2022

Малогабаритные многоканальные приборы наблюдения

Докладчик: Голицын Андрей Вячеславович

 

Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук

по специальности 2.2.6 - Оптические и опто-электронные приборы и комплексы

 

Научный руководитель: д.ф.-м.н. Дмитриев А. К.

Научный рецензент: д.т.н., профессор Потатуркин В. И.

Ведущий семинара: д.ф.-м.н. Якушев М.В.

В среду, 6 апреля 2022, 15.00 в КЗ ТК состоится Семинар отдела физики поверхности

В. С. Русецкий

Новый полупроводниковый источник спин-поляризованных электронов и спин-детектор с пространственным разрешением

Новые спин-зависимые фотоэмиссионные свойства полупроводниковых гетероструктур на основе мультищелочного фотокатода Na2KSb/Cs3Sb предсказаны с помощью расчетов из первых принципов (DFT) и наблюдения эффекта оптической спиновой ориентации. Расчеты из первых принципов продемонстрировали удивительную схожесть зонного спектра соединения Na2KSb и GaAs, особенно валентных зон, что связано с определяющим вкладом элементов пятой группы в спектр состояний. В фотокатоде Na2KSb/Cs3Sb был обнаружен эффект оптической ориентации благодаря высокой степени круговой поляризации фотолюминесценции, достигающей 23 %. Эти результаты продемонстрировали потенциальную возможность спин-зависимых фотоэмиссионных свойств фотокатода на основе Na2KSb. Для проверки спин-поляризованной фотоэмиссии мы изготовили специальный сверхвысоковакуумный фотодиод, состоящий из гетероструктуры Na2KSb/Cs3Sb, которая тестировалась в качестве источника спин-поляризованных электронов и анода Al0.11Ga0.89As/Cs3Sb - в качестве спин-детектора с пространственным и спектральным разрешением. Активный слой Na2KSb фотокатода выращивался методом газофазной эпитаксии или молекулярно-лучевой эпитаксии и активировался до состояния отрицательного сродства к электрону созданием слоя Cs3Sb . Показано, что при комнатной температуре степень поляризации фотоэмитированных электронов достигает практически теоретического максимума в 50 %. Измерен эмиттанс электронного пучка, генерируемого светом с энергией ниже 1.3 эВ (950 нм), приближающийся к пределу, определяемому температурным разбросом поперечной энергии электронов в пучке. Наконец, структура Al0.11Ga0.89As/Cs3Sb продемонстрировала высокую эффективность в качестве детектора спина свободных электронов с пространственным разрешением.




Высокотемпературные атомные процессы на границе раздела кремний-вакуум при сублимации, эпитаксии, термическом травлении кислородом и осаждении золота

Докладчик: Косолобов Сергей Сергеевич 

 

Диссертация на соискание ученой степени
доктора физико-математических наук
по специальности 1.3.8 – физика конденсированного состояния

 

Научный консультант академик РАН Латышев А.В.

Научный рецензент д.ф.-м.н. Никифоров А.И.

Ведущий семинара д.ф.-м.н. Милёхин А.Г.

В пятницу, 13 мая 2022, в 15.00 в конференц.зале термостатированного корпуса (ТК) состоится лабораторный семинар лаб.№37

"Графеноподобная модификация нитрида кремния g-Si3N3 на поверхности кремния Si(111)"

Приглашаются все желающие!




на базе лаборатории технологии кремниевой микроэлектроники

Подвижность электронов в тонких пленках кремния

Докладчик: Зайцева Эльза Гайнуллаевна

Диссертация на соискание ученой степени
кандидата физико-математических наук
по специальности 1.3.11 – физика полупроводников

Научный руководитель д.ф.-м.н. Наумова О. В.

Научный рецензент к.ф.-м.н. Протасов Д. Ю.

Ведущий семинара д.ф.-м.н. Двуреченский А. В.

В четверг, 14го апреля в 14:30 в актовом зале АК состоится семинар группы №2, лабораторий 15 и 28 ИФП СО РАН

Докладчик: А. В. Зверев, Д.Е. Ипатов

"Программный комплекс симуляции динамических ИК сцен для оптимизации характеристик ФПУ нового поколения"

Приглашаются все желающие!




В среду, 6 апреля 2022, 15.00 в КЗ ТК состоится Семинар отдела физики поверхности

А.С. Терехов

Преломление фотоэлектронов на интерфейсе р+-GaAs/вакуум




Во вторник 5 апреля 2022, 10.00 в КЗ ТК состоится Семинар лаборатории №10

Докладчик: А.А. Гисматулин

"Механизмы транспорта заряда в мемристорах на основе оксида и нитрида кремния"

Доклад по материалам кандидатской диссертации.

Руководитель: д.ф.-м.н. В.А. Гриценко

Рецензент: д.ф.-м.н. И.Е. Тысченко




Транспортные свойства двумерного полуметалла и двумерного топологического изолятора в квантовых ямах HgTe

Докладчик: Ольшанецкий Евгений Борисович, лаб.26

Диссертация на соискание ученой степени
доктора физико-математических наук по специальности 1.3.11 – физика полупроводников

Научный рецензент - д.ф.-м.н. Энтин М.В.

Ведущий семинара - д.ф.-м.н. Квон Зе Дон

Ссылка на подключение к семинару

Физико-химические свойства и электронная структура поверхности трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы.

Докладчик: Голяшов Владимир Андреевич, лаб. № 9

Диссертация на соискание ученой степени
кандидата физико-математических наук
по специальности 1.3.11 – физика полупроводников

Научный руководитель д.ф.-м.н. Терещенко О. Е.

Научный рецензент к.ф.-м.н. Козлов Д. А.

Ведущий семинара д.ф.-м.н. Милёхин А. Г.

Ссылка на подключение к семинару

Гидродинамические явления в наноструктурах

Докладчик: Алексеев Павел Сергеевич, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН

Диссертация на соискание ученой степени
д.ф.-м.н. по специальности 1.3.3. теоретическая физика

Научный рецензент - Ковалев В.М.

Ссылка на подключение к семинару

УПОРЯДОЧЕННЫЕ МАССИВЫ НАНОКРИСТАЛЛОВ ДИОКСИДА ВАНАДИЯ С ОБРАТИМЫМ ФАЗОВЫМ ПЕРЕХОДОМ ПОЛУПРОВОДНИК-МЕТАЛЛ НА НАНОСТРУКТУРАХ КРЕМНИЯ

Докладчик: Мутилин Сергей Владимирович, лаб. № 7

Диссертация на соискание ученой степени
кандидата физико-математических наук
по специальности 1.3.11 – физика полупроводников

Научный руководитель - А.Г. Милехин

Научный рецензент - А.А. Шкляев

Ведущий семинара - Двуреченский А.В.

Ссылка на подключение к семинару

В среду, 2 февраля 2022, 15.00 состоится Семинар отдела физики поверхности

По просьбе докладчиков состоится в on-line режиме

М.В. Энтин, М.М. Махмудиан, Мехрдад Махмудиан

Теория 2D вигнеровского кластера: структура, колебания, вращение, взрыв