Милахин Денис Сергеевич

ФИО Милахин Денис Сергеевич
Тема Особенности формирования AlN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
Описание Диссертация представлена на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 физика полупроводников
Автореферат
Текст диссертации
(размещён 25.03.2021)
Научный руководитель Журавлев Константин Сергеевич - доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник, и.о. заведующего лабораторией №37 молекулярно-лучевой эпитаксии соединений A3B5 Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук. , отзыв
Оппоненты

Брудный Валентин Натанович, д.-ф.-м.н., профессор кафедры физики полупроводников, Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Томский государственный университет» urfu.ru, отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

  1. A. G. Afonin, V. N. Brudnyi, P. A. Brudnyi, and L. E. Velikovskii. Properties of radiation changes in electrical properties of InAlN/GaN HEMT. // Russ. Physics J. V. 62(9), P. 1656 – 1662. (2020). DOI 10.1007/s11182-020-01888-w.
  2. V N Brudnyi, I V Kamenskaya and P A Brudnyi. Fermi level pinning and hydrostatic pressure effect in electron irradiated GaSb. // Semicond. Sci. and Technology. V. 36, P.086021 (6pp).(2020). doi: org/10.1088/13-616641/ab92cf.
  3. В.Н. Брудный, М.Д. Вилисова. Твердые растворы InxAl1-xN:проблемы стабильности состава. // Физика и Техника Полупроводников, Т.63(12), С.1733-1736. (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.12.48636.9239
  4. V N Brudnyi, V M Boiko, N G Kolin, A V Kosobutsky, A V Korulin, P A Brudnyi and V S Ermakov. Neutron irradiation-induced modification of electrical and structural properties of GaN. // Semicond. Sci. and Technology. V.33, 095011 (8 pp) (2018). doi: org/10.1088/13-616641/aad53b.
  5. V. Brudnyi, I. Prudaev, V. Oleinik, A. Marmaluk. Electron irradiation degradation of AlGaInP/GaAs light-emitting diodes.//Physica status solidi (a). V.215, P.1700445 (5 pp) (2018). DOI: 10.1002/pssa.201700445.
  6. V N Brudnyi, A.V. Kosobutskyi. Electronic properties of SiC polytypes: Charge neutralitylevel and interfacial barrier heights. Superlattice and Microstructures/ V.111, P. 499 – 505 (2017). DOI:org/10.1016/j.spmi/2017.07.003.
  7. V.N. Brudny. Gallium nitride: charge neutrality level and interfaces. // Russ. Physics J. V.58(11), P. 1413 – 1418 (2016). DOI 10.1007/s11182-016-0691-1.
  8. S.A. Bereznaya, Z.V. Korotchenko, R.A. Redkin, S.Yu. Sarkisov, V.N. Brudnyi, A.V. Kosobutsky, V.V. Atuchin. Terahertz generation from electron- and neutron-irradiated semiconductor crystal surfacesю // Infrared Physics and Technology. V.77, 199-103 (2016). doi.org./10.1016/j.infrared 2016.05.023

Жмерик Валентин Николаевич, д.ф-м.н., Ведущий научный сотрудник лаборатории оптики кристаллов и гетероструктур с экстремальной двумерностью, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук , отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

