№ |
Время |
Авторы, название работы |
Рецензенты |
6 (II) |
9:00 |
Н.А. Ерюков, А.Г. Милёхин, Л.Л. Свешникова, Т.А. Дуда, Л.Д. Покровский, С.А. Бацанов, А.К. Гутаковский, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев
Комбинационное рассеяние света в наноструктурах полупроводник/металл в условиях плазмонного резонанса
|
В.А. Володин Н.В. Суровцев |
7 (II) |
9:40 |
Базовкин В.М., Варавин В.С., Васильев В.В., Гузев А.А., Дворецкий С.А., Ковчавцев А.П., Марин Д.В., Панова З.В., Половинкин В.Г., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Сидоров Ю.Г., Царенко А.В., Якушев М.В.
ИК фотоприемники на основе гетероструктур КРТ-кремний, работающие при повышенных температурах
|
М.А. Демьяненко А.Э. Климов |
8 (II) |
10:20 |
В.Ш. Алиев, С.Г. Бортников, И.А. Бадмаева, И.В. Мжельский
Динамика температурного поля пленки диоксида ванадия при автоколебаниях электрического тока
|
М.А. Демьяненко Д.Р. Исламов |
11:00 - 11:10 Перерыв |
9 (II) |
11:10 |
Небогатикова Н.А., Базылева Е.В., Котин И.А., Соотс Р.А., Антонова И.В., Принц В.Я., Вдовин В.И.
Диэлектрические слои на основе фторографена для графеновой, гибкой и печатной электроники
|
Д.Ю. Протасов А.В. Ненашев |
10 (II) |
11:50 |
М.С. Аксенов, А.Ю. Кохановский, П.А. Половодов, С.Ф. Девятова, В.А. Голяшов, А.С. Кожухов, И.П. Просвирин, С.Е. Хандархаева, А.К. Гутаковский, Н.А. Валишева, О.Е. Терещенко
Формирование InAs МОП-структур с низкой плотностью интерфейсных состояний в низкоэнергетической таунсендовской газоразрядной плазме
|
А.П. Ковчавцев В.А. Гриценко |
11 (II) |
12:30 |
O.E. Tereshchenko, V.A. Golyashov, S.V. Eremeev, I. Maurin, A.V. Bakulin, S.E. Kulkova, M.S. Aksenov, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, D.V. Dmitriev, A.I. Toropov, A.K. Gutakovskii, S.E. Khandarkhaeva, I.P. Prosvirin, A.V. Kalinkin, V.I. Bukhtiyarov, A.V. Latyshev
Ферромагнитный HfO2/Si/GaAs интерфейс для приложений спин-поляриметрии
|
М.В. Энтин В.Ш. Алиев |
Перерыв до 14:00 |
14:00 Обсуждение конкурсных работ Председатель сессии: В.А. Ткаченко
После окончания дискуссии - заседание конкурсной комиссии
|
|