Оппоненты
|
Жуков Алексей Евгеньевич, доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН, профессор департамента физики НИУ ВШЭ, Санкт-Петербургский филиал федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург)
, Web-сайт:
https://spb.hse.ru, отзыв
Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:
- Zhukov A., Nadtochiy A., Караборчев А. А., Fominykh N., Makhov I., Ivanov K., Blokhin S., Kryzhanovskaya N., Guseva Y., Kulagina M. Fast switching between the ground- and excited state lasing in a quantum-dot microdisk triggered by sub-ps pulses // Optics Letters. 2024. Vol. 49. No. 2. P. 330-333
- N. V. Kryzhanovskaya, K. A. Ivanov, N. A. Fominykh, S. D. Komarov, I. S. Makhov, E. I. Moiseev, Guseva J., Kulagina M., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Lihachev A., Khabibullin R., Galiev R., Pavlov A., Tomosh K., M. V. Maximov, A. E. Zhukov. III–V microdisk lasers coupled to planar waveguides // Journal of Applied Physics. 2023. Vol. 134. No. 10. Article 103101.
- A.S. Dragunova, N.V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov, E. I. Moiseev, A.M. Nadtochiy, N.A. Fominykh, K.A. Ivanov, M.V. Maximov, Vorobyev A., Mozharov A., Kalyuzhnyy N. A., Mintairov S., Gordeev N., Guseva Y., Kulagina M., A.E. Zhukov. Thermal characteristics of III-V microlasers bonded onto silicon board // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 1.2. P. 108-113.
- Dragunova A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Zubov F., Nadtochiy A., Zhukov A. Analysis of characteristics of InGaAs/GaAs microdisk lasers bonded onto silicon board // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2022. Vol. 15. No. 3.3. P. 163-166.
- Zhukov A., Moiseev E., Nadtochiy A., Makhov I., Ivanov K., Dragunova A., Fominykh N., Shernyakov Y., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Mikushev S., Zubov F., Maximov M., Kryzhanovskaya N. Dynamic characteristics and noise modelling of directly modulated quantum well-dots microdisk lasers on silicon // Laser Physics Letters. 2022. Vol. 19. No. 2. Article 025801.
- F I Zubov, E I Moiseev, A M Nadtochiy, N A Fominykh, K A Ivanov, I S Makhov, A S Dragunova, M V Maximov, N A Kryzhanovskaya, A E Zhukov. Improvement of thermal resistance in InGaAs/GaAs/AlGaAs microdisk lasers bonded onto silicon // Semiconductor Science and Technology. 2022. Vol. 37. No. 7. Article 075010.
- Зубов Ф. И., Максимов М. В., Moiseev E., Berdnikov Y., Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Improved performance of InGaAs/GaAs microdisk lasers epi-side down bonded onto a silicon board // Optics Letters. 2021. Vol. 46. No. 16. P. 3853-3856.
- Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Nadtochiy A., Maximov M., Dragunova A., Zhukov A. Monolithic and hybrid integration of InAs/GaAs quantum dot microdisk lasers on silicon, in: Integrated Optics: Design, Devices, Systems and Applications VI Vol. 11775. Washington : SPIE, 2021. doi Ch. 117750P. P. 75-79.
- Зубов Ф. И., Максимов М. В., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Драгунова А. С., Блохин С. А., Жуков А. Е. Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 20. С. 3-6.
- Zhukov A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Dragunova A., Tang M., Chen S., Huiyun L., Kulagina M. M., Kadinskaya S. A., Zubov F. I., Mozharov A. M., Максимов М. В. InAs/GaAs quantum dot microlasers formed on silicon using monolithic and hybrid integration methods // Materials. 2020. Vol. 13. No. 10. Article 2315.
Тупчая Александра Юрьевна, кандидат физико-математических наук, научный сотрудник лаборатории технологии двумерной микроэлектроники, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук»
, Web-сайт:
https://www.iacp.dvo.ru
, отзыв
Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:
- 2022. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Matetskiy, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Single- and double-atomic In layers grown on top of a single-atomic-layer NiSi2 on Si(111). Physical Review B, 2022, V.106, P.035412-8.
- 2022. A. Mihalyuk, L. Bondarenko, A. Tupchaya, T. Utas, Jyh-Pin Chou, D. Gruznev, S. Eremeev, A. Zotov, A. Saranin. Unveiling hybridization between the Cr-impurity-mediated flat band and the Rashba-split state of the α-Au/Si(111) surface. Nanoscale, 2022, Vol.14, Iss.31, P.11227-11234.
- 2022. A.Y. Tupchaya, L.V. Bondarenko, A.A. Yakovlev, Y.E. Vekovshinin, A.N. Mihalyuk, D.V. Gruznev, N.S. Denisov, A.V. Matetskiy, A.Yu. Aladyshkin, A.V. Zotov, A.A. Saranin. 2D system incorporating perforated Mg sheet sandwiched between Pb layer and Si(111). Applied Surface Science, 2022, Vol.589, P.152951-6.
- 2022. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D. V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Matetskiy, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Pb/NiSi2 atomic sandwich on Si(111). Surface Science, 2022, Vol.716, P.121966-6.
- 2021. D.A. Olyanich, T.V. Utas, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Structural and electronic effects of adsorbed Bi on the metallic atomic chains in Au/Si(111)5x2. Applied Surface Science, 2021, Vol.558, P.149859-6.
- 2021. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D. V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, Y.P. Ivanov, D.A. Olyanich, A.V. Matetskiy, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Metal sheet of atomic thickness embedded in silicon. ACS Nano, 2021, Vol.15, No.12, 19357–19363.
- 2021. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.A. Yakovlev, A.V. Slyshkin, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Formation of a double-layer Pb reconstruction on the B-segregated Si(111) surface. Surface Science, 2021, Vol. 706, P.121784-6.
- 2020. A.Y. Tupchaya, L.V. Bondarenko, Y.E. Vekovshinin, A.A. Yakovlev, A.N. Mihalyuk, D.V. Gruznev, C.R. Hsing, C.M. Wei, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Double- atomic-layer Tl-Mg compound on a Si(111) surface with advanced electronic properties. Physical Review B, 2020, Vol. 101, P. 235444-7.
- 2020. A.V. Matetskiy, N.V. Denisov, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Kondo effect at ultimate atomic-scale two dimensional limit: Au/Si(111)√3×√3 reconstruction with embedded Cr atoms. Physical Review B, 2020, Vol. 102, No.19, P. 195113-9.
- 2020. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, A.V. Matetskiy, N.V. Denisov, Y.E. Vekovshinin, A.V. Slyshkin, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Fabrication and characterization of a single monolayer NiSi2 sandwiched between a Tl capping layer and a Si(111) substrate. 2D Materials, 2020, Vol. 7, No.2, P.025009-9.
- 2020. L.V. Bondarenko, A.N. Mihalyuk, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Au induced reconstructions of Si(111) surface with ordered and disordered domain walls. Physical Review B, 2020, Vol. 101, P. 075405-9.
|