| ФИО | Майдэбура Ян Евгеньевич |
| Тема | Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии |
| Описание | Диссертация представлена на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 1.3.11 – Физика полупроводников |
| Автореферат | |
|
Текст диссертации
(размещён 10.11.2025) |
|
| Научный руководитель | Кандидат физико-математических наук Мансуров Владимир Геннадьевич, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук |
| Оппоненты | , |
| Ведущая организация | |
| Заключение комиссии | |
| Решение о приёме диссертации к защите | |
| Объявление о защите диссертации | |
| Отзывы на автореферат | |
| Итоги защиты | |
|
Видео |
|
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
|