ФИО Казанцев Дмитрий Михайлович
Тема Моделирование процессов термического выглаживания и разупорядочения поверхности полупроводников
Описание Диссертация представлена на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 "Физика полупроводников"
Автореферат
Текст диссертации
(размещён 05.10.2018)
Научный руководитель Альперович Виталий Львович - доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник лаборатории неравновесных процессов в полупроводниках Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, отзыв
Оппоненты

Эрвье Юрий Юрьевич - доктор физико-математических наук, заведующий кафедрой физики полупроводников, Физический факультет, (01.04.07 – Физика конденсированного состояния). Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Томский государственный университет», 634050, г. Томск, пр. Ленина, 36, Факс (3822) 529 585, E-mail , Web-сайт: www.tsu.ru, отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет (5-15):

  1. Yu.Yu. Hervieu. Effective diffusion length and elementary surface processes in the concurrent growth of nanowires and 2D layers //Journal of Crystal Growth, 2018, V.493, P.1-7.
  2. С.Н. Филимонов, Ю.Ю. Эрвье. Кинетическая модель начальной стадии роста нитевидных нанокристаллов / // Известия вузов. Физика, 2017, Т. 60, N11, C. 171-173.
  3. С.Н. Филимонов, Ю.Ю. Эрвье. О влиянии переходов между различными адсорбционными состояниями на кинетику десорбции молекул // Изв. вузов. Физика, 2016, Т. 59, N6, C. 7-12.
  4. С.Н. Филимонов, Ю.Ю. Эрвье. Модель ступенчато-слоевого роста боковых граней и развития формы полупроводниковых нитевидных нанокристаллов // Изв. вузов. Физика, 2016, Т. 59, N8, С. 73-78.
  5. S.N. Filimonov, Yu.Yu. Hervieu. Model of step propagation and step bunching at the sidewalls of nanowires // Journal of Crystal Growth, 2015, V. 427, P. 60-66.
  6. S.N. Filimonov, Yu.Yu. Hervieu. Kinetics of step propagation at the sidewalls of 3D islands and nanowires // e-J. Surf. Sci. Nanotech., 2014, V.12, P. 68-74.
  7. Yu.Yu. Hervieu, Ivan Markov. Kinetics of second layer nucleation with permeable steps // Surface Sci., 2014, V. 628, P. 76-81.
  8. V.G. Dubrovskii, Yu.Yu. Hervieu. Diffusion-induced growth of nanowires: Generalized boundary conditions and self-consistent kinetic equation // Journal of Crystal Growth, 2014, V. 401, P. 431-440.
  9. S. Sambonsuge, Л.Н. Никитина, Ю.Ю. Эрвье, M. Suemitsu, С.Н. Филимонов. Карбид кремния на кремнии (110): структура поверхности и механизмы эпитаксиального роста // Известия вузов. Физика, 2013, Т. 56, № 12, С. 106-111.
  10. Ю.Ю. Эрвье. О накоплении примеси в адсорбционном слое в процессе легирования при молекулярно-лучевой эпитаксии //Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2013, №2, С. 4-10.

Азатьян Сергей Геннадьевич - кандидат физико-математических наук, научный сотрудник лаб. 101 «Технологии двумерной микроэлектроники», (01.04.10 – Физика полупроводников). Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН), 690041, г. Владивосток, ул. Радио, д. 5, Тел.: 8 (423) 231-06-96, Email: , Web-сайт: www.iacp.dvo.ru, отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет (5-15):

  1. N.V. Denisov, A.A. Yakovlev, O.A. Utas, S.G. Azatyan, A.V. Zotov, A.A. Saranin, L.N. Romashev, N.I. Solin, V.V. Ustinov, Ordered Mn-diluted Au/Si(111) reconstructions, Surface Science 606, 2012, 104-109.
  2. N.V. Denisov, E.N. Chukurov, O.A. Utas, S.G. Azatyan, A.V. Zotov, A.A. Saranin, Two-dimensional bismuth–silver structures on Si(111), Surface Science 623, 2014, 17-24.
  3. N.V. Denisov, A.A. Alekseev, O.A. Utas, S.G. Azatyan, A.V. Zotov, A.A. Saranin, Bismuth–indium two-dimensional compounds on Si(111) surface, Surface Science 651, 2016, 105-111.
  4. N.V. Denisov, A.A. Alekseev, O.A. Utas, S.G. Azatyan, A.V. Zotov, A.A. Saranin, Bismuth–indium–sodium two-dimensional compounds on Si(111) surface, Surface Science 666, 2017, 64-69.
  5. N.V. Denisov, A.Yu. Tupchaya, A.N. Mihalyuk, L.V. Bondarenko, O.A. Utas, S.G. Azatyan, A.V. Zotov, A.A. Saranin, Bismuth-aluminum two-dimensional 2×2 compound and its ordered 9×9 domains on Si(111) surface, Surface Science 677, 2018, 291-295.
Ведущая организация

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук (ФТИ им. А.Ф. Иоффе). 194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26, т. (812) 297-2245, Email: , Web-сайт: www.ioffe.ru, отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет (5-15):

