Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН активно участвует в подготовке квалифицированных научных кадров.

Институт является базовым для кафедры физики полупроводников Физического факультета Новосибирского государственного университета. На базе Института действуют филиалы кафедр: кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники факультета радиотехники и электроники Новосибирского государственного технического университета, кафедры физики полупроводников Томского государственного университета, кафедры технической физики Сибирского государственного аэрокосмического университета имени академика М.Ф. Решетнева.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН известен своими признанными научными школами. В настоящее время научная школа «Атомные процессы на поверхности полупроводников и электронные явления в литографически наноструктурированных полупроводниковых и металлических системах» (руководители академик Латышев А.В., академик Асеев А.Л.) поддержана грантом Президента РФ.

В ИФП СО РАН действует отдел аспирантуры, где ведется подготовка кадров по специальностям: физика полупроводников (01.04.10) и физика конденсированного состояния (01.04.07). Институт имеет приборную базу для проведения научных исследований на высоком международном уровне и высококвалифицированных специалистов для руководства аспирантами.

В Институте действует диссертационный совет, который принимает к защите диссертации на соискание ученых степеней кандидата и доктора физико-математических наук по специальностям: физика конденсированного состояния (01.04.07) и физика полупроводников (01.04.10).

Ежегодно в ИФП СО РАН проходит конкурс стипендий молодых ученых.