№ (направление) |
Время |
Авторы, название работы |
Рецензенты |
|
9:00 |
Вступительное слово директора ИФП СО РАН акад. РАН А.В. Латышева
| |
|
9:10 |
Д.Б. Третьяков, И.И. Бетеров, Е.А. Якшина, В.М. Энтин, И.И. Рябцев, П. Шенэ, П. Пиле
Наблюдение борромеановских трёхчастичных резонансов Фёрстера для трёх взаимодействующих ридберговских атомов рубидия
|
Информация о развитий работы-победителя конкурса 2018 года по направлению I |
1 |
9:20 |
Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Ю.Г.Галицын, К.С. Журавлев
Начальная стадия эпитаксии А3-нитридов на подложке сапфира: от нитридизации до высококачественного буфера
|
В.В. Преображенский О.Е. Терещенко |
2 |
10:00 |
Н.А. Небогатикова, И.В. Антонова, В.А. Володин, А.Олейничак, В.А. Скуратов, С.В. Ерохин, Д.Г. Квашнин, Л.А. Чернозатонский, А.В. Крашенинников, П.Б.Сорокин
Наноструктурирование пленок мультиграфена при помощи облучения тяжелыми ионами высоких энергий
|
Г.Н. Камаев А.В. Ненашев |
3 |
10:40 |
А.В. Царев
Дисковый оптический резонатор с модуляцией формы с возможностью излучения по нормали к поверхности
|
С.В. Перминов Д.А. Шапиро |
11:20 - 11:30 Перерыв
Председатель сессии: Семёнова О.И.
|
4 |
11:30 |
Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, С.А. Рудин, А.В. Ненашев, П.Л. Новиков, Е.Е. Родякина, Б.И. Фомин, А.В. Двуреченский
Зарождение и эпитаксиальный рост трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)
|
Н.Л. Шварц Л.В. Соколов |
5 |
12:10 |
О.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, В.А. Ткаченко, З.Д. Квон, А.С. Ярошевич, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, M. Otteneder, S.D. Ganichev
Фотон-ассистированное прохождение электрона через туннельный точечный контакт
|
В.Л. Альперович О.Е. Терещенко |
6 |
12:50 |
М.Ю. Есин, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, А.Р. Туктамышев, В.И. Машанов, И.Д. Лошкарев, А.С.Дерябин, Ю.Ю. Эрвье, О.П. Пчеляков
Формирование доменной структуры в процессе эпитаксии Si и Ge на поверхности Si(100) отклоненной менее 0,5°
|
В.А. Зиновьев С.В. Ситников |
13:30 - 14:30 Перерыв
Председатель сессии: Наумова О.В.
Направление II
|
7 |
14:30 |
А.Г. Милёхин, Т.А. Дуда, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, M. Rahaman, V.M. Dzhagan, D.R.T. Zahn
Локальный спектральный анализ наноструктур фотоники за дифракционным пределом
|
В.А. Володин А.Б. Талочкин |
8 |
15:10 |
А.С. Тарасов, Д.В. Ищенко, А.Н. Акимов, О.И. Ахундов, В.А. Голяшов, А.Э. Климов, Н.С. Пащин, С.П. Супрун, Е.В. Федосенко, В.Н. Шерстякова, О.Е. Терещенко
Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоёв PbSnTe с составом вблизи инверсии зон
|
Н.А. Валишева И.Е. Тысченко |
16:30 - 16:40 Перерыв
Председатель сессии: Володин В.А.
|
9 |
16:40 |
С.В. Мутилин, В.Я. Принц, В.А. Селезнев, А.К. Гутаковский, Л.В. Яковкина
Синтез упорядоченного массива вертикальных нанопроволок VO2 на наноимпринтированном Si
|
А.В. Алиев С.И. Романов |
10 |
17:20 |
Л.С. Басалаева, Ю.В. Настаушев, Н.В. Крыжановская, Э.И. Моисеев, Д.А. Раднатаров, С.А. Хрипунов, Д.Е. Уткин, И.Б. Чистохин, А.В. Латышев, Ф.Н. Дульцев
Резонансное отражение света упорядоченными массивами кремниевых нанопилларов с вертикальным p-n переходом
|
О.И. Семёнова А.В. Царев |