ПУБЛИКАЦИИ



2017

Монографии

  1. В. А. Гриценко, Д. Р. Исламов. Физика диэлектрических пленок: механизмы транспорта заряда и физические основы приборов памяти. Отв. Ред. В.А. Гриценко. Новосибирск: Параллель. 2017. 352 с. ISBN: 978-5-98901-198-8
  2. I.E. Tyschenko, V.P. Popov. “Silicon-on-insulator structures produced by ion-beam synthesis and hydrogen transfer” in book “Advances in semiconductor nanostructures” ed. by Alexander V. Latyshev, Anatoliy V. Dvurechenskii, Alexander L. Aseev.. Elsevier, 552 p., 2017, 409-436. ISBN: 978-0-12-810512-2.
  3. D.R. Islamov, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, V. Sh. Aliev, A.A. Saraev, V.V. Kaichev, E.V. Ivanova, M.V. Zamoryanskaya, A. Chin. “The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element” Advances in “Semiconductor Nanostructures Growth, Characterization, Properties and Applications” ed. by Alexander V. Latyshev, Anatoliy V. Dvurechenskii, Alexander L. Aseev. Elsevier. 2017. p. 493-504. ISBN: 978-0-12-810512-2.

Статьи в рецензируемых журналах

  1. V.P. Popov, V.A. Antonov, V.I. Vdovin, A.V. Miakonkikh, K.V. Rudenko. Positive charge compensation with interface HfO2 layer in SOS structures formed by silicon layer transfer on c-sapphire. Nanotechnology: Focus on Electronics, Photonics and Renewable Energy. presented at November 2017.
  2. K. A. Malsagova, T.O. Pleshakova , R.A. Galiullin, I.D. Shumov, M.A. Ilnitskii, A.V. Glukhov, V.P. Popov, A.I. Archakov, Yu.D. Ivanov. Highly sensitive detection of HCVcoreAg by means of a nanowire aptasensor conjugated to a microwave generator. Journal: Proteomes Manuscript ID: proteomes-248091, presented at November 2017.
  3. D. Braukmann, V. P. Popov, E. R. Glaser, T. A. Kennedy, M. Bayer, J. Debus. Anisotropies in the linear polarization of vacancy photoluminescence in diamond induced by crystal rotations and strong magnetic fields. arXiv:1612.02716v2 [cond-mat.mes-hall], Phys.Rev.B presented at 2017.
  4. M. Ilnitskii, A. Miakonkikh, K. Malsagova, V. Popov, Yu. Ivanov, T. Pleshakova, A. Archakov, K. Rudenko, A. Glukhov, A. Rogozhin. High-K stack protected nanowire fet chips for biosensing application. High-k stack protected nanowire FET chips for biosensing application. Microelectronics Engineering, presented at October 2017.
  5. А. М. Борисов, В. А. Казаков, Е. С. Машкова, М. А. Овчинников, Ю. Н. Пальянов, В. П. Попов, Е. А. Шмыткова. Оптические и электрические свойства cинтетического монокристалла алмаза при высокодозном ионном облучении. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2017, № 6, с. 49–55.
  6. М.В. Тареева, В.А. Антонов, В. П.Попов, Ю.Н. Пальянов, К.А. Царик, А.О. Литвинова. Комбинационное рассеяние света в субмикронной алмазной мембране полученной методом переноса водородом. Краткие сообщения по физике ФИАН, 2017, т.44, № 7, c.40-46. // M. V. Tareeva, V. A. Antonov, V. P. Popov, Yu.N. Palyanov, K. A. Tsarik, and A. O. Litvinova. Raman Scattering in the Submicrometer Diamond Membrane Formed by the Lift-Off Technique. Bulletin of the Lebedev Physics Institute, 2017, Vol. 44, No. 7, pp. 210–214.
  7. V.P. Popov, M.A. Ilnitskii, G.P. Pokhil, A.I. Titov, P.A. Karaseov, K.V. Karabeshkin, Yu.N. Pal’yanov, S. Rubanov. Ranges of 10 - 350 keV hydrogen and H2 ions in (111) diamond. Nuclear Instruments and Methods in Physical Research B, Vol.406, pp.634-637, 2017. DOI:10.1016/j.nimb.2016.12.020.
  8. И. Е. Тысченко, А.Г. Черков, В.А. Володин, M. Voelskow. Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO2. ФТП, т. 51, в. 9, 2017, с. 1289-1294.
  9. И.Е. Тысченко, А.Г. Черков. Диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Ge в пленках SiO2 в условиях ионного синтеза под высоким давлением. ФТП, т. 51, в. 10, 2017, с. 1414-1419.