  1. V. Jmerik 2D-GaN/AlN Monolayer-Thick Quantum Wells in Encyclopedia of Applied Physics. © 2020, WILEY-VCH GmbH. http://dx.doi.org/10.1002/3527600434.eap853
  2. Jmerik, V.N., Nechaev, D.V., and Ivanov, S.V. Kinetics of Metal-Rich PA Molecular Beam Epitaxy of AlGaN Heterostructures for Mid-UV Photonics, In: Molecular Beam Epitaxy: From Research to Mass Production, 2e (ed. M. Henini), (2018), 135-179. Elsevier Inc. http://dx.doi.org/10.1016/B978-0-12-812136-8.00008-6
  3. V. N. Jmerik, D. V. Nechaev, A.A. Toropov, E. A. Evropeitsev, V. I. Kozlovsky, V. P. Martovitsky, S. Rouvimov, and S. V. Ivanov, High-efficiency electron-beam-pumped sub-240-nm ultraviolet emitters based on ultra-thin GaN/AlN multiple quantum wells grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on c-Al2O3, Appl. Phys. Express 11, 091003 (2018). https://doi.ore/10.7567/APEX. 11.091003
  4. О. A. Koshelev, D.V. Nechaev, P.N. Brunkov, S.V. Ivanov, V. N. Jmerik, Stress control in thick AlN/c-Al2O3 templates grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy, 2020 Semicond. Sci. Technol. 36, 035007 (2021). https://doi.org/10.1088/1361-6641/abd63d
  5. D.V. Nechaev, O.A. Koshelev, V.V. Ratnikov, P.N. Brunkov, A.V. Myasoedov, A. A. Sitnikova, S.V. Ivanov, V.N. Jmerik, Effect of stoichiometric conditions and growth mode on threading dislocations filtering in AlN/ c-Al2O3 templates grown by PA MBE, Superlattices and Microstructures 138, 106368 (2020),8pp. https://doi.org/10.1016/j.spmi.2019.106368
  6. A. A. Toropov, Е. A. Evropeitsev, М. О. Nestoklon, D.S. Smirnov, Т. V. Shubina, V. Kh. Kaibyshev, G. V. Budkin, V. N. Jmerik, D. V. Nechaev, S. Rouvimov, S. V. Ivanov, and B. Gil Strongly Confined Excitons in GaN/AlN Nanostructures with Atomically Thin GaN Layers for Efficient Light Emission in Deep-Ultraviolet, Nano Lett. 20(1), 158-165 (2020). https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.9b03517
  7. Y. Wang, X. Rong, S. Ivanov, V. Jmerik, et al., Deep Ultraviolet Light Source from Ultrathin GaN/AIN MQW Structures with Output Power Over 2 Watt, Adv. Optical Mater. 1801763 (2019) https://doi.org/10.1002/adom.201801763
  8. N. Atanov, Y. Davydov, V. Glagolev, V. Tereshchenko, D. Nechaev, S. Ivanov, V. Jmerik, A Photomultiplier with an AlGaN Photocathode and Microchannel Plates for BaF2 Scintillator Detectors in Particle Physics, IEEE Transactions on Nuclear Science, V. 67, Issue: 7, July 2020, pp.1760 - 1764. https://doi.org/10.1109/TNS.2020.2998433
  9. Y. Robin, S. Y. Bae, Т. V. Shubina, M. Pristovsek, E. A. Evropeitsev, D. A. Kirilenko, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, A. A. Toropov, V. N. Jmerik, M. Kushimoto, S. Nitta, S. V. Ivanov, H. Amano, Insight into the performance of multi-color InGaN/GaN nanorod light emitting diodes, Scientific Reports (2018) 8:7311 https://doi.org/10.1038/s41598-018-25473-x
  10. V.N. Jmerik, N.V. Kuznetsova, D.V. Nechaev, T.V. Shubina, D.A. Kirilenko, S.I. Troshkov, V.Yu. Davydov, A.N. Smirnov, S.V. Ivanov, Selective area growth of N-polar GaN nanorods by plasma-assisted MBE on micro-cone-patterned c-sapphire substrates, J. Crystal Growth 477, 207-211 (2017). https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.05.014
Ведущая организация

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им.П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) , отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет (10-15):

