Степина Наталья Петровна

ФИО Степина Наталья Петровна
Тема Перенос заряда по локализованным состояниям в наноструктурах на основе кремния
Описание Диссертация представлена на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01.04.10 "Физика полупроводников"
Автореферат
Текст диссертации
(размещён 19.05.2017)
Научный руководитель Анатолий Васильевич Двуреченский - доктор физико-математических наук, профессор, член-корреспондент РАН, заместитель директора по научной работе Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, отзыв
Оппоненты

Аронзон Борис Аронович - доктор физико-математических наук, заведующий лабораторией твердотельных структур для космических приложений, ОФТТ Физический Институт им. П.Н. Лебедева Российской Академии Наук.
119991 ГСП-1 Москва, Ленинский проспект, д. 53, ОФТТ Физический Институт им. П.Н. Лебедева Российской Академии Наук (ФИАН). +7(499)135-42-64, www.lebedev.ru, отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

  1. Aronzon B.A., Davydov A.B., Vasiliev A.L., Perov N.S., Novodvorsky O.A., Parshina L.S., Presniakov M.Yu., Lahderanta E., «High temperature magnetism and microstructure of ferromagnetic alloy Si1-xMnx», J. Phys. Cond. Mat,29, 055802 (2017).
  2. O. D. Khramova, V. A. Mikhalevsky, L. S. Parshina, O. A. Novodvorsky, S. F. Marenkin, A. A. Lotin, E. A. Cherebilo, B. A. Aronzon, A. N. Aronov, V. Ya. Panchenko, Magnetoresistance of the p-(InSb + MnSb)/n-InSb diode structure, Opt Quant Electron 48, 361 (2016).
  3. Л.Н. Овешников, В.А. Прудкогляд, Е.И. Нехаева, А.Ю. Кунцевич, Ю.Г. Селиванов, Е.Г. Чижевский, Б.А. Аронзон, «Магнетотранспорт в тонких эпитаксиальных пленках Bi2Se3», Письма в ЖЭТФ, 104, 651-657 (2016).
  4. L.N. Oveshnikov, V.A. Kulbachinskii, A.B. Davydov, B.A. Aronzon, I.V. Rozhansky, N.S. Averkiev, K.I. Kugel, V. Tripathi, "Berry phase mechanism of the anomalous Hall effect in a disordered two-dimensional magnetic semiconductor structure", Nature: Scientific Reports 5, 17158 (2015).
  5. I. V. Rozhansky, I. V. Krainov, N. S. Averkiev, B. A. Aronzon, A. B. Davydov, K. I. Kugel, V. Tripathi, and E. Lähderanta, Resonant indirect exchange via spatially separated two-dimensional channel, Applied Physics Letters 106, 252402 (2015).
  6. A. S. Semisalova, Yu. O. Mikhailovsky, A. Smekhova, A. F. Orlov, N. S. Perov, E. A. Gan’shina, A. Lashkul, E. Lähderanta, K. Potzger, O. Yildirim, B. Aronzon, A. B. Granovsky, Above Room Temperature Ferromagnetism in Co and V-Doped TiO2 — Revealing the Different Contributions of Defects and Impurities, J Supercond Nov Magn, 28, 805 – 811 (2015).
  7. Коплак О.В., Поляков А.А., Давыдов А.Б, Моргунов Р.Б., Таланцев А.Д., Кочура А.В., Федорченко И.В., Новодворский О.А., Шорохова А.В., Аронзон Б.А., Взаимосвязь намагниченности и электрических свойств пленок сплавов GaSb-MnSb. ЖЭТФ, 147, 1170 – 1178 (2015).
  8. A. Simons, A. Gerber, I. Ya. Korenblit, A. Suslov, B. Raquet, M. Passacantando, Ottaviano, G. Impellizzeri, and B. Aronzon,Components of strong magnetoresistance in Mn implanted Ge, J of Appl. Phys., 115, 093703 (2014).
  9. E. Lahderanta, A. V. Lashkul, A. V. Kochura, K. G. Lisunov, B. A. Aronzon, and M. A. Shakhov, InSb:Mn A high temperature ferromagnetic semiconductor, Phys. Stat. Sol. A, 1-9 (2014).
  10. A.V. Kochura, B. A. Aronzon, K. G. Lisunov, A. V. Lashkul, A. A. Sidorenko, R. De Renzi, S. F. Marenkin, M. Alam, A. P. Kuzmenko, and E. Lahderanta, Structural and magnetic properties of In1-xMnxSb: Effect of Mn complexes and MnSb clusters, J of Appl. Phys., 113, 083905 (2013).

