ФИОАлександров Иван Анатольевич
ТемаПроцессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AlN
ОписаниеДиссертация представлена на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 "Физика полупроводников"
Автореферат
Текст диссертации
(размещён 26.03.2015)
Научный руководительд.ф.-м.н. Журавлёв Константин Сергеевич, отзыв
Оппоненты

Сидоров В.Г., д.ф.-м.н., профессор, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, институт Физики, Нанотехнологии и Телекоммуникации, кафедра физики полупроводников и наноэлектроники, 195251, Санкт- Петербург, ул. Политехническая, 29, р.т. 8 (812) 5529671, Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра., отзыв

Публикации Сидорова В.Г.:

  1. В.В. Евстропов, В.Г. Сидоров, Л.М. Федоров. О дислокационной природе процесса деградации полупроводниковых источников и приемников излучения на основе А3В5 // Book of Papers of the 8-th Belarusian-Russian Wookshop "Semiconductor Lasers and Systems".17-20 May 2011. Minsk, Belarus, 2011. p.150-153.
  2. В.В. Мамаев, В.Г. Сидоров, С.И. Петров, А.Н. Алексеев. Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций. // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки. 2012. №4(158), с. 28–31.
  3. В.Г. Сидоров, Н.М. Шмидт. Деградационные явления и проблема надежности полупроводниковых источников излучения // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки. – 2013. №2(170) – С. 71-80.
  4. В. Г. Сидоров, Н. М. Шмидт. В. Г. Квантовый выход светодиодов. Book of Papers of the 9-th Belarusian-Russian Wookshop "Semiconductor Lasers and Systems". 28-31 May 2013. Minsk, Belarus, 2013. p.85-87.
  5. A N Alexeev, V P Chaly, D M Krasovitsky, V V Mamaev, S I Petrov, V G Sidorov. Features and benefits of III-N growth by ammonia-MBE and plasma assisted MBE. Journal of Physics: Conference Series 541 (2014) 012030 doi:10.1088/1742-6596/541/1/012030.
  6. С.И.Петров, А.Н.Алексеев, Д.М.Красовицкий, В.П.Чалый, В.Г.Сидоров, В.В.Мамаев. Слои GaN с пониженной плотностью дислокаций для НЕМТ транзисторов, выращенные NH3-MBE с использованием высокотемпературных буферных слоев AlN/AlGaN. Ученые записки физического факультета МГУ, 2, 142505 (2014).
  7. А.Н. Алексеев, С.И. Петров, Д.М. Красовицкий, В.П. Чалый, В.В. Мамаев, В.Г. Сидоров. Выращивание высокотемпературных буферных слоев AlN/AlGaN для снижения плотности дислокаций в HEMT гетероструктурах на основе GaN. Известия ЮФУ. Технические науки. Раздел I. Наноэлектроника. 2014, с. 24–32.
  8. А.Н. Алексеев, Д.М. Красовицкий, С.И. Петров, В.П. Чалый, В.В. Мамаев, В.Г. Сидоров. Особенности использования аммиачной и плазменной МЛЭ для получения III-N HEMT гетероструктур. ФТП, 2015, том 49, вып. 1, с. 94–97.

Гриняев С.Н., д.ф.-м.н., доцент, профессор, Томский политехнический университет, ФТИ, кафедра теоретической и экспериментальной физики, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 30, 8 (3822) 563437, Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра., http://www.tpu.ru, отзыв

Публикации Гриняева С.Н.:

  1. P. Tronc, K. S. Zhuravlev, V. G. Mansurov, G. F. Karavaev, S. N. Grinyaev, I. Milosevic, and M. Damnjanovic, Optical properties of photodetectors based on wurtzite quantum dot arrays. Phys. Rev. B 77, 165328 (2008).
  2. А.Н. Разжувалов, С.Н. Гриняев,"Конденсаторная" модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001) ФТТ, 51, №1, стр. 178-188, 2009.
  3. S.N. Grinyaev, L.N. Nikitina, V.G.Tyuterev, Intervalley Electron-Phonon Scattering in Ultra-Thin (GaAs)m(AlAs)n(001) Superlattices. Advances in Materials Science Research, Nova Publishers, Vol. 2, Chapter 9, p.155-176, 2011.
  4. С.Н. Гриняев, Л.Н. Никитина, В.Г. Тютерев, Электрон-фононное взаимодействие в короткопериодических сверхрешетках, ФТП, т.48, №3, c. 334-344, 2014.
  5. С.Н.Гриняев, В.Н. Брудный, Спектры оптического поглощения Si c квантовыми точками Ge. Изв. вузов. Физика т. 53, №7,с.43-45, 2010.
Ведущая организация Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н.Лебедева Российской академии наук , 119991 ГСП-1 Москва, Ленинский проспект, д.53, Телефон 8(499)135-42-64, Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра., http://www.lebedev.ru,

