Лаборатория физических основ материаловедения кремния
РУКОВОДИТЕЛЬ
Владимир Павлович Попов д.ф.-м.н., зав.лаб.
тел. (383) 333-25-37, 333-24-93, 330-52-59 (факс) 139 АК
E-mail:
Научная деятельность:
В.П. Попов – специалист в области кремниевого материаловедения, микро- и наноэлектроники. Основные научные интересы связаны с полупроводниковым материаловедением и приборами, взаимодействием излучения с веществом. Они включают синтез двумерных материалов (алмаз и углеродные аллотропы, кремний-германиевые нанослои и многослойные гетероструктуры с диэлектриком, метод водородного переноса, наноразмерные приборные структуры, полевые транзисторы, биохимические электронные наносенсоры, синаптические транзисторы. В.П. Поповым получены за 5 последних лет следующие научные результаты: систематизированы данные по неравновесным структурным и фазовым превращениям и свойствам дефектов и примесей в кремнии и его соединениях при радиационно-термических воздействиях, развиты методы получения многослойных полупроводниковых гетероструктур-на-изоляторе (ГНИ) с помощью водородного переноса, например, кремния-на-изоляторе (КНИ); кремния-на-сапфире (КНС), алмаза-на-кремнии и кремния-на-алмазе (КНА), получены новые материалы и разработаны новые конструкции силовых биполярно-полевых транзисторов и диодов; классических и нанопроволочных КНИ КМОП транзисторов и интегральных схем, а также фотоэлектрических преобразователей на основе кремния и биохимических электронных сенсоров на КНИ нанопроволочных транзисторах с фемтомольной чувствительностью.
Образование:
В.П. Попов в 1972 г. окончил среднюю школу №160 г. Новосибирска и поступил на физический факультет Новосибирского государственного университета, который окончил в 1977 г. Кандидатскую диссертацию «Взаимодействие примесей и дефектов в твердых растворах кремния» защитил в 1986 г. Докторская диссертация «Формирование многослойных гетерофазных структур в имплантированном ионами кремнии» защищена в 2005 г. За время работы опубликовал, как автор и соавтор, свыше 170 работ в рецензируемых журналах, более 35 раз был приглашённым докладчиком на российских и международных конференциях, участвовал и руководил работой международных научных групп из США, Германии, Польши, Украины.
Трудовая деятельность:
С 1977 и по настоящее время работает в ИФП СО РАН, сначала стажёром-исследователем, затем инженером, аспирантом, младшим, старшим научным сотрудником, а с 1991 г. заведующим лабораторией и отдела. С 1998 г. под его руководством создана и работает единственная в России линейка для получения КНИ структур, обеспечившая изготовление более 5 тысяч КНИ пластин для выполнения особо важных НИР и ОКР в организациях Росатома, Роскосмоса и Ростехпрома.
Участие в образовательной деятельности:
Курсы лекций для аспирантов и соискателей КБТУ (Алма-Ата):
1.Методы исследований наноструктурированных пленок;
2.Практическое моделирование для наноразмерных систем.
Член Диссертационного совета Д 003.037.01 при ИФП СО РАН. Под его научным руководством защищена одна докторская и одна кандидатская диссертации соискателей из Института.
Индексы цитируемости:
Индекс Хирша (2013 г.) - 12
Число публикаций за период с 1978 года в изданиях, индексируемых в РИНЦ -200;
из них с 2009 года - 50:
24 - опубликовано в изданиях, индексируемых в Web of Science;
27 - опубликовано в изданиях, индексируемых в Scopus;
39 - опубликовано в изданиях, индексируемых в РИНЦ.
В.П. Поповым с 2009 года получены следующие результаты (ссылки на публикации см. в пункте ниже):
- развиты новые методы и получены наноразмерные полупроводниковые гетероструктуры [3, 7-12], разработаны новые конструкции наноразмерных КНИ КМОП транзисторов [1-5,12,13,15] и биохимических сенсоров на основе КНИ нанопроволочных структур [1, 4-6, 13-15].
-систематизированы данные по неравновесным структурным и фазовым превращениям, свойствам дефектов и примесей в кремнии и алмазе при радиационных и термических воздействиях, в том числе при высоких давлении-температуре (НРНТ) [3,7-11].
В.П. Попов опубликовал за последние 5 лет около 100 работ, в том числе более 30 статей в рецензируемых изданиях, три патента и три монографии. Доклады представлялись в более чем 20 приглашённых докладах на международных и отечественных симпозиумах и конференциях. Результаты цикла работ по разработке научных основ и наукоёмких технологий создания наноразмерных гетероструктур-на-изоляторе неоднократно включались в перечень лучших достижений РАН.
Премии и награды:
Малая золотая медаль Сибирской ярмарки Наука-98: Монокристалл БЗП-кремния. 1998 г.
Диплом Конкурса Малая золотая медаль Сибирской ярмарки – За выпуск серии интегральных МОП управляемых тиристоров на БЗП кремнии. – 2000 г.
