академик А.В.Ржанов

член-корр. РАН К.К.Свиташев

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) создан в 1964 году на основе объединения Института радиофизики и электроники СО АН СССР и Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР. У истоков создания ИФП стоял академик Анатолий Васильевич Ржанов. Он был бессменным директором с 1964 по 1990 год. С 1990 по 1998 год Институт возглавлял член-корр. РАН Константин Константинович Свиташев, а с 1998 по 2013 год Институтом руководил академик РАН Александр Леонидович Асеев. С 2013 года Институт возглавляет академик РАН, д.ф.-м.н. Латышев Александр Васильевич.

В 1990 году Институт стал головным в Объединенном институте физики полупроводников (ОИФП) в составе Института физики полупроводников и Конструкторско-технологического Института прикладной микроэлектроники (КТИПМ) СО РАН. В 1996 году в состав ОИФП был введен Институт сенсорной микроэлектроники (ИСМЭ) СО РАН (г.Омск).

За время своего существования Институт физики полупроводников превратился в один из ведущих в России научных центров в области фундаментальных и прикладных исследований по физике полупроводников, физике твердого тела, микро- и наноэлектроники. За это время 13 сотрудников Института удостоены звания лауреата Государственных премий СССР и Государственных премий Российской Федерации.

В Институте работают около 800 сотрудников, в том числе 200 научных сотрудников, среди них 3 академика, 4 члена-корреспондента РАН, 49 докторов и 131 кандидат наук.

Институт размещается в трех корпусах и располагает общей площадью 35.735 квадратных метров, в том числе, располагает уникальным термостатированным корпусом, в котором сосредоточено оборудование для современных технологических процессов получения и исследования полупроводниковых структур для микро-, микрофото-, наноэлектроники и акусто-электроники.