Публикации ведущей организации:

  1. A. G. Vitukhnovsky, V.S. Lebedev, A.S. Selyukov, A.A. Vashchenko, R.B. Vasiliev, M.S. Sokolikova, Electroluminescence from colloidal semiconductor CdSe nanoplatelets in hybrid organic-inorganic light emitting diode. Chem. Phys. Lett., Vol. 619,p. 185-188.
  2. А.А.Ващенко, А.Г.Витухновский, И.В.Тайдаков, П.Н.Тананаев, В.А.Васнев, Е.Н.Родловская, Д.Н.Бычковский, Органические светоизлучающие устройства с использованием многослойных квантовых точек, связанных с производными политиофена,ФТП, 2014, т. 48, вып. 3, с.392-395.
  3. Н.С.Курочкин, А.А.Ващенко, А.Г.Витухновский, П.Н.Тананаев. Исследование влияния длины пассивирующего квантовые точки лиганда на электрооптические характеристики органических светодиодов. ФТП, 2015, т. 49, вып. 7 c. 975-980.
  4. M.S. Smirnov, O.V. Ovchinnikov, T.S. Shatskikh, A.G. Vitukhnovsky, S.A. Ambrozevich, A.S. Perepelitsa Luminescence properties of hydrophilic hybrid associates of colloidal CdS quantum dots and methylene blue, Journal of Luminescence, vol. 156, pp. 212-218.
  5. A. V. Katsaba, S. A. Ambrozevich, A. G. Vitukhnovsky, V. V. Fedyanin, A. N. Lobanov, V. S. Krivobok, R. B. Vasiliev and I. G. Samatov. Surface states effect on photoluminescence of CdS colloidal nanocrystals J. Appl. Phys. 113, 184306 (2013).
  6. V.F. Olle, P.P. Vasil'ev, A. Wonfor, R.V. Penty, I.H. White, Optics Express, Ultrashort superradiant pulse generation from a GaN/InGaN heterostructure, Vol.20, pp. 7035-7039.
  7. P.P. Vasil'ev, A.B. Sergeev, I.V. Smetanin, T. Weig, U. T. Schwarz, L. Sulmoni, J. Dorsaz, J.M. Lamy, J.F. Carlin, N. Grandjean. Mode locking in monolithic two-section InGaN blue-violet semiconductor lasers. Appl. Phys. Lett. 102. p. 121115 (2013)
  8. V. I. Egorkin, M. N. Zhuravlev, V. V. Kapaev, Electron transport simulation in resonant-tunneling GaN/AlGaN heterostructures. Semiconductors, 45, 13, 1638-1641. (2011)
  9. А.Г.Витухновский, А.А.Ващенко, Д.Н.Бычковский, Д.Н.Дирин, П.Н.Тананаев, М.С.Вакштейн, Д.А.Коржонов. Фото- и электролюминесценция полупроводниковых коллоидных квантовых точек в органических матрицах: QD-OLED. ФТП, т.47, вып. 12, с. 1591-1594. (2013).
  10. А.В.Кацаба, В.В.Федянин, С.А.Амброзевич, А.Г.Витухновский, А.Н.Лобанов, А.С.Селюков, Р.Б.Васильев, И.Г.Саматов, П.Н.Брунков. Характеризация дефектов в коллоидных нанокристаллах CdSe модифицированным методом термостимулированной люминесценции. ФТП, т. 47, вып. 10, c 1339-1343 (2013).
Заключение комиссии
Решение о приёме диссертации к защите
Объявление о защите диссертации
Отзывы на автореферат
Итоги защитыЗаключение диссертационного совета:
Видео

Добавить комментарий

Защитный код
Обновить