  1. V.G. Dubrovskii, Influence of the group V element on the chemical potential and crystal structure of Au-catalyzed III-V nanowires, Appl. Phys. Lett. 104, 2014, 053110. GaAs - 47
  2. V.G. Dubrovskii, T. Xu, A.D. Alvarez, S.R. Plissard, P. Caroff, F. Glas, B. Grandidier, Self-Equilibration of the Diameter of Ga-Catalyzed GaAs Nanowires, Nano Lett. 15, 2015, 5580-5584.
  3. P.A. Alekseev, M.S. Dunaevskiy, V.P. Ulin, T.V. Lvova, D.O. Filatov, A.V. Nezhdanov, A.I. Mashin, V.L. Berkovits, Nitride Surface Passivation of GaAs Nanowires: Impact on Surface State Density, Nano Lett. 15, 2015, 63-68. Surface passivation - 27
  4. S.V. Sorokin, S.V. Gronin, I.V. Sedova, M.V. Rakhlin, M.V. Baidakova, P.S. Kop'ev, A.G. Vainilovich, E.V. Lutsenko, G.P. Yablonskii, N.A. Gamov, E.V. Zhdanova, M.M. Zverev, S.S. Ruvimov, S.V. Ivanov, Molecular-beam epitaxy of heterostructures of wide-gap II-VI compounds for low-threshold lasers with optical and electron pumping, Semiconductors 49, 2015, 331-336. MBE - 12
  5. V.G. Dubrovskii, I.V. Shtrom, R.R. Reznik, Y.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, S. Rouvimov, N. Akopian, T. Kasama, G.E. Cirlin, Origin of spontaneous core-shell AIGaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy, Cryst. Growth Des. 16, 2016, 7251-7255. MBE -10
  6. E.A. Ustinov, Thermodynamics and simulation of hard-sphere fluid and solid: Kinetic Monte Carlo method versus standard Metropolis scheme, J. Chem. Phys. 146, 2017, 034110. Monte Carlo - 6
  7. M.M. Rozhavskaya, W.V. Lundin, S.I. Troshkov, A.F. Tsatsulnikov, V.G. Dubrovskii, Determination of the diffusion lengths of Ga adatoms using GaN stripe profiling, Phys. Status Solidi A 212, 2015, 851-854. Ga diffusion - 5
  8. V.A. Solov'ev, I.V. Sedova, T.V. Lvova, M.V. Lebedev, P.A. Dement'ev, A.A. Sitnikova, A.N. Semenov, S.V. Ivanov, Effect of sulfur passivation of InSb (001) substrates on molecular-beam homoepitaxy, Appl. Surf. Sci. 356, 2015, 378-382. Surface passivation - 4
  9. M. Dunaevskiy, A. Dontsov, P. Alekseev, A. Monakhov, A. Baranov, P. Girard, R. Arinero, R. Teissier, A. Titkov, Apertureless scanning microscope probe as a detector of semiconductor laser emission, Appl. Phys. Lett. 106, 2015, 171105. AFM - 4
  10. M.E. Boiko, M.D. Sharkov, A.M. Boiko, S.G. Konnikov, A.V. Bobyl', N.S. Budkina, Investigation of the atomic, crystal, and domain structures of materials based on X-ray diffraction and absorption data: A review, Tech. Phys. 60, 2015, 1575-1600. Surface structure - 3
  11. A.F. Tsatsulnikov, W.V. Lundin, A.E. Sakharov, E.E. Zavarin, S.O. Usov, A.E. Nikolaev, M.A. Yagovkina, V.M. Ustinov, N.A. Cherkashin, Epitaxial growth of GaN/AlN/InAlN heterostructures for HEMTs in horizontal MOCVD reactors with different designs, Semiconductors 50, 2016, 1241-1247. MOCVD - 1
  12. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, A.V. Zhabotinskiy, D.N. Nikolaev, Impact of the substrate misorientation and its preliminary etching on the structural and optical properties of integrated GaAs/Si MOCVD heterostructures, Physica E Low Dimens. Syst. Nanostruct. 97, 2018, 218-225. Vicinal surface - 1
  13. P.A. Alekseev, B.R. Borodin, M.S. Dunaevskii, A.N. Smirnov, V.Y. Davydov, S.P. Lebedev, A.A. Lebedev, Local anodic oxidation of graphene layers on SiC, Tech. Phys. Lett. 44, 2018, 381-383. Local oxidation - 0
  14. P.A. Alekseev, M.S. Dunaevskiy, G.E. Cirlin, R.R. Reznik, A.N. Smirnov, D.A. Kirilenko, V.Y. Davydov, V.L. Berkovits, Unified mechanism of the surface Fermi level pinning in III-As nanowires, Nanotechnology 29, 2018, 314003. AFM – 0
  15. P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, D.S. Zolotukhin, A.S. Lenshin, A.N. Lukin, Y.Y. Khudyakov, I.N. Arsentyev, A.V. Zhabotinsky, D.N. Nikolaev, N.A. Pikhtin, Effect of Misorientation and Preliminary Etching of the Substrate on the Structural and Optical Properties of Integrated GaAs/Si(100) Heterostructures Produced by Vapor Phase Epitaxy, Semiconductors 52, 2018, 1012-1021. Vicinal surface – 0
  16. L.B. Karlina, A.S. Vlasov, I.P. Soshnikov, I.P. Smirnova, B.Y. Ber, A.B. Smirnov, AB, Nanostructure growth in the Ga(In)AsP-GaAs system under quasi-equilibrium conditions, Semiconductors 52, 2018, 1363-1368. Quasi-equilibrium - 0
Заключение комиссии
Решение о приёме диссертации к защите
Объявление о защите диссертации
Отзывы на автореферат Список отзывов на автореферат
Итоги защиты Заключение диссертационного совета (размещено 25.01.2019):
Видео

Добавить комментарий

Защитный код
Обновить