А.Л.Асеев

Вступительное слово директора ИФП СО РАН

Т.С.Шамирзаев, Д.С.Абрамкин, А.К.Гутаковский, М.А.Путято

Высококачественная система релаксированных GaAs квантовых точек в матрице GaP

В.М.Ковалев, А.В.Чаплик

Экранирование статического возмущения и осцилляции Фриделя в наноструктурах с экситонным газом

И.И.Бетеров, Д.Б.Третьяков, В.М.Энтин, Е.А.Якшина, И.И.Рябцев, К.Маккормик, С.Бергамини

Детерминированное возбуждение одиночных атомов методом адиабатического прохождения в режиме дипольной блокады

10:50 - 11:00 Перерыв

М.В.Энтин и Л.И.Магарилл

Фотоэлектрические эффекты в графене

Д.В.Дмитриев, И.С.Стрыгин, А.А.Быков, С.Дитрих, С.А.Виткалов

Транспортное время релаксации и квантовое время жизни в селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlAs

№

О.А.Ткаченко, В.А.Ткаченко, З.Д.Квон, Д.Г.Бакшеев, А.Л.Асеев, В.Т.Ренард, Ж.К.Портал

Интерференционные перенаправления в квантовых развилках

А.Г.Милёхин, Н.А.Ерюков, Л.Л.Свешникова, Т.А.Дуда, С.С.Косолобов, А.В.Латышев

Гигантское комбинационное рассеяние полупроводниковыми наноструктурами СdS и ZnO

Е.Е.Родякина, С.С.Косолобов, А.В.Латышев

Дрейф адатомов на поверхности Si (111) в условиях электромиграции

11:00 - 11:10 Перерыв

Ю.Б.Болховитянов, А.К.Гутаковский, А.С.Дерябин, Л.В.Соколов

Формирование краевых дислокаций несоответствия (ДН) в напряженных гетеросистемах с решеткой алмаза и сфалерита и границей вблизи плоскости (001)

Е.М.Труханов, И.Д.Лошкарев, К.Н.Романюк, А.К.Гутаковский, А.С.Ильин, А.В.Колесников

Структурное состояние гетеросистем Ge/Si с интерфейсами (001), (111) И (7 7 10)

№

В.Г.Гольдорт, И.В.Евсеев, В.Н.Ищенко, С.А.Кочубей, В.А.Решетов, Н.Н.Рубцова, В.Д.Салахутдинов, Е.Б.Хворостов

Фотонное эхо в парах иттербия на переходе 0-1

Е.В.Бельская, П.А.Бохан, Д.Э.Закревский, М.А.Лаврухин

Механизм перевода генерации на самоограниченном переходе в квазинепрерывный столкновительный режим

А.В.Царев

Эффективное пересечение наноразмерных оптических волноводов (кремниевых проволок) с пренебрежимо малым уровнем паразитного рассеяния

11:00 - 11:10 Перерыв

Д.В.Щеглов, С.С.Косолобов, Е.Е.Родякина, Л.И.Федина, А.К.Гутаковский, А.В.Латышев

Прецизионные измерения на поверхности Si (111) в суб-нанодиапазоне

В.Я.Принц, Р.М.Тазиев, С.В.Голод, С.В.Мутилин, А.В.Копылов

Гибридные оболочки графен-полупроводник

П.А.Бохан, Дм.Э.Закревский, П.П.Гугин

Генерация низкоэнергетических интенсивных электронных пучков в газах

Перерыв до 15:00

15:00 Обсуждение конкурсных работ

Председатель сессии: А.Г. Погосов

После окончания дискуссии - заседание конкурсной комиссии