Лаборатория физических основ материаловедения кремния

ПУБЛИКАЦИИ



2010

Монографии

  1. В.А. Гриценко, И.Е. Тысченко, В.П. Попов, Т.В. Перевалов. Диэлектрики в наноэлектронике. отв. ред. А.Л. Асеев. Новосибирск, изд-во СО РАН, 2010 г., 258 с. (ISBN 978-5-7692-1081-5).

Статьи в рецензируемых журналах

  1. O.V. Naumova, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, N.V. Dudchenko, S.F. Devjatova, E.D. Zhanaev, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Yu.D. Ivanov, A.I. Archakov. SOI-nanowires as sensors of charge. Solid State Technology (c), 25 (5), 055004(7) (2010).
  2. V.P. Popov, O.V. Naumova, Yu.D. Ivanov. Universal sensing platform of SOI nanowire transistor matrix for femtomole electronic bio and chemical sensors. In: “Semiconductor-On-Insulator Materials for NanoElectonics Applications” Eds. J.-P. Colinge, A.N. Nazarov, F. Balestra and others://Springer, November 2010, p.352-363.
  3. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, D.V. Marin, A.G. Cherkov, V.A. Skuratov. Light-emitting Si nanostructures formed in silica layers by irradiation with swift heavy ions. Appl.Phys. A (2010), 98, 873-877.
  4. Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Скуратов, Д.В. Марин, А.Г. Черков. Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO2 при облучении быстрыми тяжелыми ионами. ФТП 2010, т. 44, в. 4, стр. 544-549.
  5. В.А. Гриценко, И.Е. Тысченко, В.П. Попов, Т.В. Перевалов. Диэлектрики в наноэлектронике. отв. ред. А.Л. Асеев. Новосибирск, изд-во СО РАН, 2010 г., 258 с. (ISBN 978-5-7692-1081-5).