Диплом Конкурса Большая золотая медаль Всесибирской политехнической выставки Мощные модульные электронные преобразователи на основе МОП управляемых тиристоров. – 2002.
Диплом Конкурса Бронзовая медаль IV московского международного салона инноваций и инвестиций: Структура кремний-на-изоляторе полученная методом “DeleCut” для нанотехнологий СБИС. - 2004 г.
Диплом Конкурса Малая золотая медаль Сибирской ярмарки – КНИ нанотранзистор – основа вычислительной техники 21 века. – 2004 г.
Почётная грамота губернатора Новосибирской области за большой вклад в научную и научно-педагогическую деятельность - 2004 г.
Почётная грамота РАН за большой вклад в развитие академической науки производительных сил Сибири - 2007 г.
Избранные публикации за последние 5 лет:
Yu.D. Ivanov, T.O. Pleshakova, V.P. Popov, O.V. Naumova, A.L. Aseev and A.I. Archakov. SOI-Nanowire Biosensors for High-Sensitivity Protein and Gene Detection. p. 445-467. In: Functional Nanomaterials and Devices for Electronics, Sensors and Energy Harvesting, Nazarov, A., Francis, B., Valeriya, K., Flandre, D. (Eds.) Springer 2014, IX, 467 p. (ISBN 978-3-319-08803-7).
В.П. Попов, М.А. Ильницкий, О.В. Наумова, А.Н. Назаров. Квантовые поправки для пороговых напряжений полностью обедняемых КНИ транзисторов с двумя независимыми затворами. Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, вып. 10, стр. 1348-1353.
T. Rudenko, A. Nazarov, V. Kilchytska, D. Flandre, V. Popov, M. Ilnitsky, V. Lysenko. Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2013, 16 (3), 299-314.
И.Е. Тысченко, В.А. Володин, А.Г. Черков, В.П. Попов. Кристаллизация плёнок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием термических миллисекундных импульсов. ФТП, 2013, т. 47, в. 5, с. 591-596.
М.А. Ильницкий, О.В. Наумова, Л.Н. Сафронов, В.П. Попов. Отклик КНИ-нанопроволочных сенсоров на адсорбцию нейтральных частиц, Автометрия, 2013, т. 49, № 1, с. 119-125.
Naumova O.V., Fomin B.I., Malyarenko N.F., Popov V.P. Modification and characterization of the surface of SOI nanowire sensors.- J. Nano Res., 2012, v. 18-19, p. 139-147, 2012.
Yu.D. Ivanov, T.O. Pleshakova, A.F. Kozlov, K.A. Malsagova, N.V. Krohin, V.V. Shumyantseva, I.D. Shumov, V.P. Popov, O.V. Naumova, B.I. Fomin, D.А. Nasimov, A.L. Aseev and A.I. Archakov. Nanowire biosensor for detection of HBsAg and alpha-fetoprotein. Lab on a Chip, 12 (23), 2012, p. 5104-5111.
V.P. Popov, V.A. Antonov, L.N. Safronov, I.N. Kupriyanov, Yu.N. Pal’yanov, S. Rubanov. Fabrication of Ultra-Thin Diamond Films Using Hydrogen Implantation and Lift-off Technique // AIP Proceedings, 2012, v. 1496, p. 261-264.
V.N. Popok, J. Samela, K. Nordlund, V.P. Popov. Stopping of keV-energy argon clusters and radiation damage in diamond. Phys. Rev. B, 2012, v. 85, p. 033405 (4).
V.N. Popok, J. Samela, K. Nordlund, V.P. Popov. Impact of keV-energy argon clusters on diamond and graphite. Nuclear Instruments and Methods in Physical Research B, V. 282, 2012, pp. 112-115. doi:10.1016/j.nimb.2011.08.055.
V.P. Popov, L.N. Safronov, O.V. Naumova, D.V. Nikolaev, I.V. Kupriyanov, Yu.N. Palyanov. Conductive layers in diamond formed by hydrogen ion implantation and annealing. Nuclear Instruments and Methods in Physical Research B, V. 282, 2012, pp. 100-107. doi:10.1016/j.nimb.2011.08.050.
I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, V.P. Popov. Radiative recombination in silicon-on-insulator layers implanted with high dose of H+ ions. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. V. 282, 2012, pp. 73-75.
И.Е. Тысченко, В.П. Попов. Структуры кремний-на-изоляторе с азотированным захороненным слоем SiO2: метод создания и свойства. ФТП, т. 45, в. 3, 2011, с. 335-342.
V.P. Popov, M.A. Ilnitsky. Model of Nonuniform Channel for the Charge Carrier Transport in Nanoscale FETs. Advanced Mater., vol. 276 (2011) pp. 59-65; ISBN: 978-3-03785-178-4.
V.P. Popov, O.V. Naumova, Yu.D. Ivanov. Universal sensing platform of SOI nanowire transistor matrix for femtomole electronic bio and chemical sensors. In: “Semiconductor-On-Insulator Materials for NanoElectonics Applications” Eds. J.-P. Colinge, A.N. Nazarov, F. Balestra and others://Springer, January 2011, p. 352-363.
