Зайцева Эльза Гайнуллаевна

ФИО Зайцева Эльза Гайнуллаевна
Тема Подвижность электронов в тонких пленках кремния
Описание Диссертация представлена на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 1.3.11 – физика полупроводников.
Автореферат
Текст диссертации
(размещён 24.10.2022)
Научный руководитель д.ф.-м.н., вед.научный сотрудник, Наумова Ольга Викторовна, заведующая лабораторией технологии кремниевой микроэлектроники, отзыв
Оппоненты

Масальский Николай Валерьевич, к.ф.-м.н., ведущий научный сотрудник, Федеральное государственное учереждение Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН)

E-mail организации: , отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

  1. Румянцев С.В. Исследование эффектов самонагревания в высоковольтных КНИ транзисторах с большой областью дрейфа/ С.В. Румянцев, А.Н. Новоселов, Н.В. Масальский // Микроэлектроника. – 2021. – Т. 50. – С. 314
  2. Масальский Н.В. Моделирование кремниевых цилиндрических с полностью охватывающим затвором КМОП-нанотранзисторах с переменным радиусом рабочей области/ Н.В. Масальский // Микроэлектроника. – 2022. – Т. 51. – С. 265
  3. Масальский Н.В. Моделирование характеристик двух затворных ассиметрично-легированных КНИ КМОП-нанотранзисторов / Н.В. Масальский // Микроэлектроника. – 2018. – Т. 47. – С. 40
  4. Масальский Н.В. Кремниевые нанотранзисторы для биосенсоров. Биомедицинская радиоэлектроника. – 2020, т. 23, №2, с. 74-79
  5. Масальский Н.В. Моделирование ВАХ ультратонких КНИ КМОП нанотранзисторов с полностью охватывающим затвором / Н.В. Масальский // Микроэлектроника. – 2021. – Т. 50. – С. 428
  6. Масальский Н.В. Расширенный подход к моделированию вольт-амперных характеристик КНИ МОП-транзистора / Н.В. Масальский // Нано- и микросистемная техника. – 2019. – Т. 21. – С. 153
  7. Масальский Н.В. Мультизатворные кремниевые нанотранзисторы для высокочувствительного маломощного биосенсора / Н.В. Масальский // Датчики и системы. – 2021. – Т. 6. – С. 40

Давыдов Валерий Николаевич, д.ф.-м.н., профессор, кафедра электронных приборов, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники , Web-сайт: https://tusur.ru , отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

  1. Davydov V.N. Application of the Onzager principle to the polar-axial phenomena in crystal physics / V.N. Davydov, O.A. Karankevich. // Russian Physics Journal. 2018. – V.61. – No.10. – P. 1922-1932. DOI: 10.1007/s11182-019-01619-w.
  2. Давыдов В.Н. Ограничение числа уровней размерного квантования в элементах наноэлектроники / В.Н. Давыдов, О.Ф. Задорожный, О.А. Каранкевич // Известия высших учебных заведений. Физика. – 2019. – Т. 62. – С. 499-504.
  3. Давыдов В.Н. Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами / В.Н. Давыдов, А.Н. Лапин, О.Ф. Задорожный // Известия высших учебных заведений. Физика. – 2021. – Т. 64. – С. 144-147.
  4. Davydov V.N. Capture and emission of charge carriers by quantum well / V.N. Davydov, O.A. Karankevich. Russian Physics Journal. 2018. – V.61. – No.2. – P. 223231. DOI: 1064-8887/18/6102-0223.
  5. Давыдов В.Н. Энергетические возмож-ности светодиодной гетероструктуры с квантовыми ямами комбинированного профиля. / В.Н. Давыдов, О.Ф. Задорожный. // Известия вузов. Физика. – 2022. – Т.65. - № 5. – С.119-127. DOI: 10.17223/00213411/65/5/119.
Ведущая организация

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского» (ННГУ) , Web-сайт: https://unn.ru, отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет (10-15):

