ФИО
|
Черкова Светлана Глебовна
|
Тема
|
Формирование и модификация кремниевых светоизлучающих квантово-размерных наноструктур радиационными методами
|
Описание
|
Диссертация представлена на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 "Физика полупроводников"
|
Автореферат
|
|
Текст диссертации
(размещён 28.08.2018)
|
|
Научные руководители
|
Качурин Григорий Аркадьевич - доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник
Володин Владимир Алексеевич - доктор физико-математических наук, старший научный сотрудник, доцент. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
, отзыв
|
Оппоненты
|
Брудный Валентин Натанович профессор, доктор физ.-мат. Наук директор НОЦ «Наноэлектроника» (01.04.10 – физика полупроводников 01.04.07 – физика конденсированного состояния). Адрес: 634050 Томск, пр. Ленина 36, Томский государственный университет, тел. 8-9069514072,
,
www.tsu.ru, отзыв
Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет (5-15):
- V. Brudnyi, I. Prudaev, V. Oleinik and A. Marmaluk. Electron irradiation degradation of AlGaInP/GaAs light-emitting diodes.// Phys. Stat. Solidi A, 215, 1700445 (5pp) (2018).
doi:10.1002/pssa.201700445.
- V.N. Brudnyi, A.V. Kosobutsky. Electronic properties of SiC polytypes: Charge neutrality level and interfacial barrier heights. // Superlattice and Microstructures, 111, 499-505 (2017).
http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2017.07.003
- S.A. Bereznaya, Z.V. Korotchenko, R.A. Redkin, S.Yu. Sarkisov, V.N. Brudnyi, et. al. Terahertz generation from electron- and neutron-irradiated semiconductor crystal surfaces. // Infrared Physics & Technology. 77, 100-103 (2016).
http://dx.doi.org/10.1016/j.infrared.2016.05.023
- Bolshakova1, S. Belyaev2, M. Bulavin8, V. Brudnyi, et. al. Experimental evaluation of stable long term operation of semiconductor magnetic sensors at ITER relevant environment. // Nucl. Fusion. 55, 083006 (7 pp), (2015).
DOI:10.1088/0029-5515/55/8/083006.
- V. N. Brudnyi, S. Yu. Sarkisov, A. V. Kosobutsky. On the charge neutrality level and the electronic properties of interphase boundaries in the layered ε-GaSe semiconductor. // Semiconductors, 49(10), 1307–1310 (2015).
DOI: 10.1134/S1063782615100061.
- V. M. Boiko, V. N. Brudnyi, S. S. Verevkin, V. S. Ermakov, N. G. Kolin, et. al. Electronic properties of p-GaN(Mg) irradiated with reactor neutrons. // Semiconductors, 48, 859–863 (2014).
DOI: 10.1134/S1063782614070033.
- I. A. Prudaev, V. L. Oleinik, I. S. Romanov, V. N. Brudnyi, et. al. Charge carrier transport in LEDS based on multiple (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46) 0.5
In0.5P quantum wells.// Rus. Physics J. 57, 915-919 (2014).
DOI 10.1007/s11182-014-0324-5
Булгаков Александр Владимирович доктор физ.-мат. наук, старший научный сотрудник, главный научный сотрудник лаб. 10.1. «Физико-химических процессов в энергетике» ФГБУН Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН (01.04.14 – Теплофизика и теоретическая теплотехника). ФГБУН Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, пр. Акад. Лаврентьева 1, 630090 Новосибирск, Тел. +7 (383) 330-75-42, E-mail:
, Web-сайт:
http://www.itp.nsc.ru, отзыв
Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет (5-15):
- A.V. Bulgakov, I. Mirza, N.M. Bulgakova, V.P. Zhukov, R. Machulka, O. Haderka, E.E.B. Campbell, T. Mocek, Initiation of air ionization by ultrashort laser pulses: Evidence for a role of metastable-state air molecules, J. Phys. D: Appl. Phys. 2018, 51 (25), Art. 25LT02 (6pp).
- S.V. Starinskiy, A.V. Bulgakov, E.Y. Gatapova, Y.G. Shukhov, V.S. Sulyaeva, N.I. Timoshenko, A.I. Safonov, Transition from superhydrophilic to superhydrophobic of silicon wafer by a combination of laser treatment and fluoropolymer deposition, J. Phys. D: Appl. Phys. 2018, 51 (25), Art. 255307 (7pp).