Германенко Александр Викторович - доктор физико-математических наук, профессор, зав. кафедрой компьютерной физики, директор Института естественных наук и математики Федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина»
620002, Екатеринбург, ул. Мира, 19 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина», +7 (343) 375-45-07, , urfu.ru/ru, отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

  1. G.M.Minkov, A.V.Germanenko, A.A.Sherstobitov, O.E.Rut, Interaction correction to the conductivity of two-dimensional electron gas in InGaAs/InP quantum well structure with strong spin-orbit coupling. Phys. Rev. B 85, 125303 (2012) [7 pages].
  2. А.В. Германенко, Г.М. Миньков, О.Э. Рут, А.А. Шерстобитов. Спиновая релаксация и электрон-электронное взаимодействие в проводимости двумерных систем с сильным спин-орбитальным взаимодействием. XVI Международный симпозиум. “Нанофизика и наноэлектроника”. Нижний Новгород. 12–16 марта 2012 г., Материалы симпозиума. Том. 1, С. 214 – 215.
  3. A. V. Germanenko, G. M. Minkov, O. E. Rut and A. A. Sherstobitov. Interference quantum correction to conductivity of AlxGa1-xAs/GaAs double quantum well heterostructures near the balance. Journal of Physics: Conference Series 376, 012024 (2012).
  4. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, S. A. Dvoretski, and N. N. Mikhailov. Anisotropic conductivity and weak localization in HgTe quantum wells with a normal energy spectrum. Phys. Rev. B 88, 045323 (2013).
  5. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, S. A. Dvoretski, and N. N. Mikhailov. Two-dimensional semimetal in a wide HgTe quantum well: Magnetotransport and energy spectrum. Phys. Rev. B 88, 155306 (2013).
  6. А.В. Германенко, Г.М. Миньков, О.Э. Рут, А.А. Шерстобитов, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов. Двумерный полуметалл в широких квантовых ямах HgTe: энергетический спектр носителей и магнитотранспорт. XVII Международный симпозиум. “Нанофизика и наноэлектроника”. Нижний Новгород. 11–15 марта 2013 г., Материалы симпозиума. Том. 2, С. 406-407.
  7. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, S. A. Dvoretski, and N. N. Mikhailov. Hole transport and valence-band dispersion law in a HgTe quantum well with a normal energy spectrum. Phys. Rev. B 89, 165311 (2014).
  8. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, S. A. Dvoretski, and N. N. Mikhailov. Weak antilocalization of holes in HgTe quantum wells with a normal energy spectrum. Phys. Rev. B 91, 205302 (2015).
  9. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, M. O. Nestoklon, S. A. Dvoretski, and N. N. Mikhailov, Spin-orbit splitting of valence and conduction bands in HgTe quantum wells near the Dirac point. Phys. Rev. B 93, 155304 (2016).
  10. Г. М. Миньков, О. Э. Рут, А. А. Шерстобитов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Зеемановское расщепление зоны проводимости квантовых ям HgTe с полуметаллическим спектром, Письма в ЖЭТФ, том 104, вып. 4, с. 241 – 247 (2016).

Кульбачинский Владимир Анатольевич - доктор физико-математических наук, профессор, профессор Московского Государственного Университет имени М.В. Ломоносова. Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости. 1 119991 ГСП-2 Москва Ленинские горы д. 1, стр. 2. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова» +7 495 939-16-82, , mig.phys.msu.ru, отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

  1. Брандт Н.Б., Кульбачинский В.А. Квазичастицы в физике конденсированного состояния, МОНОГРАФИЯ, место издания Физматлит Москва, ISBN 978-59221-1209-3, 632 стр. (2016).
  2. Yuzeeva N.A., Sorokoumova A.V., Lunin R.A., Oveshnikov L.N., Galiev G.B., Klimov E.A., Lavruchin D.V., Kulbachinskii V.A., Electron Mobilities and Effective Masses in InGaAs/InAlAs HEMT Structures with High In Content, Journal of Low Temperature Physics, том 185, с. 701-706 (2016).
  3. Kytin V.G., Maximova O.V., Kulbachinskii V.A., et. al., Magnetoresistance of ZnO:Co Thin Films at Low Temperatures, J. Low Temp. Phys. 185, №5-6, 707–711 (2016).
  4. Кудряшов А.А., Кытин В.Г., Лунин Р.А., Кульбачинский В.А., Banerjee A., Влияние легирования таллием на подвижности электронов в Bi2Se3 и дырок в Sb2Te3, ФТП, 50, вып. 7, 886-892 (2016).
  5. Das D., Malik K., Kulbachinskii V.A., et al. // Tuning of thermoelectric properties with changing Se content in Sb2Te3, Europhysics Letters. – 2016. – Vol. 113. – P.47004.
  6. Oveshnikov L.N., Kulbachinskii V.A., Davydov A.B., et al. // Berry phase mechanism of the anomalous Hall effect in a disordered two-dimensional magnetic semiconductor structure // Nature (Scientific reports) – 2015. – Vol. 5. – P.17158.
  7. S.V. Ovsyannikov, N.V. Morozova, V.A. Kulbachinskii et al., Enhanced power factor and high-pressure effects in (Bi,Sb)2(Te,Se)3 thermoelectrics // Applied Physics Letters. – 2015. – Vol. 106. – P.143901.
  8. M. Sasaki, K. Kyoung-Min, V.A. Kulbachinskii et al., Interplay between disorder and inversion symmetry: Extreme enhancement of the mobility near the Weyl point in BiTeI /// Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics.– 2015. – Vol. 92. – P.205121.
  9. Reukova O.V. Magnetoresistance of thin films due to weak localization under the variation of the dimensionality induced by the magnetic field and temperature / O.V. Reukova, V.G. Kytin, V.A. Kulbachinskii et al. // JETP Letters. – 2015. – Vol. 101. – P.189-192.
  10. V.G. Kytin, V.A. Kulbachinskii, O.V. Reukova et al. // Conducting properties of In2O3:Sn thin films at low temperatures / Applied Physics A: Materials Science and Processing – 2014 – Vol. 114. – P.957-964.
  11. Kim Heon-Jung, Kim Ki-Seok, V.A. Kulbachinskii et al. // Topological Phase Transitions Driven by Magnetic Phase Transitions in FexBi2Te3 (0<x<0.1) Single Crystals // Physical Review Letters. – 2013 – Vol. 110. – P.136601.
Ведущая организация Физико-технический институт им. Иоффе Российской академии наук (ФТИ им Иоффе). 194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26, Физико-технический институт им. Иоффе , +7 (812) 297-2245, , www.ioffe.ru, отзыв

