ФИО Ищенко Денис Вячеславович
Тема Исследование плёнок твёрдых растворов PbTe–SnTe, легированных индием, в области составов, вблизи инверсии зон
Описание Диссертация представлена на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 "Физика полупроводников"
Автореферат
Текст диссертации
(размещён 30.01.2019)
Научный руководитель Неизвестный Игорь Георгиевич - д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН, советник РАН, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, отзыв
Оппоненты

Хохлов Дмитрий Ремович - доктор физико-математических наук (01.04.10 - физика полупроводников), член-корр. РАН, профессор, заведующий кафедрой общей физики и физики конденсированного состояния. Физический факультет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Ленинские горы, 1, стр. 2, Москва 119991; E-mail , Web-сайт: www.phys.msu.ru

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет (5-15):

  1. J. Trajic, N. Romcevic, M. Romcevic, D. Stojanovic, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Galvanomagnetic and optical properties of chromium doped PbTe. Journ. All. Comp., 602, 300-305 (2014).
  2. S.G. Egorova, V.I. Chernichkin, L.I. Ryabova, S.N. Danilov, A.V. Nicorici, D.R. Khokhlov. Probing of local electron states by laser terahertz radiation in PbTe(Ga). Journ. All. Comp., 615, 375-377 (2014).
  3. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца. УФН, 184, 1033-1044 (2014).
  4. S.G. Egorova, V.I. Chernichkin, L.I. Ryabova, E.P. Skipetrov, L.V. Yashina, S.N. Danilov, S.D. Ganichev, D.R. Khokhlov. Detection of highly conductive surface electron states in topological crystalline insulators Pb1-xSnxSe using laser terahertz radiation. Scientific Reports, 5, 11540 (2015).
  5. S.G. Egorova, V.I. Chernichkin, A.O. Dudnik, V.A. Kasiyan, L. Chernyak, S.N. Danilov, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Discrimination of conductive surface electron states by laser terahertz radiation in PbSe – a base for Pb1−xSnxSe topological crystalline insulators. IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, 5, 659-664 (2015).
  6. А.В. Галеева, С.Г. Егорова, В.И. Черничкин, Л.И. Рябова, С.Н. Данилов, А.В. Никорич, Д.Р. Хохлов. Терагерцовая фотогенерация в PbTe(Ga), индуцированная магнитным полем. Письма в ЖЭТФ, 104, 64-67 (2016).
  7. A.V. Galeeva, V.I. Chernichkin, D.E. Dolzhenko, A.V. Nicorici, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Optimization of the operating regime of Pb1-xSnxTe(In) terahertz photodetectors. IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, 7, 172-176 (2017).
  8. А.В. Иконников, В.И. Черничкин, Д.А. Акопян, В.С. Дудин, Д.Е. Долженко, А.В. Никорич, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Фурье-спектроскопия задержанной фотопроводимости в пленках PbSnTe(In) при низких температурах. ФНТ, 45, 165-170 (2019).

Войцеховский Александр Васильевич - доктор физико-математических наук (01.04.04 - физическая электроника), профессор по кафедре квантовой электроники. 634050, г. Томск, пр. Ленина, д. 36, +7 3822 52-95-85, Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Томский государственный университет», Кафедра квантовой электроники и фотоники радиофизического факультета ТГУ, должность: заведующий кафедрой. E-mail , Web-сайт: www.tsu.ru

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет (5-15):

  1. Izhnin I.I., Fitsych О.I., Swiatek Z., Morgiel Y., Bonchyk О.Yu., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Effect of annealing on the structural properties of arsenic-implanted mercury cadmium telluride // Opto-Electronics Review. - 2019. - Vol. 27. № 1. P. 14-17. https://doi.org/10.1016/j.opelre.2019.01.002
  2. Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V. Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems // Surface Science. - 2018. - Vol. 669. - P. 45-49. https://doi.org/10.1016/j.susc.2017.11.006
  3. Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V. Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces // Nanotechnology. - 2018. - Vol. 29, № 5. - P. 054002 (1-7). https://doi.org/10.1088/1361-6528/aa9fdd.
  4. Voitsekhovskii A.V.. Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M. Influence of the Compositional Grading on Concentration of Majority Charge Carriers in Near-Surface Layers of n(p)-HgCdTe Grown by Molecular Beam Epitaxy // Journal of Electronic Materials. - 2018. Vol. 47, № 5. - P. 2694-2702. https://doi.org/10.1007/s11664-018-6108-x.
  5. Talipov N.Kh., Voitsekhovskii A.V. Annealing kinetics of radiation defects in boron-implanted p-Hg1-xCdxTe // Semiconductor Science and Technology. - 2018. - Vol. 33, № 6. - P. 065009 (1-8). https://doi.org/10.1088/1361-6641/aac0a1.
  6. Izhnin I.I., Fitsych О.I., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy К.A., Dirko V.V. Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors // Optoelectronics Review. - 2018. - Vol. 26, № 3. - P. 195-200. https://doi.org/10.1016/j.opelre.2018.06.002.
  7. Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Sidorov G.Y. Electrical characterization of insulator- semiconductor systems based on graded band gap MBE HgCdTe with atomic layer deposited Al2O3 films for infrared detector passivation // Vacuum. - 2018. - Vol. 158. - P. 136-140. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2018.09.054.
  8. Izhnin I.I., Fitsych O.I., Pishchagin A.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V., Dzyadukh S.M., Nikiforov A.I. Temperature spectra of conductance of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots // Nanoscale Research Letters. - 2017. - Vol. 12. - P. 131(1-5). https://doi.org/10.1186/s11671-017-1916-0.
  9. Izhnin I.I., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Bonchyk A.Yu., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Jakiela R.. Optical and electrical studies of arsenic-implanted HgCdTe films grown with molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates // Infrared Physics and Technology. 2017. - Vol. 81. - P. 52-58. http://dx.doi.Org/10.1016/j.infrared.2016.12.006.
  10. Novikov V.A., Grigoryev D.V., Bezrodnyy D.A., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N. Electrical Properties of the V-Defects of Epitaxial HgCdTe // Journal of Electronic Materials. 2017. Vol. 46, № 7. P. 4435-4438. https://doi.org/10.1007/s11664-017-5393-0.
  11. Izhnin I.I., My'nbaev K.D., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych О.I., Pociask-Bialy M. Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies // Opto-Electronics Review. - 2017. - Vol. 25, № 2. - P. 148-170. http://dx.doi.org/10.1016/j.opelre.2017.03.007.
  12. Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Sidorov G.Yu. Interface properties of MIS structures based on hetero-epitaxial graded-gap Hg1-xCdxTe with CdTe interlayer created in situ during MBE growth // Superlattices and Microstructures. - 2017. - Vol. 111. - P. 1195-1202. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2017.08.025.
  13. Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Varavin V.S., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Sidorov G.Yu. Electrical characterizations of MIS structures based on variable-gap n(p)-HgCd fe grown by MBE on Si(0 1 3) substrates // Infrared Physics and Technology. - 2017. - Vol. 87. - P. 129-133. https://doi.org/10.1016/j.infrared.2017.10.006.
Ведущая организация