- S.V. Starinskiy, Yu.G. Shukhov, A.V. Bulgakov, Laser-induced damage thresholds of gold, silver and their alloys in air and water, Appl. Surf. Sci. 2017, 386, 1765-1774.
- С.В. Старинский, Ю.Г. Шухов, А.В. Булгаков, Влияние размеров наночастиц на спектр экстинкции коллоидных растворов, полученных при лазерной абляции в воде, Квантовая электроника. – 2017. – Т. 47, № 4. – С. 343-346.
- С.В. Старинский, В.С. Суляева, Ю.Г. Шухов, А.Г. Черков, Н.И. Тимошенко, А.В. Булгаков, А.И. Сафонов, Сравнение структур золотых наночстиц, синтезированных методами лазерного и магнетронного напыления, Журн. структурной химии. – 2017. – Т. 58, № 8.- C. 1631-1637.
- С.В. Старинский, Ю.Г. Шухов, А.В. Булгаков, Динамика импульсной лазерной абляции золота в вакууме в режимах синтеза наноструктурных пленок // Письма в Журн. техн. физ. – 2016. – Т. 42, Вып. 8. – С. 45-52.
- N.T. Goodfriend, S.V. Starinskiy, O.A. Nerushev, N.M. Bulgakova, A.V. Bulgakov, E.E.B. Campbell, Laser pulse duration dependence of blister formation on back-radiated Ti thin films for BB-LIFT, Appl. Phys. A, 2016, 122 (3), Art. 154 (9pp).
- A.A. Morozov, A.B. Evtushenko, A.V. Bulgakov, Gas-dynamic accelera-tion of laser-ablation plumes: Hyperthermal particle energies under thermal vaporization, Appl. Phys. Lett., 2015, 106 (5), Art. 054107 (5 pp).
- A.V. Bulgakov, N. Goodfriend, O. Nerushev, N.M. Bulgakova, S.V. Starinskiy, Y.G. Shukhov, E.E.B. Campbell, Laser-induced transfer of nanoparticles for gas-phase analysis, J. Opt. Soc. Am. B, 2014, 31 (11), C15-C21.
- N.M. Bulgakova, A.I. Panchenko, V.P. Zhukov, S.I. Kudryashov, A. Pereira, W. Marine, T. Mocek, A.V. Bulgakov, Impacts of ambient and ablation plasmas on short- and ultrashort-pulse laser processing of surfaces, Micromachines, 2014, 5, 1344-1372.
|
Ведущая организация
|
Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского – обособленное структурное подразделение Федерального государственного бюджетного учреждения науки «Федеральный исследовательский центр «Казанский научный центр Российской академии наук», (КФТИ – обособленное структурное подразделение ФИЦ КазНЦ РАН) 420029, г.Казань, ул.Сибирский тракт, 10/7, +7(843)272-05-03,
,
www.kfti.knc.ru,
отзыв 
Список публикаций организации по теме диссертации соискателя за последние 5 лет (10-15):
- Н.Г. Галкин, С.В. Ваванова, К.Н. Галкин, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, В.И. Нуждин. Наносекундный импульсный отжиг кремния, имплантированного ионами магния // ЖТФ, Т.83, вып.1, С.99-104 (2013).
- K.N. Galkin, R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, H.A. Novikov, V.A. Shustov, D.A. Bizyaev, P.I. Gaiduk, G.D. Ivlev, S.L. Prokopyev. Structural and optical properties of magnetron sputtered and pulsed beam annealed Ge/Si layers // Physica Status Solidi C, v.10. No.12, P.1824-1827 (2013).
- D.L. Goroshko, E.A. Chusovitin, A.V. Shevlyagin, M.V. Bozhenko, R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, N.G. Galkin. Enhancement of near IR sensitivity of Silicon-silicide based hotodetectors // Physica Status Solidi C, v.10. No.12, P.1844-1846 (2013).
- Н.К. Андреев, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, Т.Н. Львова. Нанотехнологии и микроэлектронные устройства // Коллективная монография «Наноматериалы и нанотехнологии в энергетике», с. 201-208, под ред. Э.В. Шамсутдинова и О.С. Зуевой, в 2 т., Т.II, Казань: Изд. КГЭУ, 2014, 376 с.
