№ |
Время |
Авторы, название работы |
Рецензенты |
7 (I) |
9:00 |
Д.А. Козлов, М.Л. Савченко, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм
|
М.В. Энтин, О.Е. Терещенко |
8 (I) |
9:40 |
А.А. Шевырин, А.Г. Погосов, А.К. Бакаров. А.А. Шкляев
Физические механизмы возбуждения и детектирования колебаний наноэлектромеханических систем с двумерным электронным газом
|
М.В. Энтин, Л.С. Брагинский |
9 (I) |
10:20 |
Е.А. Колосовский, А.В. Царев
Аномальное заграждение волноводной моды, распространяющейся в кремниевом оптическом волноводе с туннельными периодическими вставками
|
И.И. Рябцев, С.В. Перминов |
11:00 - 11:10 Перерыв
Председатель сессии: Л.И. Федина
|
10 (I) |
11:10 |
И.И. Бетеров, И.И. Рябцев, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, Е.А. Якшина, М. Саффман, С. Бергамини, Е.А. Кузнецова, К. Андреева, А. Марковски, З. Ифтикхар, А. Цинис, А. Экерс
Двухкубитовые вентили на основе резонансов Фёрстера, перестраиваемых электрическим полем
|
Д.Р. Исламов, Н.Н. Рубцова |
11 (I) |
11:50 |
В.А. Тимофеев, А.И. Никифоров, А.Р. Туктамышев, В.И. Машанов, А.К. Гутаковский, И.Д. Лошкарев, А.И. Якимов, А.А. Блошкин, Н.А. Байдакова
Многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
|
В.А. Володин, В.А. Зиновьев |
12 (I) |
12:30 |
Д.Ю. Протасов, Д.В. Гуляев, А.К. Бакаров, А.К. Гутаковский, А.И. Торопов, К.С. Журавлев
Продольный и поперечный перенос носителей заряда в гетероструктурах AlGaAs/InGaAs с донорно-акцепторным легированием
|
М.Буданцев, А.Э. Климов |
13 (I) |
13:10 |
С.В. Постолова, А.Ю. Миронов, Т.И. Батурина
N-образная температурная зависимость сопротивления и размерный кроссовер в сверхпроводящих плёнках
|
Э.Г. Батыев, Е.Б.Ольшанецкий |