  1. K. Nagaraja, Yu.A. Mityagin, M.P. Telenkov, I.P. Kazakov, GaAs(1-x)Bix: a promising material for optoelectronics applications, Critical Review in Solid State and Material Sciences, 42, 239 (2016).
  2. I.A. Likhachev, I.N. Trunkin, V.I. Tsekhosh, G.V. Prutskov, I.A. Subbotin, A.V. Klekovkin, E.M. Pashaev, A.L. Vasiliev, I.P. Kazakov, Microstructure of QD-like clusters in GaAs/In(As,Bi) heterosystems, J. Mater. Res., 33, 2342 (2018).
  3. L.P. Avakyants, P.Y. Bokov, I.P. Kazakov, M.A. Bazalevsky, P.M. Deev, A.V. Chervyakov, Photoreflectance Spectroscopy Study of LT-GaAs Layers Grown on Si and GaAs Substrates, Semiconductors, 52 ,849 (2018).
  4. A.A. Melnikov, K.N. Boldyrev, Y.G. Selivanov, V.P. Martovitskii,; S.V. Chekalin, E.A. Ryabov, Coherent phonons in a Bi2Se3 film generated by an intense single-cycle THz pulse, Phys. Rev. B, 97, 21(2018).
  5. I.I. Zasavitskii, N.Y. Kovbasa, N.A. Raspopov, A.V. Lobintsov, Y.V. Kurnyavko, P.V. Gorlachuk, A.B. Krysa, A GaInAs/AlInAs quantum cascade laser with an emission wavelength of 5.6 µm, Quant. Electron. 48, 472 (2018).
  6. S.O. Volosheniuk, Y.G. Selivanov, M.A. Bryzgalov, V.P. Martovitskii, A.Y. Kuntsevich, Effect of Sr doping on structure, morphology, and transport properties of Bi2Se3 epitaxial thin films, J. Appl. Phys., 125, 9 (2019).
  7. M.A. Ladugin, I.V. Yarotskaya, T.A. Bagaev, K.Y. Telegin, A.Y. Andreev, I.I. Zasavitskii, A.A. Padalitsa, Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by MOVPE, Crystals, 9, 6 (2019).
  8. A.V. Suslov; A.B. Davydov, L.N. Oveshnikov, L.A. Morgun, K.I. Kugel, V.S. Zakhvalinskii, E.A. Pilyuk, A.V. Kochura, Observation of subkelvin superconductivity in Cd3As2 thin films, Phys. Rev. B, 99, 9 (2019).
  9. S. Chusnutdinow, M. Szot, S. Schreyeck, M. Aleszkiewicz, I.V. Kucherenko, A.V. Muratov, V.A. Yakovlev, Ternary Pb1-x Cdx Se films grown by molecular beam epitaxy on GaAs/ZnTe hybrid substrates, J.of Cryst. Growth, 507, 10 (2019).
  10. S.A. Savinov, K.K. Nagaraja, Y.A., Mityagin, P.A. Danilov, S.I. Kudryashov, A.A. Ionin, I.P. Kazakov, V.I. Tsekhosh, Investigation of GaAsBi epitaxial layers for THz emitters pumped by long-wavelength fiber lasers, Optical Mater., 101, 1 (2020).
  11. E.V. Shornikova, D.R. Yakovlev, L. Biadala, S.A. Crooker, V.V. Belykh, M.V. Kochiev, A. Kuntzmann, M. Nasilowski, Negatively Charged Excitons in CdSe Nanoplatelets, Nano Lett., 20, 1370 ( 2020).
  12. V.V. Belykh, M.V. Kochiev, D.N. Sob'yanin, D.R. Yakovlev, M. Bayer, Anomalous magnetic suppression of spin relaxation in a two-dimensional electron gas in a GaAs/AlGaAs quantum well, Phys. Rev. B, 101, 23 (2020).
  13. N.K. Chumakov, I.A. Chernykh. A.B. Davydov, I.S. Ezubchenko, Y.V. Grishchenko, L.L. Lev, I.O. Maiboroda, L.A. Morgun, Quantum Coherence and the Kondo Effect in the 2D Electron Gas of Magnetically Undoped AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor Heterostructures, Semiconductors, 54, 1150 (2020).
  14. T.V. Yuryeva, S.A. Malykhin, A.A. Kudryavtsev, I.B. Afanasyev, I.F. Kadikova, V.A. Yuryev, CdZnSSe crystals synthesized in silicate glass: Structure, cathodoluminescence, band gap, discovery in historical glass, and possible applications in contemporary technology Mater. Res. Bull., 123, 110704 (2020).
  15. A.Y. Kuntsevich, G.M. Minkov, A.A. Sherstobitov, Y.V. Tupikov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, Density of states measurements for the heavy subband of holes in HgTe quantum wells, Phys. Rev. B, 101, 8 (2020).
Заключение комиссии
Решение о приёме диссертации к защите
Объявление о защите диссертации
Отзывы на автореферат
Итоги защиты Заключение диссертационного совета:
Протокол заседания диссертационного совета:
Видео

Добавить комментарий

Защитный код
Обновить