. Царик, А.О. Литвинова. Комбинационное рассеяние света в субмикронной алмазной мембране полученной методом переноса водородом. Краткие сообщения по физике ФИАН, 2017, т.44, № 7, c.40-46. // M. V. Tareeva, V. A. Antonov, V. P. Popov, Yu.N. Palyanov, K. A. Tsarik, and A. O. Litvinova. Raman Scattering in the Submicrometer Diamond Membrane Formed by the Lift-Off Technique. Bulletin of the Lebedev Physics Institute, 2017, Vol. 44, No. 7, pp. 210–214.
- V.P. Popov, M.A. Ilnitskii, G.P. Pokhil, A.I. Titov, P.A. Karaseov, K.V. Karabeshkin, Yu.N. Pal’yanov, S. Rubanov. Ranges of 10 - 350 keV hydrogen and H2 ions in (111) diamond. Nuclear Instruments and Methods in Physical Research B, Vol.406, pp.634-637, 2017. DOI:10.1016/j.nimb.2016.12.020.
- И. Е. Тысченко, А.Г. Черков, В.А. Володин, M. Voelskow. Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO2. ФТП, т. 51, в. 9, 2017, с. 1289-1294.
- И.Е. Тысченко, А.Г. Черков. Диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Ge в пленках SiO2 в условиях ионного синтеза под высоким давлением. ФТП, т. 51, в. 10, 2017, с. 1414-1419.
- И.Е. Тысченко, Г.К. Кривякин, В.А. Володин. Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiOxNy при отжиге под высоким давлением. ФТП, т. 52, в. 2, 2018, с. 280-284.
- Тарков М.С. Редукция связей автоассоциативной памяти Хопфилда // Прикладная дискретная математика, 2017, №37, с. 107-113.
- D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, M.S. Lebedev, Determination of trap density in hafnia films produced by two atomic layer deposition techniques, Microelectronic Engineering, 2017, v. 178, p. 104-107. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2017.05.004
- T.V. Perevalov, D.R. Islamov, Atomic and electronic structure of oxygen polyvacancies in ZrO2, Microelectronic Engineering, 2017, v. 178, p. 275-278. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2017.05.036
- Д.Р. Исламов, В.А. Гриценко, А. Чин, О транспорте заряда в тонких пленках оксидов гафния и циркония, Автометрия, 2017, Т. 53, № 2, С. 102-108. DOI:10.15372/AUT20170212
- A.A. Chernov, D.R. Islamov, A.A. Pik’nik, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, Three-dimensional non-linear complex model of dynamic memristor switching, ECS Transactions, 2017, v. 75, iss. 32, p. 95-104. DOI: 10.1149/07532.0095ecst
- D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, M.S. Lebedev, Determination of Trap Density in Hafnium Oxide Films Produced by Different Atomic Layer Deposition Techniques. ECS Transactions, 2017, v. 80, iss. 1, p. 265-270. DOI:10.1149/08001.0265ecst
- T.V. Perevalov, D.R. Islamov, Oxygen Polyvacancies as Conductive Filament in Zirconia: First Principle Simulation, ECS Transactions, 2017, v. 80, iss. 1, p. 357-262. DOI:10.1149/08001.0357ecst
- D.R. Islamov, O.M. Orlov, V.A. Gritsenko, G. Ja. Krasnikov, The Charge Trap Density Evolution in Wake-up and Fatigue Modes of FRAM, ECS Transactions, 2017, v. 80, iss. 1, p. 279-281. DOI:10.1149/08001.0279ecst
- D.R. Islamov, A.G. Chernikova, M.G. Kozodaev, A. M. Markeev, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, O.M. Orlov, Leakage currents mechanism in thin films of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2, Journal of Physics: Conference Series, 2017, v. 864, p. 012002. DOI: 10.1088/1742-6596/864/1/012002
- D.R Islamov, V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, O.M. Orlov, G.Ya. Krasnikov, Mechanism of charge transport of stress induced leakage current and trap nature in thermal oxide on silicon, Journal of Physics: Conference Series, 2017, v. 864, p. 012003. DOI: 10.1088/1742-6596/864/1/012003
- T.V. Perevalov, D.R. Islamov, Oxygen polyvacancy in anatas as a filament: first principle investigation, Journal of Physics: Conference Series, 2017, v. 864, p. 012084. DOI: 10.1088/1742-6596/864/1/012084vD.R. Islamov, A.G. Chernikova, M.G. Kozodaev, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, O.M. Orlov, A.V. Markeev, Leakage Currents Mechanism in Thin Films of Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2, ECS Transactions, 2017, v.75, iss. 32, p. 123-129. DOI: 10.1149/07532.0123ecst
- A.A. Chernov, A.A. Pil’nik, D.R. Islamov, Bulk Crystallization of Supercooled Metal Films, ECS Transactions, 2017, v. 75, iss. 30, p. 33-37. DOI: 10.1149/07530.0033ecst
- В.А. Гриценко, Горячие электроны в оксиде кремния, УФН, 2017, Т. 187, С. 971-979. DOI: 10.3367/UFNr.2016.12.038008, URL: https://ufn.ru/ru/articles/2017/9/c/
- Т.В. Перевалов, Моделирование атомной и электронной структуры вакансий и поливакансий кислорода в ZrO2, Физика твердого тела, 2018, Т. 60, Вып. 3. Принята к печати.
- Ю.Н. Новиков “Дырочно-стимулированный перенос ловушек в диэлектриках” Письма в ЖЭТФ, том 105, вып. 10, с. 605 – 609 (2017)