Административный корпус
Лабораторно-технологический корпус
Термостатированный корпус
Новосибирский филиал "Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники"

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) был создан в 1964 году на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР Постановлением Президиума АН СССР № 49 от 24 апреля 1964 года.

 В 2003 г. Постановлением Президиума РАН от 1.07.03 г. № 224 Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников реорганизован в Институт физики полупроводников СО РАН путем присоединения к нему Института сенсорной микроэлектроники СО РАН в качестве филиала.

В 2005 г. Постановлением Президиума РАН от 29.11.05 г. № 274 к ИФП СО РАН присоединен Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, который в настоящее время является филиалом ИФП СО РАН. В 2006 г. Постановлением Президиума РАН от 26.12.06 г. № 400 Институту присвоено имя академика А.В.Ржанова.

В 2007 г. Постановлением Президиума РАН от 18.12.07 г. № 274 Институт переименован в Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН. Институт является структурным звеном Российской академии наук, входит в состав организаций, объединяемых Учреждением Российской академии наук Сибирским отделением РАН.

Постановлением Президиума РАН №262 от 13 декабря 2011 года Институт переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук.

Постановлением Президиума СО РАН №440 от 14 декабря 2012 года в целях совершенствования структуры Института Омский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук исключен из состава Института.

В соответствии с Федеральным законом от 27 сентября 2013 г. № 253-ФЗ «О Российской академии наук, реорганизации государственных академий наук и внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 30 декабря 2013 г. № 2591-р Учреждение передано в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России).

В соответствии с Указом Президента Российской Федерации от 15 мая 2018 г. №215 «О структуре федеральных органов исполнительной власти» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 27 июня 2018 г. №1293-р Институт передан в ведение Министерства науки и высшего образования Российской Федерации.

Научно-методическое руководство Институтом и координацию проводимых исследований осуществляют Отделение физических наук РАН и Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН. Объединенный ученый совет СО РАН по физико-техническим наукам и Объединенный ученый совет СО РАН по нанотехнологиям и информационным технологиям  взаимодействуют с отделениями РАН по областям и направлениям наук и координируют деятельность Института

В настоящее время Институт является исследовательским центром с широким фронтом деятельности в области современной физики полупроводников, физики конденсированного состояния, в развитии научных основ технологий полупроводниковой микро-, опто-, нано- и акустоэлектроники, информационных технологий и квантовой электроники.

Основные научные направления:

  • актуальные направления физики конденсированных сред, в том числе физика полупроводников и диэлектриков, физика низкоразмерных систем;
  • элементная база микроэлектроники, наноэлектроники, квантовых компьютеров, в том числе физико-химические основы технологий микроэлектро- ники, наноэлектроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики;
  • актуальные проблемы оптики, лазерной физики, включая квантовую электронику.

В соответствии с этими направлениями в Институте проводятся исследования в рамках государственного задания.

Основные достижения Института связаны с исследованиями атомных процессов и электронных явлений на поверхности полупроводников и границах раздела фаз, квантовых эффектов в полупроводниковых системах пониженной размерности: сверхрешетках, гетероструктурах с квантовыми ямами, квантовыми проволоками и точками. На основе полученных фундаментальных результатов в Институте осуществлены разработки матричных фотоприемников инфракрасного диапазона, электронно-оптических преобразователей, СВЧ-транзисторов, квантовых интерферометров, нанотранзисторов. Многолетние усилия Института по разработке и созданию оборудования молекулярно-лучевой эпитаксии и обеспечению современными диагностическими системами стали основой развития нанотехнологии для полупроводниковой электроники нового поколения.

Высшим признанием заслуг Института является присуждение 2 Государственных премий СССР, 5 Государственных премий РФ, 1 Государственной премии Совета Министров СССР, 2 премий Ленинского комсомола.

В Институте работают около 820 сотрудников, в том числе 200 научных сотрудников, среди них 3 академика, 4 члена-корреспондента РАН, 49 докторов и 131 кандидат наук. Количество молодых научных сотрудников - 64. Аспирантов в аспирантуре ИФП СО РАН – 26.

В состав Института входят 5 отделов, 27 лаборатории и группы. Институт имеет один филиал: Новосибирский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники».