2023

Программа
конкурса научных работ ИФП СО РАН

26.04. - 28.04.2023 г.

26 апреля, среда 9:30-16:00
конференц-зал АК

Направление I *Сессия 1. Председатель сессии: Д.В. Щеглов*
№ работы	Время	Авторы, название работы	Рецензенты
	9:30	Вступительное слово директора ИФП СО РАН акад. РАН А.В. Латышева
	9:40	Работа - победитель конкурса 2022 г. И.И. Бетеров, Е.А. Якшина, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, Н.В. Альянова, К.Ю. Митянин, А.М. Фарук, Я.В. Кудлаев, У. Сингх, И.И. Рябцев «Однокубитовые вентили с ультрахолодными нейтральными атомами» Текущее состояние и перспектива развития работы.
1	9:55	А.А. Спирина, В.Л. Альперович, Н.Л. Шварц «Ленгмюровское испарение GaAs(111)A и GaAs(111)B: моделирование методом Монте-Карло»	А.А. Шкляев А.В. Васев
2	10:35	Я.Е. Майдэбура, В.Г. Мансуров, Т.В. Малин, К.С. Журавлев «Поверхностная энергия и морфология монослоев GaN на поверхности AlN в потоке аммиака»	В.А. Голяшов, Н.Л. Шварц
11:15 - 11:30 Перерыв
*Сессия 2. Председатель сессии: А.А. Шкляев*
3	11:30	P. Zhao, Ch.H. Sharma, R. Liang, Ch. Glasenapp, L. Mourokh, V.M. Kovalev, P. Huber, M. Prada, L. Tiemann, R.H. Blick «Acoustically Induced Giant Synthetic Hall Voltages in Graphene»	А.Г. Погосов В.А. Ткаченко
4	12:10	О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, О.П. Сушков «Диаграммы Ванье и магнитотранспорт в мезоскопическом полупроводниковом искусственном графене»	А.Г. Погосов Е.Б. Ольшанецкий
12:50 - 14:00 Перерыв
*Сессия 3. Председатель сессии: В.М. Ковалёв*
5	14:00	Л.А. Федюхин, А.В. Горчаков, Е.А. Колосовский, Н.Г. Коробейщиков, И.В. Николаев «Новый подход к измерению оптических характеристик материалов. Теоретическое обоснование. Метод угловых инвариантов»	Е.В. Спесивцев В.Г. Половинкин
6	14:40	Н.Н. Курусь, И.А. Милёхин, Н.А. Небогатикова, И.В. Антонова, Е.Е. Родякина, А.Г. Милёхин, А.В. Латышев «Плазмон-усиленное комбинационное рассеяние света в многослойном графене: от микро- к наноуровню»	В.А. Володин А.Б. Талочкин
7	15:20	А.М. Фарук, И.И. Бетеров, Сюй Пэн, И.И. Рябцев «Масштабируемая архитектура гетероядерного регистра нейтральных атомов на основе электромагнитно-индуцированной прозрачности»	Е.Б. Хворостов В. А. Томилин

27 апреля, четверг 9:30 -15:30
конференц-зал АК

*Сессия 4. Председатель сессии: Д.С. Милахин*
8	9:30	Д.С. Абрамкин, М.О. Петрушков, Д.Б. Богомолов, Е.А. Емельянов, М. Ю. Есин, А.В. Васев, А.А. Блошкин, Е.С. Коптев, М.А. Путято, В.В. Атучин В.В. Преображенский «Новые самоорганизованные A^IIIB^V квантовые точки для создания элементов универсальной памяти»	Д.Р. Исламов В.А. Зиновьев
9	10:10	Д.В. Щеглов, Д.И. Рогило, Л.И. Федина, С.В. Ситников, Е.В. Сысоев, А.В. Латышев «Меры высоты, созданные на основе bottom-up подхода, для кремниевой нанометрологии»	В.Л. Альперович Н.А.Небогатикова
10	10:50	A.S. Petrov, D.I. Rogilo, R.A. Zhachuk, A.I. Vergules, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev «Structural transitions on Si(111) surface during Sn adsorption, electromigration, and desorption studied by in situ UHV REM»	В.Г. Мансуров А.Е. Долбак
11:30 - 11:45 Перерыв
*Сессия 5. Председатель сессии: О.И. Семёнова*
11	11:45	Т.С. Шамирзаев, D. S. Smirnov, D. R. Yakovlev, M. Bayer «Динамическая спиновая поляризация электронов: новый механизм спиновой поляризации в немагнитных наноструктурах»	В.М. Ковалёв А.Ф. Зиновьева
12	12:25	V. S. Rusetsky, V. A. Golyashov, S. V. Eremeev, D. A. Kustov, I. P. Rusinov, T. S. Shamirzaev, A. V. Mironov, A. Yu. Demin, and O. E. Tereshchenko «Источник спин-поляризованных электронов на основе мультищелочного фотокатода»	А.С. Терехов М.В. Энтин
13:05 - 14:10 Перерыв
Направление II *Сессия 6. Председатель сессии: В.Л. Альперович*
13	14:10	В.А. Антонов, В.П. Попов, А.К. Гутаковский, В.И. Вдовин, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко «КНС структуры для радиофотонных и СВЧ интегральных схем»	Д.Р. Исламов В.Ш. Алиев
14	14:50	Д.Ю. Протасов, Д.В. Дмитриев, К.С. Журавлев, Г.И. Айзенштат, А.Ю. Ющенко, А.Б. Пашковский. «Гетероструктуры для ключевых pHEMT транзисторов СВЧ-диапазона»	А.Э. Климов С.Н. Речкунов

28 апреля, пятница 9:30 -12:35
конференц-зал АК

*Сессия 7. Председатель сессии: А.Э Климов*
15	9:30	Д.В. Горшков, С.Н. Косолобов, А.С. Терехов, Г.Э. Шайблер, L.B. Jones, B.L. Militsyn, T.C.Q. Noakes «Методика измерения распределений эмитируемых фотокатодами электронов по поперечной компоненте энергии и её реализация на спектрометре TESS»	Л.С. Брагинский А.Г. Паулиш
16	10:10	Д.В. Щеглов, О.И. Семёнова, М.А. Демьяненко, С.В. Родякин, Д.И. Рогило, С.В. Ситников, Н.Н. Курусь, А.К. Гутаковский, А.Л. Асеев, А.В. Латышев, Л.И. Федина «Углеродные нанотрубки в терагерцовой полупроводниковой сенсорике»	В.А. Гайслер И.В. Антонова
10:50 - 11:05 Перерыв
*Сессия 8. Председатель сессии: Н.Л. Шварц*
17	11:05	А.И. Иванов, И.В. Антонова, Р.А. Соотс, А.К. Гутаковский, В.Я. Принц «Гибкие мемристоры на основе фторированного графена с наночастицами V₂O₅»	В.А. Гриценко Ю.А. Новиков
18	11:55	Т.В. Малин, Д.С. Милахин, В.Г. Мансуров, А.М. Гилинский, О.Е. Терещенко, Д.Ю. Протасов, И.А. Александров, И.Д. Лошкарёв, К.С. Журавлев «Рост in situ пассивированных SiN/AlN/GaN гетероструктур с бинарным барьером AlN для нормально-закрытых СВЧ транзисторов»	В.В. Преображенский О.В. Наумова

Направление I,II

14:00 Обсуждение конкурсных работ

Председатель сессии: А.Г. Милёхин

После окончания дискуссии — заседание конкурсной комиссии