Вступительное слово директора ИФП СО РАН
акад. РАН А.В. Латышева

А.А. Шевырин, А.Г. Погосов, А.К. Бакаров. А.А. Шкляев

Физические механизмы возбуждения и детектирования колебаний наноэлектромеханических систем с двумерным электронным газом

А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев

Формирование проводящих и диэлектрических наноструктур на поверхности Si(111) зондом атомно-силового микроскопа

А.П. Ковчавцев, Ю.Г. Сидоров, А.Е. Настовьяк, А.В. Царенко, И.В. Сабинина, В.В. Васильев

Пассивация поверхности слоев кадмий ртуть теллур тонкими пленками окиси алюминия, выращенными методом атомарно слоевого осаждения

Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов

Экспериментальное наблюдение перемещения краевых дислокаций в гетероструктурах Ge/Ge_xSi_1−x/Si(001)

11:20 - 11:30 Перерыв

Председатель сессии: Наумова О.В.

О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко

Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабом магнитном поле

В.А. Гриценко, Т.В. Перевалов, В.А. Воронковский, А.A. Гисматулин, В.Н. Кручинин, В.Ш. Алиев, А.К. Герасимова

Механизм транспорта заряда и природа ловушек в оксиде тантала TaO_x

В.Ш. Алиев, С.Г. Бортников, И.А. Бадмаева, И.В. Мжельский

Механизм осцилляций тока в диоксиде ванадия

13:30 - 14:30 Перерыв

Председатель сессии: Федина Л.И.

М.С. Аксенов, Н.А. Валишева, С.Е. Хандархаева, А.В. Бакулин, С.Е. Кулькова

Исследование механизма электронной пассивации поверхности InAs(111)A фторсодержащими анодными слоями

Р. Жачук, А. Долбак, В. Черепанов, Ж. Кутиньо, Б. Фойхтлендер

Структура напряжённых слоёв Si на поверхности Ge(111)

М.В. Бурдастых, С.В. Постолова, Т.И. Батурина, А.Ю. Миронов

Сверхпроводник и сверхизолятор как топологические фазы материи

16:30 - 16:40 Перерыв

Председатель сессии: Ковалев В.М.

Д.А. Похабов, А.Г. Погосов, Е.Ю. Жданов, А.А. Шевырин, А.К. Бакаров, А.А. Шкляев

Электрическая спиновая поляризация в подвешенных GaAs квантовых точечных контактах

Л.С. Брагинский, Л.И. Магарилл, М.М. Махмудиан, М.В. Энтин

Краевые состояния электронов в двумерном топологическом изоляторе: физические последствия линейности электронного спектра

А.Э. Климов, В.С. Эпов

Гигантское магнетосопротивление пленок PbSnTe:In в режиме токов, ограниченных пространственным зарядом: угловые особенности и влияние поверхности

№

Д.С. Абрамкин, А.К. Гутаковский, Т.С. Шамирзаев

Методика определения типа энергетического строения гетероструктур с диффузионно размытыми границами

Б.Г. Вайнер

Электронные слои обогащения в узкозонных полупроводниках с реальной границей раздела и новая аппроксимация поверхностного потенциала с аналитическим решением уравнения Шредингера

Д.Б. Третьяков, И.И. Бетеров, Е.А. Якшина, В.М. Энтин, И.И. Рябцев, П. Шенэ, П. Пиле

Наблюдение борромеановских трёхчастичных резонансов Фёрстера для трёх взаимодействующих ридберговских атомов рубидия

11:00 - 11:10 Перерыв

Председатель сессии: Милёхин А.Г.

Направление II

В.А. Голяшов, И.Б. Чистохин, А.С. Ярошевич, Т.С. Шамирзаев, И.А. Деребезов, В.А. Гайслер, И.И. Мараховка, А.В. Копотилов, Н.В. Кислых, А.В. Миронов, В.В. Аксенов, О.Е. Терещенко

Фотоэмиссионные и инжекционные свойства вакуумного фотодиода с полупроводниковыми электродами с эффективным отрицательным электронным сродством

Н.А. Паханов, О.П. Пчеляков

Сверхтонкие солнечные элементы на гетероструктуре AIIIBV/Ge

Б.Г. Вайнер

Высокоразрешающий физический метод неинвазивного количественного исследования дыхания

13:20 - 15:00 Перерыв

Направление I,II

15:00 Обсуждение конкурсных работ

Председатель сессии: О.Е. Терещенко

После окончания дискуссии — заседание конкурсной комиссии