  10. И.Е. Тысченко, Г.К. Кривякин, В.А. Володин. Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiOxNy при отжиге под высоким давлением. ФТП, т. 52, в. 2, 2018, с. 280-284.
  11. Тарков М.С. Редукция связей автоассоциативной памяти Хопфилда // Прикладная дискретная математика, 2017, №37, с. 107-113.
  12. D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, M.S. Lebedev, Determination of trap density in hafnia films produced by two atomic layer deposition techniques, Microelectronic Engineering, 2017, v. 178, p. 104-107. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2017.05.004
  13. T.V. Perevalov, D.R. Islamov, Atomic and electronic structure of oxygen polyvacancies in ZrO2, Microelectronic Engineering, 2017, v. 178, p. 275-278. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2017.05.036
  14. Д.Р. Исламов, В.А. Гриценко, А. Чин, О транспорте заряда в тонких пленках оксидов гафния и циркония, Автометрия, 2017, Т. 53, № 2, С. 102-108. DOI:10.15372/AUT20170212
  15. A.A. Chernov, D.R. Islamov, A.A. Pik’nik, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, Three-dimensional non-linear complex model of dynamic memristor switching, ECS Transactions, 2017, v. 75, iss. 32, p. 95-104. DOI: 10.1149/07532.0095ecst
  16. D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, M.S. Lebedev, Determination of Trap Density in Hafnium Oxide Films Produced by Different Atomic Layer Deposition Techniques. ECS Transactions, 2017, v. 80, iss. 1, p. 265-270. DOI:10.1149/08001.0265ecst
  17. T.V. Perevalov, D.R. Islamov, Oxygen Polyvacancies as Conductive Filament in Zirconia: First Principle Simulation, ECS Transactions, 2017, v. 80, iss. 1, p. 357-262. DOI:10.1149/08001.0357ecst
  18. D.R. Islamov, O.M. Orlov, V.A. Gritsenko, G. Ja. Krasnikov, The Charge Trap Density Evolution in Wake-up and Fatigue Modes of FRAM, ECS Transactions, 2017, v. 80, iss. 1, p. 279-281. DOI:10.1149/08001.0279ecst
  19. D.R. Islamov, A.G. Chernikova, M.G. Kozodaev, A. M. Markeev, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, O.M. Orlov, Leakage currents mechanism in thin films of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2, Journal of Physics: Conference Series, 2017, v. 864, p. 012002. DOI: 10.1088/1742-6596/864/1/012002
  20. D.R Islamov, V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, O.M. Orlov, G.Ya. Krasnikov, Mechanism of charge transport of stress induced leakage current and trap nature in thermal oxide on silicon, Journal of Physics: Conference Series, 2017, v. 864, p. 012003. DOI: 10.1088/1742-6596/864/1/012003
  21. T.V. Perevalov, D.R. Islamov, Oxygen polyvacancy in anatas as a filament: first principle investigation, Journal of Physics: Conference Series, 2017, v. 864, p. 012084. DOI: 10.1088/1742-6596/864/1/012084vD.R. Islamov, A.G. Chernikova, M.G. Kozodaev, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, O.M. Orlov, A.V. Markeev, Leakage Currents Mechanism in Thin Films of Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2, ECS Transactions, 2017, v.75, iss. 32, p. 123-129. DOI: 10.1149/07532.0123ecst
  22. A.A. Chernov, A.A. Pil’nik, D.R. Islamov, Bulk Crystallization of Supercooled Metal Films, ECS Transactions, 2017, v. 75, iss. 30, p. 33-37. DOI: 10.1149/07530.0033ecst
  23. В.А. Гриценко, Горячие электроны в оксиде кремния, УФН, 2017, Т. 187, С. 971-979. DOI: 10.3367/UFNr.2016.12.038008, URL: https://ufn.ru/ru/articles/2017/9/c/
  24. Т.В. Перевалов, Моделирование атомной и электронной структуры вакансий и поливакансий кислорода в ZrO2, Физика твердого тела, 2018, Т. 60, Вып. 3. Принята к печати.
  25. Ю.Н. Новиков “Дырочно-стимулированный перенос ловушек в диэлектриках” Письма в ЖЭТФ, том 105, вып. 10, с. 605 – 609 (2017)