Список публикаций организации по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

  1. Редько Н. А., Каган В. Д., Волков М. П. Анализ спинового расщепления максимумов квантовых осцилляций сопротивления полупроводниковых сплавов n-Bi-Sb в магнитном поле, параллельном биссекторной оси. 2013, ФТТ, т.55, 11 c.2112-2117.
  2. Lukyanova L. N., Boikov Yu. A., Danilov V. A., Usov O. A., Volkov M. P., Kutasov V.A. Thermoelectric and galvanomagnetic properties of bismuth chalcogenide nanostructured heteroepitaxial films. 2015, Semicond. Sci. Technol., v.30, 1 ArtNo: #015011
  3. Бойков Ю.А., Волков М.П. Влияние расслоения фаз на электро- и магнетотранспорт в гетероэпитаксиальных пленках La2/3Ca1/3MnO3 2016, ФТТ, т.58, 1 страницы: 73.
  4. I.L. Drichko, V.A. Malysh, I.Yu. Smirnov, L.E. Golub, S.A. Tarasenko, A.V. Suslov, , O. A. Mironov, M. Kummer, H. von Kanel. AC-transport in p-Ge/Si quantum well in high magnetic field. AIP Conference Proceeding 1610, 53 (2014).
  5. Agrinskaya N. V., Kozub V.I., Mikhailin N.Yu., Shamshur D.V., Spin-controlled negative magnetoresistance resulting from exchange interactions, 2017, Письма ЖЭТФ, т.105, 8 477-478.
  6. I.L.Drichko, V.A.Malysh, I.Yu.Smirnov, A.V.Suslov, O. A. Mironov, M.Kummer, H. von Kanel. Acoustoelectric effects in very high –mobility p-SiGe/Ge/SiGe heterostructure at low temperatures in high magnetic fields, J.Appl. Phys., 114, 074302 (2013).
  7. Парфеньев Р В; Козуб В И; Андрианов Г О; Шамшур Д; Черняев А В; Михайлин Н Ю; Немов С А, Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn1–zTe, легированных In, ФНТ, 2015, т.41, 2 147-152.
  8. N.V. Agrinskaya, V.I. Kozub, N.Yu. Mikhailin, D.V. Shamshur, Scaling of the breakdown in the impurity band of doped GaAs/AlGaAs quantum well demonstrating virtual Anderson transition, Solid State Communications 260 (2017) 6–9.
  9. I.L.Drichko, V.A.Malysh, I.Yu.Smirnov, L.E.Golub, S.A.Tarasenko., A.V.Suslov, , O. A. Mironov, M.Kummer, H. von Kanel. In-plane magnetic field effect on hole cyclotron mass and gz-factor in high-mobility SiGe/Ge/SiGe structures. Phys.Rev.B, 90, 125436 (2014).
  10. I.L.Drichko, A.M. Diakonov, V.A.Malysh, I.Yu.Smirnov, Yu.M. Galperin, N.D.Ilyinskaya, A.A.Usikova, M.Kummer, H. von Kanel. Contactless measurement of alternating current conductance in quantum Hall structures. J.Appl. Phys., 116, 154309 (2014).
Заключение комиссии
Решение о приёме диссертации к защите
Объявление о защите диссертации
Отзывы на автореферат
Итоги защиты Заключение диссертационного совета:
Видео

Добавить комментарий

Защитный код
Обновить