Лаборатория физических основ материаловедения кремния

ПУБЛИКАЦИИ



1993

Монографии

  1. V.A. Gritsenko, Structure and Electronic Properties of Amorphous Dielectrics in Silicon MIS Structures, p. 280, 1993, Ed. Science, Novosibirsk, Russia.

Статьи в рецензируемых журналах

  1. Антонова И.В., Шаймеев С.С., Тысченко И.Е. "Исследование методом DLTS дефектов, образующихся в кремнии при высокотемпературном облучении ионами N" ФТП, 1993, т. 27, в. 3, с. 234-238.
  2. Gerasimenko N.N., Myasnikov A.M., Obodnikov V.I., Safronov L.N. "Redistribution of magnesium in InAs during post-implantation annealing". Nuclear Instrum. Meth. in Phys. Res., 1993, v. B80.
  3. Сафронов Л.Н. "Диффузия компонентов и примесей в кластеризующихся твердых растворах". ФТП, 1993, т. 27, в. 8, с. 1286-1296.
  4. Kachurin G.A., Akhmetov V.D., Tyschenko I.E., Plotnikov A.E. "Roles of implantation temperature and ion dose rate in ion beam synthesis of buried Si3N4 layers". Nucl. Instr. Meth., 1993, v B74, n. 3, p. 399-404.
  5. Качурин Г.А., Тысченко И.Е. "Поведение бора и азота в приповерхностном слое кремния при синтезе захороненных слоев имплантацией ионов N+". ФТП, 1993, т. 27, в. 7, с. 1194-1201.
  6. Двуреченский А.В., Ремесник В.Г., Рязанцев И.А., Талипов Н.Х. "Инверсия типа проводимости слоев CdxHg1-xTe, подвергнутых плазменной обработке". ФТП, 1993, т. 27, в. 1, с. 168-171.
  7. Антонова И.В., Шаймеев С.С. «Воздействие ионной имплантации на диффузию золота в кремнии». Phys. Stаt. Sol.