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) 119991, ГСП-1, г. Москва, Ленинский проспект, д. 53 Тел./факс 8(499)135-42-64/8(499)135-78-80, Email: , Web-сайт: www.lebedev.ru

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет (10-15):

  1. Д.А. Пашкеев, И. И. Засавицкий Роль междолинного рассеяния в излучательной рекомбинации твердого раствора Pb1−xEuxTe (0 ≤ x ≤ 1) Физика и техника полупроводников, том 47, вып. 6, 745 (2013)
  2. К.В. Маремьянин, А.В. Иконников, А.В. Антонов, В.В. Румянцев, С.В. Морозов, Л.С. Бовкун, К.Р. Умбеталиева, Е.Г. Чижевский, И.И. Засавицкий, В.И. Гавриленко Длинноволновые инжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb1−xSnxSe и их использование для спектроскопии твердого тела Физика и техника полупроводников, том 49, вып. 12, 1672 (2015)
  3. Д.А. Пашкеев, Ю.Г. Селиванов, Е.Г. Чижевский, И.И. Засавицкий Твердый раствор Pb1−xEuxTe (0 ≤ x ≤ 1) – материал для вертикально-излучающих лазеров в средней инфракрасной области спектра 4−5 мкм Физика и техника полупроводников, том 50, вып. 2, 229 (2016).
  4. К.В. Маремьянин, В.В. Румянцев, А.В. Иконников, Л.С. Бовкун, Е.Г. Чижевский, И.И. Засавицкий, В.И. Гавриленко Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46,5 мкм Физика и техника полупроводников, том 50, вып. 12, 1697 (2016)
  5. И.И. Засавицкий, А.Н. Зубов, А.Ю. Андреев, Т.А. Багаев, П.В. Горлачук, М.А. Ладугин, А.А. Падалица, А.В. Лобинцов, С.М. Сапожников, А.А. Мармалюк Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al0.45Ga0.55As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии Квантовая электроника, 46, № 5, 447 (2016)
  6. К.R. Umbetalieva, K.V. Marem'yanin, V.I. Gavrilenko, I.I. Zasavitskij, R.R. Bitskiy, E.A. Komochkina The study of the laser characteristics based on solid solution Pb1-xSnxSe (x ≈ 0.07) emitting at spectral range of 16 μkm Journal of Physics: Conference Series, 740, 012005 (2016)
  7. V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, L.S. Bovkun, A.M. Kadykov, K.V. Maremyanin, K. R. Umbetalieva, E. G. Chizhevskii, I. I. Zasavitskii, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii THz lasers based on narrow-gap semiconductors IEEE Xplore Digital Library MIKON, 978 (2016) https://doi.org/10.1109/MIKON.2016.7492017
  8. А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, М.А. Ладугин, П.В. Горлачук, И.В. Яроцкая, А.Ю. Андреев, Т.А. Багаев, А.В. Лобинцов, Ю.В. Курнявко, С.М. Сапожников, А.И. Данилов, К.Ю. Телегин, В.А. Симаков, И.И. Засавицкий, С.С. Зарубин Получение наноразмерных гетероструктур GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии для квантового каскадного лазера Неорганические материалы, том 53, № 9, 909 (2017)
  9. И.И. Засавицкий, Н.Ю. Ковбаса, Н.А. Распопов, А.В. Лобинцов, Ю.В. Курнявко, П.В. Горлачук, А.Б. Крыса, Д.Г. Ревин Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaInAs/AlInAs с длиной волны излучения 5.6 мкм Квантовая электроника, 48, № 5, 472 (2018).
  10. К.В. Маремьянин, А.В. Иконников, Л.С. Бовкун А.В, В.В. Румянцев, Е.Г. Чижевский, И.И. Засавицкий, В.И. Гавриленко Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников Физика и техника полупроводников, том 52, вып. 12, 1486 (2018)
Заключение комиссии
Решение о приёме диссертации к защите
Объявление о защите диссертации
Отзывы на автореферат
Итоги защиты
Видео

Добавить комментарий

Защитный код
Обновить