Защита диссертации

Втюрин Александр Николаевич, д. ф.-м. н., заместитель директора Федерального государственного бюджетного учреждения науки Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, г. Красноярск, Академгородок, 50, стр. 38, 660036, 8 (391) 243-26-35, , http://kirensky.ru/ru, отзыв

Публикации:

1. Oreshonkov A.S. Raman spectra and phase composition of MnGeO₃ crystals / A.S. Oreshonkov, J.V. Gerasimova, A.A. Ershov, A.S. Krylov, K.A. Shaykhutdinov, A.N. Vtyurin, M.S. Molokeev, K.Y. Terent'ev and N.V. Mihashenok. // J. Raman Spectrosc.– 2016. – Vol. 47. – p. 531-536.
2. Oreshonkov A.S. Raman spectroscopy study of the behavior of the soft mode in a structural phase transition in the Pr₃Sb₅O₁₂ crystal / A.S Oreshonkov A.K. Khodzhibaev, A.S. Krylov, M.F.Umarov, Vtyurin, A.N. Vtyurin. // Phys. Solid State+ – 2015. – Vol. 57. – p. 2286-2289.
3. Goryainov S.V. Raman study of datolite CaBSiO₄(OH) at simultaneously high pressure and high temperature / S.V. Goryainov, A.S. Krylov, A.N. Vtyurin, and Y.M .Pan. // J. Raman Spectrosc. – 2015. – Vol.46. – p.177-181.
4. Krylov A.S. Measurement of Raman-scattering spectra of Rb₂KMoO₃F₃ crystal: evidence for controllable disorder in the lattice structure / A.S. Krylov, E.M. Kolesnikova, L.I. Isaenko, S.N Krylova, A.N. Vtyurin. // Cryst. Growth Des. – 2014. – Vol. 14. – p. 923-927.
5. Vtyurin A.N. A Raman study of hydrostatic pressure induced phase transitions in Rb₂KInF₆ crystals / A.N. Vtyurin, A.S. Krylov, S.V.Goryainov, S.N. Krylova, A.S. Oreshonkov, V. N.Voronov. // Phys. Solid State+ – 2012. – Vol. 54. – p. 934-936.

Сапега Виктор Фёдорович, д. ф.-м. н., старший научный сотрудник, ведущий научный сотрудник, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26, 194021,8 (812) 297-22-45, , http://www.ioffe.ru , отзыв

Публикации:

1. Debus J. Nuclear spin polarization in the electron spin-flip Raman scattering of singly charged (In,Ga)As/GaAs quantum dots / J. Debus, D. Kudlacik, V. F. Sapega, D. Dunker, P. Bohn, F. Paßmann, D. Braukmann, J. Rautert, D.R. Yakovlev, D. Reuter, A.D. Wieck, and M. Bayer // Phys. Rev. B – 2015. – Vol. 92. – p. 195421-1-5.
2. Debus J. Spin-flip Raman scattering of the resident electron in singly charged (In,Ga)As/GaAs quantum dot ensembles / J. Debus, V.F. Sapega, D. Dunker, D.R. Yakovlev, D. Reuter, A.D. Wieck, and M. Bayer // Phys. Rev. B – 2014. – Vol. 90. – p. 235404-1-7.
3. Debus J. Spin-flip Raman scattering of the Γ-X mixed exciton in indirect band gap (In,Al)As/AlAs quantum dots / J. Debus, T.S. Shamirzaev, D. Dunker, V. F. Sapega, E.L. Ivchenko, D.R. Yakovlev, A.I. Toropov, and M. Bayer // Phys. Rev. B – 2014. – Vol. 90. – p. 125431-1-10.
4. Debus J. Spin-flip Raman scattering of the neutral and charged excitons confined in a CdTe/(Cd,Mg)Te quantum well / J. Debus, D. Dunker, V. F. Sapega, D. R. Yakovlev, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Kossut,M. Bayer // Phys. Rev. B – 2013. – Vol. 87. – p. 205316-1-16.
5. Буравлёв А.Д. Квантовые точки (In,Mn)As: синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и оптические свойства / А.Д. Буравлёв, В.Н. Неведомский, Е.В. Убыйвовк, В.Ф. Сапега, А.И. Хребтов, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов // Физика и техника полупроводников – 2013. – т. 47. – с. 1033-1036.