  1. Koryazhkina M.N. Electrical properties of silicon-oxide-based memristors on silicon-on-insulator substrates / M.N. Koryazhkina, D.O. Filatov, S.V. Tikhov, A.I. Belov, D.S. Korolev, A.V. Kruglov, R.N. Kryukov, S.Yu. Zubkov, V.A. Vorontsov, D.A. Pavlov, D.I. Tetelbaum, A.N. Mikhailov, S. Kim // Nanobiotechnology Reports. – 2021. – Vol. 16. – PP. 745-754.
  2. Сресели О.М. Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур α-Si/SiO2 и α-Ge/SiO2 на подложках p-Si, отоженных при разных температурах / О.М. Сресели, М.А. Елистратова, Д.Н. Горячев, Е.В. Берегулин, В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, А.В. Ершов // ФТП. – 2020. – Т. 54. – С. 1112-1116.
  3. Koryazhkina M.N. Bipolar resistive switching in metal-insulator-semiconductor nanostructures based on silicon nitride and silicon oxide / M.N. Koryazhkina, S.V. Tikhov, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.S. Korolev, I.A. Antonov, V.V. Karzanov, O.N. Gorshkov, D.I. Tetelbaum, P. Karakolis // IOP Conf. Series: Journal of physics: Conf. series. – 2018. – Vol. 993. – 012028
  4. Тихов С.В. Резистивное переключение в структурах металл-оксид-полупроводник с наноостравками GeSi на подложке кремния / С.В. Тихов, В.Г. Шегунов, С.А. Денисов, И.Н. Антонов, А.В. Круглов, А.И. Белов, Д.О. Филатов, О.Н. Горшков, А.Н. Михайлов // Журнал технической физики. – 2020. – Т. 90. – С. 1741-1749.
  5. Эволюция дефектной структуры при ионном синтезе гексагональной фазы кремния / Д.С. Королев, А.А. Никольская, А.И. Белов, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум // Материалы докладов 13-ой Международной конференции «Взаимодействие излучений с твердым телом». – 2019.
  6. Формирование включений кремния гексоганальной фазы при ионной имплантации в структуру SiO2/Si / А.А. Никольская, Д.С. Королев, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Н.О. Кривулин, Д.А. Павлов, Д.И. Тетельбаум // Сборник тезисов XXII международного симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника». – 2018. – Т. 2. – С. 717-718.
  7. Okulich E.V. Calculation of the influence of the ion current density and temperature on the accumulation kinetics of points defects under the irradiation of Si with light ions / E.V. Okulich, V.I. Okulich, D.I. Tetelbaum // Semiconductors. – 2018. – Vol. 52. – PP. 1091-1096.
  8. Тихов С.В. Особенности биполярного переключения в МДП-структурах на основе проводящего кремния / С.В. Тихов, О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов, А.И. Морозов, А.И. Белов, P. Karacolis, P. Dimitrakis // ФТП. – 2018. – Т. 12. – С. 1436.
  9. Dorokhin M.V. New functional material: spark plasma sintered Si/SiO2 nanopaticles – fabrication and properties / M.V. Dorokhin, V.A. Gavva, M.V. Vedy, P.B. Demina, Yu.M. Kuznetsov, I.V. Erofeeva, A.V. Nezhdanov, M.S. Boldin, E.A. Lantsev, A.A. Popov, V.N. Trushin, O.V. Vikhrova, A.V. Boryakov, E.B. Yakimov, N.Yu. Tabakov // RCS Advances. – 2019. – Vol. 9. – PP. 16746-16753.
  10. Ежевский А.А. Генерация спиновых токов в n-Si, легированном фосфором, сурьмой и висмутом и влияние на них процессов рассеяния спинов с переворотом / А.А. Ежевский, Д.В. Гусейнов, А.В. Сухоруков, Е.А. Калинина, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов, Н.С. Гусев // ФТП. – 2021. – Т. 55. – С. 654-658.
  11. Ion-beam modification of Si and SiO2/Si structures for the development of light-emitting silicon-based devices / D.I. Tetelbaum, D.S. Korolev, A.A. Nikolskaya, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, M.O. Marychev, A.A. Konakov, Yu.I. Chigirinskii, A.A. Sushkov, D.A. Pavlov, A.N. Tereshchenko, V. Pavlenkov, S. Nagornykh // The 21st International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams. Abstract Book. Tomsk, August 25-30. – 2019. – P. 21.
  12. Исследование формирования индуцированных водородом дефектов в системах на основе монокристаллического кремния / Дорохин М.В., Большакова В.К. // Программа и Тезисы докладов XXIV Уральской международной зимней школы по физике полупроводников. – 2022. – С. 197-198.
Заключение комиссии
Решение о приёме диссертации к защите
Объявление о защите диссертации
Отзывы на автореферат
Итоги защиты Заключение диссертационного совета:
Протокол заседания диссертационного совета:
Видео

Добавить комментарий

Защитный код
Обновить