- Г.А. Новиков, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, И.А. Файзрахманов, Г.Д. Ивлев, С.Л. Прокопьев. Оптическая диагностика лазерно-индуцированных фазовых превращений в тонких пленках германия на кремнии, сапфире и кварце // ЖТФ, Т.85(№3), с.89-95 (2015)
- Г.А. Новиков, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, И.А. Файзрахманов, Н.М. Лядов, В.А. Шустов, К.Н. Галкин, Н.Г. Галкин, И.М. Чернев, Г.Д. Ивлев, С.Л. Прокопьев, П.И. Гайдук. Импульсная модификация пленок германия на подложках кремния, сапфира и кварца: Структура и оптические свойства // ФТП, Т.49(№6), с.746-752 (2015)
- Р.А. Назипов, А.В. Пятаев, А.А. Игнатьев, Ю.М. Выжимов, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, В.А. Шустов. Влияние мощного импульсного ионного пучка на аморфный сплав Fe77Cu1Nb3Si13B6: Мессбауэровские и рентгеноструктурные исследования // Физика и химия обработки материалов, №6, С.5-15 (2015).
- H.A. Novikov, R.M. Bayazitov, R.I. Batalov, I.A. Faizrakhmanov, G.D. Ivlev, S.L. Prokop'ev. Experimental Study and Simulation of the Structure-Phase Transitions in Deposited Ge Layers During Pulsed Laser Annealing // Solid State Phenom., Vol. 249, pp. 24-29 (2016).
- R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, I.A. Faizrakhmanov, N.M. Lyadov, V.A. Shustov and G.D. Ivlev. Pulsed laser annealing of highly doped Ge:Sb layers deposited on different substrates // J. Phys. D: Appl. Phys. 49 (2016) 395102 (7pp).
- Р.И. Баталов, В.В. Воробьев, В.И. Нуждин, В.Ф. Валеев, Р.М. Баязитов, Н.М. Лядов, Ю.Н. Осин, А.Л. Степанов. Формирование композиционного материала на основе GeSi с наночастицами Ag методом ионной имплантации // ЖТФ, Т.86(12), С.104-110 (2016).
- Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, И.А. Файзрахманов, Г.Д. Ивлев. Формирование напряженных и сильно легированных слоев германия для микро- и оптоэлектроники // Наноматериалы и наноструктуры XXI век, Изд. Радиотехника, Т.7, №4, с.32-38 (2016).
- R.I. Batalov, V.I. Nuzhdin, V.F. Valeev, V.V. Vorobev, Yu.N. Osin, G.D. Ivlev, A.L. Stepanov Pulsed laser annealing of high-dose Ag+-ion implanted Si layer // J. Phys. D: Appl. Phys., v.51, p.015109(5pp.) (2018).
- R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, H.A. Novikov, I.A. Faizrakhmanov, V.A. Shustov, G. D. Ivlev. Nanosecond-Pulse Annealing of Heavily Doped Ge:Sb Layers on Ge Substrates // Russ. Microelectr., V.47(5), P.354-363 (2018).
- Р.И. Баталов, В.В. Воробьев, В.И. Нуждин, В.Ф. Валеев, Д.А. Бизяев, А.А. Бухараев, Р.М. Баязитов, Ю.Н. Осин, Г.Д. Ивлев, А.Л. Степанов. Воздействие импульсного лазерного излучения на слои Si с высокой дозой имплантированных ионов Ag+ // Оптика и спектр., Т.125(10), С.549-555 (2018).
|
Заключение комиссии
|
|
Решение о приёме диссертации к защите
(размещено 21.09.2018)
|
|
Объявление о защите диссертации
|
|
Отзывы на автореферат
|
Байрамов Бахыш Халил-Оглы, доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник лаборатории оптики полупроводников Федерального бюджетного учреждения науки Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 
Павликов Александр Владимирович, кандидат физико-математических наук, доцент физического факультета ФГБОУ «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова», 
Гынгазов Сергей Анатольевич, доктор технических наук, ведущий научный сотрудник проблемной научно-исследовательской лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников Исследовательской школы физики высокоэнергетических процессов Томского политехнического университета, 
Тетельбаум Давид Исаакович, доктор физико-математических наук, профессор, в.н.с. и Михайлов Алексей Николаевич, кандидат физико-математических наук, заведующий лабораторией Научно-исследовательского физико-технического университете им. Н.И. Лобачевского, 
Титов Андрей Иванович, доктор физико-математических наук, профессор кафедры физической электроники Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого, 
Литовченко Владимир Григорьевич, доктор физико-математических наук, профессор, зав. отделом "Физика поверхности и полупроводниковая фотоэнергетика" Института физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАН Украины, чл.-к. НАН Украины, 
|
Итоги защиты
|
Заключение диссертационного совета (размещено 07.12.2018):
|
Видео
|
|