№ |
Время |
Авторы, название работы |
Рецензенты |
4 (I) |
9:00 |
Д.В.Бражников, А.В.Тайченачав, А.М.Тумайкин, В.И.Юдин, И.И.Рябцев, В.М.Энтин
Влияние поляризации встречных волн на нелинейные резонансы электромагнитно-индуцированных прозрачности и адсорбции в конфигурации Ханле
|
Н.Н.Рубцова А.А.Черненко |
5 (I) |
9:40 |
С.А. Тийс, Е.М. Труханов, А.С. Ильин, А.К. Гутаковский, А.В. Колесников
Переходы поверхностных фаз на начальной стадии эпитаксиального роста Ge на Si(111), обусловленные изменением уровня механических напряжений
|
Ю.Б.Болховитянов А.А.Шкляев
|
6 (I) |
10:20 |
Т.С.Шамирзаев, Д.С.Абрамкин, А.К.Гутаковский, М.А.Путято
Высококачественная система релаксированных GaAs квантовых точек в матрице GaP
|
А.Г.Милёхин
А.Б.Талочкин
|
11:00 - 11:10 Перерыв |
(II) |
11:10 |
М.В.Якушев, А.А.Бабенко, Д.В.Брунев, В.В.Васильев, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, И.В.Марчишин, Л.В.Миронова, А.В.Предеин, Д.Н.Придачин, В.Г.Ремесник, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, А.В.Сорочкин, А.О.Сусляков
Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников
|
Работа победитель конкурса 2010 года
|
2 (II) |
11:30 |
Д.В.Щеглов, С.С.Косолобов, Е.Е.Родякина, Л.И.Федина, А.К.Гутаковский, А.В.Латышев
Прецизионные измерения на поверхности Si (111) в суб-нанодиапазоне
|
В.Л.Альперович С.А.Тийс
|